一种高效差压半固态制浆装置及使用方法

    公开(公告)号:CN119870388A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202411674140.7

    申请日:2025-01-08

    Abstract: 本发明给出一种高效差压半固态制浆装置及使用方法,该装置包括熔炼装置,所述熔炼装置用于熔化及精炼原材料,熔炼装置包括熔体通道,熔体通道上连通有熔体处理装置,熔体处理装置包括支撑台和异形熔体流通槽,异形熔体流通槽的底部沿异形熔体流通槽长度方向设有冷却组件,且异形熔体流通槽倾斜设置在所述支撑台上,且异形熔体流通槽的高端与熔体通道连通,异形熔体流通槽底部设有多个折流挡板,且多个折流挡板相互拼接在异形熔体流通槽内形成异形分流通道。还包括一种高效差压半固态制浆装置的使用方法。本发明能够使金属熔体在异形分流通道内下落时发生碰撞,打碎金属熔体内部的粗大枝晶,提高熔体处理效率。

    一种Al-V-C晶粒细化剂及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119265444A

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202411403296.1

    申请日:2024-10-09

    Abstract: 本发明属于有色合金冶金和铸造技术领域,具体涉及一种Al‑V‑C晶粒细化剂及其制备方法和应用。包括以下步骤:将Al‑10V粉末和VC粉末混合后进行真空球磨,得到混合料;将容器预热后,然后将纯铝置于容器内,加热至纯铝熔化形成铝熔体,将包裹有混合料的铝箔浸入铝熔体内,形成混合熔体;将混合熔体升温至1190℃~1210℃保温;然后降温至790℃~810℃保温;浇注至半固态后,进行连续流变挤压成型,得到Al‑V‑C晶粒细化剂。本发明制备的晶粒细化剂,VAl3和VC物相分布更均匀,通过添加Al‑V‑C细化剂的方式引入Al基体,增加Al的异质形核位点,达到细化晶粒的目的,避免了碳元素与铝润湿性差的问题。

    一种半固态金属浆料制备装置及方法

    公开(公告)号:CN112743060B

    公开(公告)日:2021-12-24

    申请号:CN202011568048.4

    申请日:2020-12-25

    Abstract: 本发明公开了一种半固态金属浆料制备装置及方法,属于半固态连续流变金属铸造设备技术领域。该成形设备包括:搅拌桶、安装支架、分流锥、多个剪切棒和驱动装置,搅拌桶外壁通过第一轴承与安装支架连接,每个剪切棒一端固连于搅拌桶内壁,每个剪切棒另一端与分流锥侧壁连接,分流锥的底面连接有挡液伞,挡液伞的边缘与搅拌桶内壁留有间隙,驱动装置用于驱动搅拌桶转动。本发明的一种半固态金属浆料制备装置旨在把大量浆料分成连续的小量浆液,制备出的半固态浆料有效的降低了卷入性缺陷的含量,所制备出的半固态浆料在后续成型加工中可能有效降低晶间偏析的含量。

    铝硅系合金真空熔炼用碘酸铯熔体净化剂及其加工方法

    公开(公告)号:CN112981161A

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN202110183906.1

    申请日:2021-02-10

    Abstract: 本发明提供一种适用于铝硅系合金真空熔炼用的碘酸铯熔体净化剂及其加工方法。该净化剂为质量分数0.1%至1.5%的碘酸铯(CsIO3)和纯铝(Al)组成的铝基复合材料。上述净化剂加入到670℃~690℃真空氛围的铝硅系合金熔体中,碘酸铯部分受热分解,分解产物CsIO4结合熔体中的氧化物夹杂沉淀析出,起到除杂的效果。净化剂颗粒可以破碎氧化物夹杂的表层氧化膜,有效地减弱熔体对氢气和水蒸气的吸附作用。本发明提供的净化剂将除杂和除气的净化目的相统一,大幅提升传统真空净化的效率和效果。经过净化后的铝硅系合金熔体氧化物杂质和含氢量明显减少,铸件延伸率和抗拉强度显著提升。

    一种用于铝硅系合金真空熔炼的熔体净化剂及其使用方法

    公开(公告)号:CN112760516A

    公开(公告)日:2021-05-07

    申请号:CN202011565836.8

    申请日:2020-12-25

    Abstract: 本发明公开了一种用于铝硅系合金真空熔炼的熔体净化剂及其使用方法。该净化剂为质量分数0.1%至1.0%的溴酸铷(RbBrO3)和纯铝组成的铝基复合材料。上述铝基复合材料净化剂在真空条件下加入到690℃~720℃的铝硅系合金熔体中,能够弥补传统真空净化技术难以除杂的缺点,净化剂中的溴、铷与熔体中的氧化物夹杂结合,减少杂质氧化物表层氧化膜的孔隙率,从而在除杂的同时显著降低熔体中的含氢量,同时形成杂质沉淀析出,起到除杂效果。相对于传统真空净化技术,本技术净化效率高、净化效果好;制备的铝硅系合金含氢量和夹杂含量显著减少,抗拉强度和延伸率显著提高,特别适合于复杂结构精密铸件的制备。

