通用神经系统芯片
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109576155A

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201811547447.5

    申请日:2018-12-18

    IPC分类号: C12M3/00 C12M1/00

    摘要: 本发明提供了一种通用神经系统芯片,该芯片系统主要由六个独立的神经血管单元组成,每个神经血管单元包括上层血脑屏障腔室、下层神经腔室、多孔膜、上层进样口、上层出样口、下层进样口和下层出样口。血脑屏障腔室上液面可集成TEER微电极阵列及光/声信号输入、输出器件,液间或底面可集成分子氧/葡萄糖/pH等微纳监控器件;上层芯片腔室底面可集成过氧化氢传感器微电极阵列等;下层芯片神经腔室液面、液间可集成TEER微电极阵列、分子氧/葡萄糖/pH等微纳监控器件,底面可集成过氧化氢传感器微电极阵列、电位传感器微电极阵列等。六个神经血管单元通过矩形漏斗微槽和环形漏斗微槽进行连接。本发明具备多细胞共培养能力,并通过多孔膜和微槽的设计可实现多细胞间的信息交流,模拟人体全身神经系统;通过不同的微纳器件集成可广泛实现相关研究与应用的信息采集与监控。

    一种增强型TL-TCAM查表型硬件搜索引擎

    公开(公告)号:CN114496034A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202111640569.0

    申请日:2021-12-29

    发明人: 张建伟

    IPC分类号: G11C15/04

    摘要: 一种增强型TL‑TCAM查表型硬件搜索引擎,每个字电路包括多个增强型TL‑TCAM单元电路,增强型TL‑TCAM单元电路包括四个存储单元和十三个N型晶体管;存储单元MC采用双稳态电路结构,存储值位于存储单元MC的T端,存储单元MC的F端为其“非”值,m个增强型TL‑TCAM单元电路并行连接在一起组成子段电路,m为正整数,子段电路中每个增强型TL‑TCAM单元电路的字线WL、匹配线ML、ML_x各自分别短接在一起,匹配线ML与N型晶体管N15的漏极相连,ML_x与N型晶体管N15的栅极相连,N型晶体管N15的源极接地,ML_x与N型晶体管N14的漏极相连,N型晶体管N14的源极接地,N型晶体管N14的栅极与信号线OneX_in‑Sement_b相连,多个子段电路并行连接组成一个字电路。本发明具有晶体管数少、搜索速度高、功耗低等优点。

    TMR_5DFF结构的三模冗余抗辐照加固单元电路及其应用

    公开(公告)号:CN111082797B

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN201911086132.X

    申请日:2019-11-08

    IPC分类号: H03K19/003

    摘要: TMR_5DFF结构的三模冗余抗辐照加固单元电路及其应用,属于集成电路领域,用于解决增强型时空三模冗余在时钟下降沿附近前后两级锁存器会同时导通,造成输出错误的问题,要点是包括三组冗余模块和一个表决器,第一组冗余模块包括D触发器U00、D触发器U01;第二组冗余模块包括D触发器U10、D触发器U11;第三组冗余模块包括D触发器U2,效果是避免EST_TMR出现的LATCH同时导通的情况发生。

    TMR_5DFF结构的三模冗余抗辐照加固单元电路及其应用

    公开(公告)号:CN111082797A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201911086132.X

    申请日:2019-11-08

    IPC分类号: H03K19/003

    摘要: TMR_5DFF结构的三模冗余抗辐照加固单元电路及其应用,属于集成电路领域,用于解决增强型时空三模冗余在时钟下降沿附近前后两级锁存器会同时导通,造成输出错误的问题,要点是包括三组冗余模块和一个表决器,第一组冗余模块包括D触发器U00、D触发器U01;第二组冗余模块包括D触发器U10、D触发器U11;第三组冗余模块包括D触发器U2,效果是避免EST_TMR出现的LATCH同时导通的情况发生。