公开(公告)号：CN111866414B

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202010679695.6

申请日：2020-07-15

申请人： 大连理工大学

发明人： 常玉春 ,  娄珊珊 ,  吴妍岩 ,  冯国林 ,  张震 ,  刘岩

IPC分类号： H04N5/355

摘要： 本发明提供了高动态图像传感器像素结构及时序控制方法，属于半导体光电方向图像传感器领域。所述的高动态图像传感器像素结构集成了一个钳位光电二极管作为光电探测元件，反向偏置，阳极为p型接地，阴极通过高增益传输晶体管与源极跟随器的输入端FDH点相连。FDH点同时与低增益传输晶体管相连，并与FDL点连接。FDL点分别与复位晶体管、超高动态范围控制二极管相连，复位晶体管与低增益传输晶体管的漏极相连，用于保证FDL点被复位至VPIX电压。选通管与源极跟随器的源极相连，用于将源极跟随器与外部信号读出链相连。超高动态范围控制二极管的阴极与FDL点相连，阳极接在电压VC上。

公开(公告)号：CN111866414A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010679695.6

申请日：2020-07-15

申请人： 大连理工大学

发明人： 常玉春 ,  娄珊珊 ,  吴妍岩 ,  冯国林 ,  张震 ,  刘岩

IPC分类号： H04N5/355

摘要： 本发明提供了高动态图像传感器像素结构及时序控制方法，属于半导体光电方向图像传感器领域。所述的高动态图像传感器像素结构集成了一个钳位光电二极管作为光电探测元件，反向偏置，阳极为p型接地，阴极通过高增益传输晶体管与源极跟随器的输入端FDH点相连。FDH点同时与低增益传输晶体管相连，并与FDL点连接。FDL点分别与复位晶体管、超高动态范围控制二极管相连，复位晶体管与低增益传输晶体管的漏极相连，用于保证FDL点被复位至VPIX电压。选通管与源极跟随器的源极相连，用于将源极跟随器与外部信号读出链相连。超高动态范围控制二极管的阴极与FDL点相连，阳极接在电压VC上。