公开(公告)号：CN117735557A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311750938.0

申请日：2023-12-19

申请人： 大连科利德光电子材料有限公司

发明人： 赵毅 ,  阮树堃 ,  于洪涛 ,  祁睿锐 ,  刘颖

IPC分类号： C01B33/107 ,  D01F6/94 ,  D01F1/10 ,  B01D67/00 ,  B01D71/64 ,  B01D71/02

摘要： 本发明涉及电子前驱体提纯领域，尤其涉及二碘硅烷的提纯方法，所述提纯方法包括以下步骤：（S.1）去除精馏纯化器中残留的空气；（S.2）将粗品二碘硅烷置于精馏纯化器中，逐渐降低精馏纯化器的温度至二碘硅烷的凝固临界温度，并在搅拌条件下向粗品二碘硅烷中持续通入携带气体；（S.3）进一步降低精馏纯化器的温度使得二碘硅烷凝固，同时对精馏纯化器内部进行减压处理，从而除去低沸点杂质；（S.4）对二碘硅烷进行精馏处理，收集馏分得到电子级二碘硅烷。本申请中通过在精馏过程中通过精准降低精馏纯化器中的温度至二碘硅烷的凝固临界温度以及凝固点以下的温度，从而能够有效降低粗品二碘硅烷中的低沸点杂质含量，最终制备得到电子级二碘硅烷。