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公开(公告)号：CN102422449B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201080021008.6
申请日：2010-05-11
申请人： 大日精化工业株式会社 , 中山健一
IPC分类号： H01L51/30 , C07D209/48 , C07D409/14 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号： C07D209/48 , C07D409/14 , C07D495/04 , C07D495/14 , H01L51/0053 , H01L51/0068 , H01L51/0074
摘要： 本发明公开了由下式(F)表示的有机半导体材料：其中A表示由一个或多个芳环形成的环状共轭骨架结构，且R1和R2各自独立地表示被取代或未被取代的烷基。所述有机半导体材料具有高电子迁移率和高开/关比，且可以通过利用其溶液的溶液方法形成有机半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN102484072B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201080039082.0
申请日：2010-09-03
申请人： 大日精化工业株式会社 , 中山健一
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/73 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5296 , B82Y10/00 , H01L51/0046 , H01L51/0053 , H01L51/0067 , H01L51/0081 , H01L51/0504
摘要： 本申请提供了电流放大晶体管装置，其在发射极和集电极之间具有两个有机半导体层和片状基极。所述有机半导体层之一设置在发射极和基极之间，并具有p-型有机半导体层和n-型有机半导体层的二极管结构。本申请还公开了电流放大发光晶体管装置，其包括所述电流放大晶体管装置和在所述电流放大晶体管装置中形成的有机EL装置部分。
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公开(公告)号：CN102422449A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080021008.6
申请日：2010-05-11
申请人： 大日精化工业株式会社 , 中山健一
IPC分类号： H01L51/30 , C07D209/48 , C07D409/14 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号： C07D209/48 , C07D409/14 , C07D495/04 , C07D495/14 , H01L51/0053 , H01L51/0068 , H01L51/0074
摘要： 本发明公开了由下式(F)表示的有机半导体材料：其中A表示由一个或多个芳环形成的环状共轭骨架结构，且R1和R2各自独立地表示被取代或未被取代的烷基。所述有机半导体材料具有高电子迁移率和高开/关比，且可以通过利用其溶液的溶液方法形成有机半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN102484072A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039082.0
申请日：2010-09-03
申请人： 大日精化工业株式会社 , 中山健一
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/73 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5296 , B82Y10/00 , H01L51/0046 , H01L51/0053 , H01L51/0067 , H01L51/0081 , H01L51/0504
摘要： 本申请提供了电流放大晶体管装置，其在发射极和集电极之间具有两个有机半导体层和片状基极。所述有机半导体层之一设置在发射极和基极之间，并具有p-型有机半导体层和n-型有机半导体层的二极管结构。本申请还公开了电流放大发光晶体管装置，其包括所述电流放大晶体管装置和在所述电流放大晶体管装置中形成的有机EL装置部分。
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