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公开(公告)号:CN118630251A
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN202410888352.9
申请日:2024-07-04
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01M8/0286 , H01M8/0273 , H01M8/0276
Abstract: 本发明公开了一种单层边框膜电极批量化封装装置和方法。单层边框膜电极主要由上层单边框、下层单边框、CCM、阴极GDL、阳极GDL组成,单层边框膜电极的CCM是通过以上下层单边框固定形成五合一结构体,并将此结构体置于阴阳极GDL之间构造成七合一结构体形成的一种单层边框膜电极。本发明的方法中利用完整的托底膜来支撑镂空的单层边框,且该托底膜还可有效保护CCM的阴阳极催化层,在走带过程料带始终保持完整,在五合一封装热复合过程五合一结构体置于一个密闭空间,致使CCM不外露于空气,不受外界温湿度的影响。该装置与传统制备相比具备连续化批量生产作业的特点,更适用于高一致性、高可靠性的膜电极批量化制备。
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公开(公告)号:CN118970123A
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202411004578.4
申请日:2024-07-25
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01M8/1004 , H01M8/0273 , H01M8/0286
Abstract: 本发明属于燃料电池技术领域,公开了一种膜电极及其制备工艺。该膜电极主要由第一双面带胶面框、第二边框、GDL、CCM组成,其中第一双面带胶边框主要由上侧胶层、边框基体和下侧胶层组成,第二边框主要由阳极第二边框和阴极第二边框组成,GDL主要由阳极GDL和阴极GDL组成,CCM4主要由阳极催化层、质子交换膜和阴极催化层催化层组成。该膜电极制备工艺全部使用冷压工艺,解决了膜电极制备过程中的升温过程和冷却过程用时久的问题,提高了膜电极制备效率。
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