    一种点阵基元序构吸波超材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN119581870A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202410973662.0

    申请日:2024-07-19

    Abstract: 本发明涉及吸波超材料技术领域,具体涉及一种点阵基元序构吸波超材料及其制备方法,该吸波超材料包括基底和点阵结构层,所述点阵结构层是由多个结构单元在所述基底表面周期性阵列布置构成;每个所述结构单元均是由多个点阵基元排列组成;所述点阵基元为片状磁性点阵基元。本发明设计的点阵超结构的吸波峰向高频移动,且RL

    一种自组装纯净碳基集流体的制备方法

    公开(公告)号:CN118693288A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410723800.X

    申请日:2024-06-05

    Abstract: 本发明公开了一种自组装纯净碳基集流体的制备方法,属于碳基集流体的制备技术领域。包括以下步骤:将酸处理开环氧化石墨烯和石墨烯混合溶于溶剂中形成悬浊液,然后将悬浊液注入狭缝模具中的狭缝中,进行蒸发自组装形成层状排列混合薄膜,在500‑800℃下热处理还原得到自组装纯净碳基集流体。本发明以酸处理开环氧化石墨烯与石墨烯混合后通过狭缝蒸发和热处理还原的形式来制备纯净碳基集流体,能够有效的提高碳基集流体的洁净度,所制备出的纯净碳基集流体由于呈现层状规则排列的形状,能够提供离子快速传输的通道,具有优异的离子传输性能,使得碳基集流体的电容性能获得极大的提升,具有极小的内阻以及十分优异的循环稳定性。

    一种难铸合金连续激光增材和挤压成形设备及生产方法

    公开(公告)号:CN116020893A

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202210112830.8

    申请日:2022-01-29

    Abstract: 一种难铸合金连续激光增材和挤压成形设备及生产方法,包括激光增材设施、表面平整装置、合金活块、牵引装置、活套装置和挤压成型设施,激光增材设施将不同元素粉末或不同合金粉末在合金活块的顶面制成所需要的金属杆料形状,合金活块在牵引装置的牵引下,带着制成的金属杆料向下移动,移动速度与激光增材设施制成金属杆料的速度同步,使激光增材设施连续制成金属杆料,在合金活块和牵引装置牵引下,金属杆料进入活套装置,活套装置将金属杆料送入挤压成型设施进行挤压加工,制成各种型线产品。本发明有益效果是:对难铸合金制备加工相对容易,加工工序短,可连续生产,能降低加工成本,产品质量好。

    还原氧化石墨烯/铝防腐蚀材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115975423A

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202310081491.6

    申请日:2023-02-08

    Abstract: 本发明属于腐蚀防护的纳米材料制备技术领域,具体为还原氧化石墨烯/铝防腐蚀材料及其制备方法和应用。还原氧化石墨烯/铝防腐蚀材料制备步骤为:将氧化石墨烯超声分散于去离子水中,然后经涂覆、蒸发溶剂,再于惰性和还原性混合气氛下加热,得到还原氧化石墨烯薄膜;将锐角为35‑50°的直角铝基体去除表面氧化层,将还原氧化石墨烯薄膜贴覆至铝基体斜边上,惰性气氛下热处理后,轧制,得到具有还原氧化石墨烯防腐蚀涂层复合材料。本发明解决了目前石墨烯/铝防腐蚀材料与基体结合强度低,并且石墨烯层间距无法调控缩小,石墨烯分散不均匀,制备工艺复杂的问题。

    一种半固态旋碾挤压成形设备
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114769532A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210514638.1

    申请日:2022-05-12

    Abstract: 本发明属于机械设备技术领域,公开了一种半固态旋碾挤压成形设备,包括熔炼精炼包,其上可拆卸式连接第一封盖,第一封盖上设置有超声处理装置,熔炼精炼包内壁上设置有电磁搅拌加热装置,熔炼精炼包内套装设置有高纯石墨坩埚,高纯石墨坩埚底部开设有流道口,熔炼精炼包的底部设有金属熔体流道,金属熔体流道与流道口连通;旋碾挤压成形装置,设置在熔炼精炼包的下侧,旋碾挤压成形装置的进口与金属熔体流道连通;冷却及卷取装置,设置在旋碾挤压成形装置的出口下侧。本发明省去了熔体转移过程,避免了金属熔体因生产转移而造成的熔体污染,大幅细化了晶相组织,提高了产品的力学性能,降低了企业的生产成本,更易于工业化连续生产。

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