公开(公告)号：CN116895711A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310929886.7

申请日：2023-07-27

申请人： 大连理工大学

发明人： 梁红伟 ,  韩中元 ,  夏晓川 ,  徐瑞良 ,  王德煜

IPC分类号： H01L31/115 ,  H01L31/18 ,  H01L31/028 ,  H01L21/268

摘要： 本发明属于微电子技术领域，公开一种利用皮秒激光器减薄的4H‑SiC基肖特基结构ΔE探测器及其制作方法。该4H‑SiC基肖特基结构ΔE探测器自下而上包括肖特基接触电极、n型外延层、N型缓冲层、N型衬底、N型欧姆接触电极。该4H‑SiC基肖特基结构ΔE探测器的衬底经过皮秒激光器高效减薄，并以未减薄的衬底作为整体的支撑，更有利于粒子穿透，对于低能粒子的能量分辨和粒子鉴别能力优异，可用于核辐射探测领域对更大范围能量的粒子进行探测与甄别。

公开(公告)号：CN218779008U

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202223054704.6

申请日：2022-11-17

申请人： 大连理工大学

发明人： 梁红伟 ,  韩中元 ,  张克雄 ,  柳阳 ,  张振中 ,  张贺秋 ,  张赫之 ,  马浩然 ,  夏晓川

IPC分类号： C23C14/04 ,  C23C14/30 ,  C23C14/35

摘要： 本实用新型属于掩模夹具技术领域，公开了一种用于碳化硅电极制备的抽拉式掩模夹具，包括掩模夹具本体，其上分为均匀分布的四个镂空方孔和用于可调整图形化掩模位置的镂空滑轨；若干抽屉式掩模，用于实现图形化电极，其上开有用于精细对准的对准圆孔。本实用新型的用于碳化硅电极制备的抽拉式掩模夹具，通过抽屉式多层可抽动的掩模版设计，和不同图案掩模的嵌套组合，有效解决了实验用碳化硅样品，多层电极尺寸对准精度不高，频繁更换样品引入沾污，多个分立掩模成本过高，不易保存等问题。本掩模夹具制备节约成本，可用于实验用多层复杂的电极结构制备。