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公开(公告)号：CN116885146B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311058111.3
申请日：2023-08-22
Applicant: 大连交通大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/48 , H01M10/0525 , C01G49/02
Abstract: 本发明为一种电池负极活性材料、制备方法及其应用。利用湿法球磨在铁硫化合物的表面原位生成羟基氧化铁，形成羟基氧化铁包覆铁硫化合物活性材料，制备过程包括加料、球磨、干燥等步骤。本发明通过湿法球磨的方式，包覆层羟基氧化铁能够在铁硫化合物表面原位形成，方法操作简单，制备效率更高，且能够快速形成羟基氧化铁包覆层，缩短制备周期，通过电化学性能测试可知，羟基氧化铁作为负极活性材料的电池有更好的电化学性能，循环稳定性和倍率性能提升。
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公开(公告)号：CN116759550A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310736983.4
申请日：2023-06-21
Abstract: 本发明公开一种锂离子电池氧化物正极材料的包覆改性方法及其复合材料和应用，属于锂离子电池材料领域。该包覆改性方法的特征是利用锆基金属玻璃成分形成能力大的特点，在与氧化物正极材料粉体一起湿法球磨的过程中，可以保持非晶态结构或使晶态合金快速非晶化，根据锆基非晶合金在高速球磨的机械作用下表面层剪切软化的特点，借助软化层实现锆基非晶合金对氧化物正极材料颗粒的纳米级包覆，在提供表面保护的同时，提高材料的导电性，抑制机械加工微裂纹产生，从而保证整个复合材料的循环稳定性。通过调整金属玻璃成分和颗粒尺寸实现对包覆层厚度在3‑30纳米的调控，进一步优化正极材料性能。本发明具有操作简单、包覆层成分可调且成分范围广等优点。
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公开(公告)号：CN116525781A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310321505.7
申请日：2023-03-29
Applicant: 大连交通大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/485 , H01M10/0525 , H01M4/58
Abstract: 本发明公开了一种高比容量的含Fe钛酸锂基负极电极材料及其制备方法，属于锂离子电池制备领域。该复合材料的微结构特征是纳米铁基硫化物颗粒弥散分布在钛酸锂颗粒表面或钛酸锂颗粒之间，复合材料的化学组成为，以质量比，铁基硫化物占比为10～75％。本发明首先需硫源对氧化铁或四氧化三铁进行硫化还原，得到粒径不超过100纳米的铁基硫化物粉体，通过干磨或湿法机械混合获得不同的粉体复合材料。本发明操作简单，制备效率高，易于实现规模化制备；通过调控铁基硫化物的种类、以及与钛酸锂的含量配比，可获得具有不同电化学特性的高比容量复合电极材料，制备出不同功能特性的钛酸锂电池，进一步扩展钛酸锂电池的应用场景。
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公开(公告)号：CN116759550B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202310736983.4
申请日：2023-06-21
Abstract: 本发明公开一种锂离子电池氧化物正极材料的包覆改性方法及其复合材料和应用，属于锂离子电池材料领域。该包覆改性方法的特征是利用锆基金属玻璃成分形成能力大的特点，在与氧化物正极材料粉体一起湿法球磨的过程中，可以保持非晶态结构或使晶态合金快速非晶化，根据锆基非晶合金在高速球磨的机械作用下表面层剪切软化的特点，借助软化层实现锆基非晶合金对氧化物正极材料颗粒的纳米级包覆，在提供表面保护的同时，提高材料的导电性，抑制机械加工微裂纹产生，从而保证整个复合材料的循环稳定性。通过调整金属玻璃成分和颗粒尺寸实现对包覆层厚度在3‑30纳米的调控，进一步优化正极材料性能。本发明具有操作简单、包覆层成分可调且成分范围广等优点。
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公开(公告)号：CN116722117A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310716869.5
申请日：2023-06-16
Applicant: 大连交通大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种可用于锂离子电池的高比容量高导电性含锑钛酸锂基复合电极材料及其制备方法，属于锂离子电池制备领域。该复合材料的微结构特征是纳米锑颗粒弥散分布在钛酸锂颗粒表面或嵌于钛酸锂颗粒边缘，复合材料的化学组成为，以质量比，锑占比为10～70％。本发明首先需化学合成金属锑，得到纳米锑粉体，通过机械混合或湿法球磨混合获得不同的粉体复合材料。本发明复合工艺简单，易于操作，制备周期短，合成时间短，能耗低，导电性能好，锑为导电金属，复合材料比容量较于钛酸锂比容量显著提升，制备出高导电性高比容量的钛酸锂电池，进一步拓宽钛酸锂电池的应用场景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117364098A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311300153.3
