公开(公告)号：CN106735663A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710030468.9

申请日：2017-01-17

申请人： 大连理工大学

发明人： 赵宁 ,  钟毅 ,  马海涛 ,  邓建峰 ,  王云鹏 ,  王明耀

IPC分类号： B23K1/00 ,  B23K3/00 ,  B23K101/40

CPC分类号： B23K1/00 ,  B23K1/0008 ,  B23K3/00 ,  B23K2101/40

摘要： 本发明提供一种全金属间化合物窄间距微焊点的制备方法及结构，在芯片上制备至少一个第一金属焊盘和钎料凸点或钎料层，在载板上制备至少一个第二金属焊盘和可焊层；在可焊层的表面涂覆焊剂；将钎料凸点或钎料层和可焊层对准放置后加热，钎焊回流，使第一金属焊盘温度低于第二金属焊盘温度，钎料凸点或钎料层熔化后全部转变为三元金属间化合物。本发明选取Cu和Ni作为金属焊盘，在温度梯度作用下，Cu‑Ni形成的耦合作用，会同时加速金属间化合物在第一和第二金属焊盘上的生长，提高金属间化合物总的生长速率；具有择优取向的Cu‑Sn‑Ni三元金属间化合物，能够提高微焊点的可靠性和力学性能；与现有半导体及封装工艺兼容性好，工艺简单，实现低温互连高温服役。

公开(公告)号：CN106735663B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201710030468.9

申请日：2017-01-17

申请人： 大连理工大学

发明人： 赵宁 ,  钟毅 ,  马海涛 ,  邓建峰 ,  王云鹏 ,  王明耀

IPC分类号： B23K1/00 ,  B23K3/00 ,  B23K101/40

摘要： 本发明提供一种全金属间化合物窄间距微焊点的制备方法及结构，在芯片上制备至少一个第一金属焊盘和钎料凸点或钎料层，在载板上制备至少一个第二金属焊盘和可焊层；在可焊层的表面涂覆焊剂；将钎料凸点或钎料层和可焊层对准放置后加热，钎焊回流，使第一金属焊盘温度低于第二金属焊盘温度，钎料凸点或钎料层熔化后全部转变为三元金属间化合物。本发明选取Cu和Ni作为金属焊盘，在温度梯度作用下，Cu‑Ni形成的耦合作用，会同时加速金属间化合物在第一和第二金属焊盘上的生长，提高金属间化合物总的生长速率；具有择优取向的Cu‑Sn‑Ni三元金属间化合物，能够提高微焊点的可靠性和力学性能；与现有半导体及封装工艺兼容性好，工艺简单，实现低温互连高温服役。