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公开(公告)号：CN1316071C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200410100459.5
申请日：2004-12-21
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明属于材料科学与技术领域，涉及到金属氧化物晶体制备方法，特别涉及到一种用控温电弧炉制备氧化镁晶体的方法。以申请人的发明申请《一种制备氧化镁晶体的控温电弧炉》中公布的电弧炉为实施基础，以从感温设备得到的数据和预设的温度场方程计算得到的炉内温度状态作为进行电弧和冷却设备操作的依据，通过电弧和冷却设备的配合工作在炉中形成适宜晶体生长的温度场。本发明的效果和益处是，提出的氧化镁晶体制备方法可以提供适宜的晶体生长环境，大幅度提高氧化镁晶体的产量和质量，有效的节省了能源，显著地降低了成本。另外，该技术也可以用来生长其他高温晶体。
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公开(公告)号：CN1560331A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN200410021334.3
申请日：2004-03-02
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明属于材料科学与技术领域，涉及到晶体生长科学与技术，尤其是用菱镁矿石生长氧化镁晶体的方法。本发明的特征是用菱镁矿石为原料，以冷坩埚为炉体，先焙烧菱镁矿石，经选别制取三种轻烧氧化镁按比例混合，放入冷坩埚炉体中，采用三相交流电熔法加热，控制升温、恒温和降温曲线，即可获得象水晶一样晶莹剔透高雅大方的立方氧化镁晶体。本发明的效果和益处是其生长方法简单，易于掌握，工艺稳定，是新一代高科技产品。
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公开(公告)号：CN1180527C
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN03111514.4
申请日：2003-04-17
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明属于电力系统测量技术领域，尤其涉及应用在高电压场合下的光电式电流互感器的供电电源。本发明公开了一种光电式电流互感器的供电电源，它采用母线电流供电方式，包括电源变换与稳压单元和电流检测与电流变比控制单元。其特征是电源变换与稳压单元中电源CT的次级线圈有3个引出端，电源CT的次级回路还串联了一个测量CT，电流检测与电流变比控制单元能根据测量CT测得的电源CT的次级电流大小，调节电源CT的电流变比。解决了现有采用母线电流供电方式设计的供电电源在母线电流变化范围大的情况下热耗大的问题，明显扩大了供电电源的电流工作范围。
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公开(公告)号：CN1445552A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03111514.4
申请日：2003-04-17
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明属于电力系统测量技术领域，尤其涉及应用在高电压场合下的光电式电流互感器的供电电源。本发明公开了一种光电式电流互感器的供电电源，它采用母线电流供电方式，包括电源变换与稳压单元和电流检测与电流变比控制单元。其特征是电源变换与稳压单元中电源CT的二次线圈有3个引出端，电源CT的二次回路还串联了一个测量CT，电流检测与电流变比控制单元能根据测量CT测得的电源CT的二次电流大小，调节电源CT的电流变比。解决了现有采用母线电流供电方式设计的供电电源在母线电流变化范围大的情况下热耗大的问题，明显扩大了供电电源的电流工作范围。
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公开(公告)号：CN100385191C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200410100460.8
申请日：2004-12-21
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明属于晶体制备装置技术领域，涉及到一种制备氧化镁晶体的电熔装置，特别涉及到一种制备氧化镁晶体的控温电弧炉。本发明通过对保温材料，水冷设备，感温探头和计算机控制技术的综合运用来产生适宜晶体生长的温度场。依靠探头采集的数据和预先设定的温度场方程，计算机发出冷却机构和电弧功率和位置的控制信号并送到相应的执行机构，完成对炉内温度场的调节。本发明的效果和益处是依据本发明设计的电弧炉能够大幅度提高氧化镁晶体的产量和质量，同时提高了电能的利用率有效地降低了成本。另外，该技术也可用于生产其他高温晶体。
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公开(公告)号：CN1304649C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200510046477.4
申请日：2005-05-17
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明属于晶体制备装置技术领域，涉及到一种制备氧化镁单晶的电熔装置，特别涉及到一种制备氧化镁单晶的直流电弧炉。其特征是本发明电弧炉的炉壳为中间带有气隙的双层椭圆柱形结构，电弧加热系统由直流冶炼电源、电极升降系统以及两根垂直安装的石墨电极构成，整个炉体为立式结构。本发明的效果和益处是电弧炉能够大幅度提高氧化镁晶体的产量和质量，同时降低了对电网的冲击，提高了电能的利用率。另外，本发明也可适用于生产其他高温晶体。
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公开(公告)号：CN1265032C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200410021334.3
申请日：2004-03-02
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明属于材料科学与技术领域，涉及到晶体生长科学与技术，尤其是用菱镁矿石生长氧化镁晶体的方法。本发明的特征是用菱镁矿石为原料，以冷坩埚为炉体，先焙烧菱镁矿石，经选别制取三种轻烧氧化镁按比例混合，放入冷坩埚炉体中，采用三相交流电熔法加热，控制升温、恒温和降温曲线，即可获得象水晶一样晶莹剔透高雅大方的立方氧化镁晶体。本发明的效果和益处是其生长方法简单，易于掌握，工艺稳定，是新一代高科技产品。
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公开(公告)号：CN1632435A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410100460.8
申请日：2004-12-21
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明属于晶体制备装置技术领域，涉及到一种制备氧化镁晶体的电熔装置，特别涉及到一种制备氧化镁晶体的控温电弧炉。本发明通过对保温材料，水冷设备，感温探头和计算机控制技术的综合运用来产生适宜晶体生长的温度场。依靠探头采集的数据和预先设定的温度场方程，计算机发出冷却机构和电弧功率和位置的控制信号并送到相应的执行机构，完成对炉内温度场的调节。本发明的效果和益处是依据本发明设计的电弧炉能够大幅度提高氧化镁晶体的产量和质量，同时提高了电能的利用率有效地降低了成本。另外，该技术也可用于生产其他高温晶体。
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公开(公告)号：CN1721588A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510046477.4
申请日：2005-05-17
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明属于晶体制备装置技术领域，涉及到一种制备氧化镁单晶的电熔装置，特别涉及到一种制备氧化镁单晶的直流电弧炉。其特征是本发明电弧炉的炉壳为中间带有气隙的双层椭圆柱形结构，电弧加热系统由直流冶炼电源、电极升降系统以及两根垂直安装的石墨电极构成，整个炉体为立式结构。本发明的效果和益处是电弧炉能够大幅度提高氧化镁晶体的产量和质量，同时降低了对电网的冲击，提高了电能的利用率。另外，本发明也可适用于生产其他高温晶体。
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公开(公告)号：CN1664176A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200410100459.5
申请日：2004-12-21
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明属于材料科学与技术领域，涉及到金属氧化物晶体制备方法，特别涉及到一种用控温电弧炉制备氧化镁晶体的方法。以申请人的发明申请《一种制备氧化镁晶体的控温电弧炉》中公布的电弧炉为实施基础，以从感温设备得到的数据和预设的温度场方程计算得到的炉内温度状态作为进行电弧和冷却设备操作的依据，通过电弧和冷却设备的配合工作在炉中形成适宜晶体生长的温度场。本发明的效果和益处是，提出的氧化镁晶体制备方法可以提供适宜的晶体生长环境，大幅度提高氧化镁晶体的产量和质量，有效的节省了能源，显著地降低了成本。另外，该技术也可以用来生长其他高温晶体。
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