申请日：2023-10-10
Applicant: 大连交通大学
Abstract: 本发明为一种勃姆石制备方法及其应用，制备方法包括以盐溶液作为电解液，以碳棒作为阴极、以金属铝片作为阳极进行电解、收集电解液中的沉淀物、用去离子水洗涤沉淀物、抽滤、干燥、研磨，得到勃姆石粉体，并应用得到的勃姆石粉体制备γ型氧化铝。本发明提出使用碳棒作为阴极、金属铝片作为阳极，盐溶液作为电解液使该制备方法原料易得、成本低廉，具有更高的经济效益；工艺流程简单、条件温和且容易控制、无有害杂质生成。
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公开(公告)号：CN114807670B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210631207.3
申请日：2022-06-06
Abstract: 一种兼具弥散和沉淀强化的含Fe铜基材料及其制备方法，首先，采用感应熔炼与熔体雾化技术，制备比重与基体合金接近的含ZrO2与含Fe沉淀相混合物的铜基合金粉体中间材料；然后，选择一定大小的中间材料粉体，与工业纯铜一起为原料，配置目标合金；最后，采用感应熔炼技术，熔铸制备公斤级的具有弥散和沉淀双强化特征的含Fe铜基合金。含Fe铜基材料的组织特征是铜合金基体上均匀、弥散分布着不同数目密度的纳米ZrO2氧化物和含Fe沉淀相粒子。本发明合成出的含Fe耐蚀新型铜合金材料具备了DS‑Cu性能以及PH‑Cu制备工艺优势，且成本低、重复性好，氧化物颗粒与沉淀相的大小与含量可有效调控；整体工艺过程简单、高效、可控，易于实施工业化规模生产。
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公开(公告)号：CN118497547B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202410439205.3
申请日：2024-04-12
Applicant: 大连交通大学
Abstract: 本发明涉及一种基于团簇式方法确立的高强导电铜镍钴硅合金及其制备工艺与应用，所述合金通式表示为{A}＝{[Si‑(Ni,Co,Cu)12](Si,Cu)3}1～2{Cu16}14～15，所述超团簇式含有256原子，且进入所述超团簇式的元素成分换算为相应的256原子个数；且Ni、Co、Si元素的比例范围：1.7≤(Ni+Co)/Si≤2.9at.；以及Ni、Co、Si元素在超团簇式中所占据的原子个数范围：6≤Ni+Co≤11个、3≤Si≤5个。此高强高导合金，强度与电导率均高于工业生产铜镍钴硅典型值840MPa、49％IACS。在电子电气领域，包括信息技术与通信领域的电子元件、封装与连接技术等领域中有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118693288A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410723800.X
申请日：2024-06-05
Applicant: 大连交通大学
IPC: H01M4/66
Abstract: 本发明公开了一种自组装纯净碳基集流体的制备方法，属于碳基集流体的制备技术领域。包括以下步骤：将酸处理开环氧化石墨烯和石墨烯混合溶于溶剂中形成悬浊液，然后将悬浊液注入狭缝模具中的狭缝中，进行蒸发自组装形成层状排列混合薄膜，在500‑800℃下热处理还原得到自组装纯净碳基集流体。本发明以酸处理开环氧化石墨烯与石墨烯混合后通过狭缝蒸发和热处理还原的形式来制备纯净碳基集流体，能够有效的提高碳基集流体的洁净度，所制备出的纯净碳基集流体由于呈现层状规则排列的形状，能够提供离子快速传输的通道，具有优异的离子传输性能，使得碳基集流体的电容性能获得极大的提升，具有极小的内阻以及十分优异的循环稳定性。
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公开(公告)号：CN118497547A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410439205.3
申请日：2024-04-12
Applicant: 大连交通大学
Abstract: 本发明涉及一种基于团簇式方法确立的高强导电铜镍钴硅合金及其制备工艺与应用，所述合金通式表示为{A}＝{[Si‑(Ni,Co,Cu)12](Si,Cu)3}1～2{Cu16}14～15，所述超团簇式含有256原子，且进入所述超团簇式的元素成分换算为相应的256原子个数；且Ni、Co、Si元素的比例范围：1.7≤(Ni+Co)/Si≤2.9at.；以及Ni、Co、Si元素在超团簇式中所占据的原子个数范围：6≤Ni+Co≤11个、3≤Si≤5个。此高强高导合金，强度与电导率均高于工业生产铜镍钴硅典型值840MPa、49％IACS。在电子电气领域，包括信息技术与通信领域的电子元件、封装与连接技术等领域中有良好的应用前景。
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