-
公开(公告)号：CN115591272B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211323659.1
申请日：2022-10-27
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及电子前驱体纯化领域，尤其涉及硅基前驱体的提纯方法及提纯系统，所述方法，包括以下步骤：（S.1）将吸附剂分散于离子液体中，得到吸附浆料；（S.2）将工业级硅基前驱体溶于吸附浆料中，使得工业级硅基前驱体与吸附剂相接触，从而使得工业级硅基前驱体中的金属离子杂质被吸附剂所吸附；（S.3）吸附结束后，对粗品硅基前驱体进行精馏，去除硅基前驱体中的轻组分以及重组分，得到电子级硅基前驱体。本发明通过改变硅基前驱体在提纯过程中的环境，有效将硅基前驱体与混杂在其中的金属离子杂质分离，从而有利于对于金属离子杂质的吸附，同时通过多种手段联用，提升了对于金属离子杂质的物理或化学吸附效果。
-
公开(公告)号：CN115591272A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211323659.1
申请日：2022-10-27
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司(CN)
摘要： 本发明涉及电子前驱体纯化领域，尤其涉及硅基前驱体的提纯方法及提纯系统，所述方法，包括以下步骤：（S.1）将吸附剂分散于离子液体中，得到吸附浆料；（S.2）将工业级硅基前驱体溶于吸附浆料中，使得工业级硅基前驱体与吸附剂相接触，从而使得工业级硅基前驱体中的金属离子杂质被吸附剂所吸附；（S.3）吸附结束后，对粗品硅基前驱体进行精馏，去除硅基前驱体中的轻组分以及重组分，得到电子级硅基前驱体。本发明通过改变硅基前驱体在提纯过程中的环境，有效将硅基前驱体与混杂在其中的金属离子杂质分离，从而有利于对于金属离子杂质的吸附，同时通过多种手段联用，提升了对于金属离子杂质的物理或化学吸附效果。
-
公开(公告)号：CN117658762B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410137106.X
申请日：2024-02-01
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及电子特气提纯领域，尤其涉及电子级乙炔气体提纯方法，所述方法包括将乙炔原料气通入到装载有吸附组合物的吸附罐中的一级吸附除杂步骤以及与分子筛吸附剂接触的二级吸附除杂步骤，经过二级吸附除杂后的乙炔气通过压缩机压入已经充装吸附溶剂的钢瓶内。本发明通过对乙炔气体的选择性溶解以及解吸，从而实现乙炔气体以及杂质气体之间的选择性分离。并且通过一级吸附除杂以及二级吸附除杂两个步骤的联用，有效实现高效的乙炔气体提纯和充装，从而有效提高生产效率。
-
公开(公告)号：CN117658762A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202410137106.X
申请日：2024-02-01
申请人： 大连科利德光电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及电子特气提纯领域，尤其涉及电子级乙炔气体提纯方法，所述方法包括将乙炔原料气通入到装载有吸附组合物的吸附罐中的一级吸附除杂步骤以及与分子筛吸附剂接触的二级吸附除杂步骤，经过二级吸附除杂后的乙炔气通过压缩机压入已经充装吸附溶剂的钢瓶内。本发明通过对乙炔气体的选择性溶解以及解吸，从而实现乙炔气体以及杂质气体之间的选择性分离。并且通过一级吸附除杂以及二级吸附除杂两个步骤的联用，有效实现高效的乙炔气体提纯和充装，从而有效提高生产效率。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.042 秒)
