公开(公告)号：CN102820311A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210254461.2

申请日：2012-09-25

申请人： 大连理工大学

发明人： 侯增选 ,  郭超 ,  孙景华 ,  赵宁 ,  刘文慧 ,  李少武 ,  李万杰 ,  张邦磊

IPC分类号： H01L27/146 ,  G03F7/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明一种制作偏振敏感光电探测器的方法属于微纳米制造技术领域，特别涉及一种基于纳米压印技术制作偏振敏感光电探测器的方法。为实现光电探测器具有偏振检测的功能，利用纳米压印工艺在光电探测器上制作双层纳米金属光栅偏振器，其步骤如下：清洗光电探测器，使其表面无颗粒等污染；在光电探测器上旋涂压印胶，应用纳米压印制作纳米光栅；热蒸镀金属，在光栅之上及光栅之间沉积一层金属；旋涂光刻胶，曝光显影，利用显影液去除光电探测器引线电极上的光刻胶及热蒸镀的金属；以剩余光刻胶为掩膜，干法刻蚀去除引线电极上的压印胶。本发明消除了分立器件带来的安装误差，利用纳米压印工艺实现单片或小批量的生产。成本低，加工效率高。

公开(公告)号：CN102831291A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210235777.7

申请日：2012-07-09

申请人： 大连理工大学

发明人： 侯增选 ,  郭超 ,  孙景华 ,  赵宁 ,  刘文慧 ,  李少武 ,  李万杰 ,  张邦磊

IPC分类号： G06F19/00

摘要： 本发明公开了一种虚拟绘制中浅色扩散区墨浓度计算方法，属于虚拟绘制技术领域，扩散区分为深色扩散区和浅色扩散区，将浅色扩散区划分为宽度相等的圆环区，引入墨浓度衰变度参数，给出了浅色扩散区墨浓度计算方法，包括计算深色扩散区墨浓度、计算浅色扩散区墨浓度衰变度、计算浅色扩散区墨浓度等步骤，从而得到浅色扩散区某个圆环区的墨浓度。该方法揭示了浅色扩散区墨浓度变化规律，克服了现有虚绘制方法中浅色扩散区墨浓度呈现均匀分布的局限，增强了虚拟绘制中水墨扩散仿真效果。

公开(公告)号：CN102831291B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201210235777.7

申请日：2012-07-09

申请人： 大连理工大学

发明人： 侯增选 ,  郭超 ,  孙景华 ,  赵宁 ,  刘文慧 ,  李少武 ,  李万杰 ,  张邦磊

IPC分类号： G06F19/00

摘要： 本发明公开了一种虚拟绘制中浅色扩散区墨浓度计算方法，属于虚拟绘制技术领域，扩散区分为深色扩散区和浅色扩散区，将浅色扩散区划分为宽度相等的圆环区，引入墨浓度衰变度参数，给出了浅色扩散区墨浓度计算方法，包括计算深色扩散区墨浓度、计算浅色扩散区墨浓度衰变度、计算浅色扩散区墨浓度等步骤，从而得到浅色扩散区某个圆环区的墨浓度。该方法揭示了浅色扩散区墨浓度变化规律，克服了现有虚绘制方法中浅色扩散区墨浓度呈现均匀分布的局限，增强了虚拟绘制中水墨扩散仿真效果。