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公开(公告)号：CN102422449A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080021008.6
申请日：2010-05-11
Applicant: 大日精化工业株式会社 , 中山健一
IPC: H01L51/30 , C07D209/48 , C07D409/14 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: C07D209/48 , C07D409/14 , C07D495/04 , C07D495/14 , H01L51/0053 , H01L51/0068 , H01L51/0074
Abstract: 本发明公开了由下式(F)表示的有机半导体材料：其中A表示由一个或多个芳环形成的环状共轭骨架结构，且R1和R2各自独立地表示被取代或未被取代的烷基。所述有机半导体材料具有高电子迁移率和高开/关比，且可以通过利用其溶液的溶液方法形成有机半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN102484072B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201080039082.0
申请日：2010-09-03
Applicant: 大日精化工业株式会社 , 中山健一
IPC: H01L21/331 , H01L29/73 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5296 , B82Y10/00 , H01L51/0046 , H01L51/0053 , H01L51/0067 , H01L51/0081 , H01L51/0504
Abstract: 本申请提供了电流放大晶体管装置，其在发射极和集电极之间具有两个有机半导体层和片状基极。所述有机半导体层之一设置在发射极和基极之间，并具有p-型有机半导体层和n-型有机半导体层的二极管结构。本申请还公开了电流放大发光晶体管装置，其包括所述电流放大晶体管装置和在所述电流放大晶体管装置中形成的有机EL装置部分。
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公开(公告)号：CN102422449B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201080021008.6
申请日：2010-05-11
Applicant: 大日精化工业株式会社 , 中山健一
IPC: H01L51/30 , C07D209/48 , C07D409/14 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: C07D209/48 , C07D409/14 , C07D495/04 , C07D495/14 , H01L51/0053 , H01L51/0068 , H01L51/0074
Abstract: 本发明公开了由下式(F)表示的有机半导体材料：其中A表示由一个或多个芳环形成的环状共轭骨架结构，且R1和R2各自独立地表示被取代或未被取代的烷基。所述有机半导体材料具有高电子迁移率和高开/关比，且可以通过利用其溶液的溶液方法形成有机半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN102484072A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039082.0
申请日：2010-09-03
Applicant: 大日精化工业株式会社 , 中山健一
IPC: H01L21/331 , H01L29/73 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5296 , B82Y10/00 , H01L51/0046 , H01L51/0053 , H01L51/0067 , H01L51/0081 , H01L51/0504
Abstract: 本申请提供了电流放大晶体管装置，其在发射极和集电极之间具有两个有机半导体层和片状基极。所述有机半导体层之一设置在发射极和基极之间，并具有p-型有机半导体层和n-型有机半导体层的二极管结构。本申请还公开了电流放大发光晶体管装置，其包括所述电流放大晶体管装置和在所述电流放大晶体管装置中形成的有机EL装置部分。
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公开(公告)号：CN1993429A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200580025150.7
申请日：2005-07-26
Applicant: 大日精化工业株式会社 , 新日铁化学株式会社
CPC classification number: C09D11/037 , C09B47/00 , C09B67/0014 , C09B67/0025 , C09B67/006 , C09D7/41 , C09D11/17 , C09D11/322
Abstract: 本发明可以提供用于彩色图像显示装置等的、赋予高水准的明度和色度特性的蓝色像素形成用的新的颜料，特别是具有清晰的色相而且耐光性、耐溶剂性和耐热性等颜料物性良好的精细化颜料及其制造方法，使用该颜料的颜料分散体和滤色器用油墨。本发明为亚酞菁颜料，其特征在于，将以右通式(1)表示的X为卤素原子的亚酞菁颜料化而形成，至少在X射线衍射中的衍射角(2θ)7.0°、12.3°、20.4°和23.4°处显示出衍射峰，平均粒径为120～20nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102574806B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201080047762.7
申请日：2010-10-29
Applicant: 大日精化工业株式会社
IPC: C07D221/18 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC classification number: C07D221/18 , C09B5/62 , H01L51/0053
Abstract: 本发明为一种苝四甲酰二亚胺衍生物，其特征在于，由下述通式(1)表示。其中，通式(1)中，R1表示碳原子数为1～20的分支或不分支的烷基，R2及R3独立地表示碳原子数为2～6的分支或不分支的烷基，X1及X2表示选自氧原子、硫原子及硒原子中的杂原子，Y表示卤原子或氰基，m表示0～4的数，并且n表示0～2的数。
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公开(公告)号：CN102714276A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080058117.5
申请日：2010-10-29
Applicant: 大日精化工业株式会社 , 国立大学法人信州大学
IPC: H01L51/30 , C07D471/06 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: C07D471/06 , C09B5/62 , H01L51/0053 , H01L51/0545
Abstract: 本发明为由下述通式(1)表示的苝四甲酰二亚胺衍生物形成的有机半导体材料、有机半导体薄膜以及有机薄膜晶体管。其中，通式(1)中，R1表示碳原子数为1~20的可以分支的烷基，R2表示碳原子数为2~6的可以分支的烷基，R3表示碳原子数为2~6的可以分支的烷基，X1以及X2表示选自氧原子、硫原子以及硒原子的杂原子，Y表示卤素原子或氰基，m表示0~4的数，且n表示0~2的数，另外，R1以及R2的烷基可以被氟取代。通式(1)
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公开(公告)号：CN1993429B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200580025150.7
申请日：2005-07-26
Applicant: 大日精化工业株式会社 , 新日铁化学株式会社
CPC classification number: C09D11/037 , C09B47/00 , C09B67/0014 , C09B67/0025 , C09B67/006 , C09D7/41 , C09D11/17 , C09D11/322
Abstract: 本发明可以提供用于彩色图像显示装置等的、赋予高水准的明度和色度特性的蓝色像素形成用的新的颜料，特别是具有清晰的色相而且耐光性、耐溶剂性和耐热性等颜料物性良好的精细化颜料及其制造方法，使用该颜料的颜料分散体和滤色器用油墨。本发明为亚酞菁颜料，其特征在于，将以下述通式(1)表示的X为卤素原子的亚酞菁颜料化而形成，至少在X射线衍射中的衍射角(2θ)7.0°、12.3°、20.4°和23.4°处显示出衍射峰，平均粒径为120～20nm。
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公开(公告)号：CN103081149B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201180041963.0
申请日：2011-08-17
Applicant: 国立大学法人信州大学 , 大日精化工业株式会社
IPC: H01L51/30 , C07D471/04 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: C09K19/3483 , C07D471/04 , C09B5/62 , C09K19/3488 , H01L51/0053 , H01L51/0076 , H01L51/0558 , H01L51/0562 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明为有机半导体微粒材料、有机半导体薄膜及有机晶体管，有机半导体微粒材料的特征在于，所述有机半导体微粒材料是能够作为有机半导体材料使用的微粒状的材料，该微粒是在被加热至50℃～350℃的温度时向液晶状态发生相变的热致液晶。根据上述本发明，能够提供有机半导体微粒材料、有机半导体薄膜及有机晶体管，所述有机半导体微粒材料容易大面积且均一地制作通过印刷制膜法形成的有机半导体薄膜，具有高的电子迁移率及高的开/关值，并且能够通过使用了微粒的分散液涂布法来形成有机半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN102714276B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201080058117.5
申请日：2010-10-29
Applicant: 大日精化工业株式会社 , 国立大学法人信州大学
IPC: H01L51/30 , C07D471/06 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: C07D471/06 , C09B5/62 , H01L51/0053 , H01L51/0545
Abstract: 本发明为由下述通式(1)表示的苝四甲酰二亚胺衍生物形成的有机半导体材料、有机半导体薄膜以及有机薄膜晶体管。其中，通式(1)中，R1表示碳原子数为1~20的可以分支的烷基，R2表示碳原子数为2~6的可以分支的烷基，R3表示碳原子数为2~6的可以分支的烷基，X1以及X2表示选自氧原子、硫原子以及硒原子的杂原子，Y表示卤素原子或氰基，m表示0~4的数，且n表示0~2的数，另外，R1以及R2的烷基可以被氟取代。通式(1)
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