公开(公告)号：CN117735557A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311750938.0

申请日：2023-12-19

申请人： 大连科利德光电子材料有限公司

发明人： 赵毅 ,  阮树堃 ,  于洪涛 ,  祁睿锐 ,  刘颖

IPC分类号： C01B33/107 ,  D01F6/94 ,  D01F1/10 ,  B01D67/00 ,  B01D71/64 ,  B01D71/02

摘要： 本发明涉及电子前驱体提纯领域，尤其涉及二碘硅烷的提纯方法，所述提纯方法包括以下步骤：（S.1）去除精馏纯化器中残留的空气；（S.2）将粗品二碘硅烷置于精馏纯化器中，逐渐降低精馏纯化器的温度至二碘硅烷的凝固临界温度，并在搅拌条件下向粗品二碘硅烷中持续通入携带气体；（S.3）进一步降低精馏纯化器的温度使得二碘硅烷凝固，同时对精馏纯化器内部进行减压处理，从而除去低沸点杂质；（S.4）对二碘硅烷进行精馏处理，收集馏分得到电子级二碘硅烷。本申请中通过在精馏过程中通过精准降低精馏纯化器中的温度至二碘硅烷的凝固临界温度以及凝固点以下的温度，从而能够有效降低粗品二碘硅烷中的低沸点杂质含量，最终制备得到电子级二碘硅烷。

公开(公告)号：CN118221718A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410320088.9

申请日：2024-03-20

申请人： 大连科利德光电子材料有限公司

发明人： 裴凯 ,  王长军 ,  刘颖 ,  阮树堃 ,  石琳

IPC分类号： C07F7/10

摘要： 本发明涉及电子特气领域，尤其涉及一种氨基硅烷的提纯方法，所述方法包括以下步骤：(S.1)提供一个精馏塔，所述精馏塔包括塔釜以及精馏柱，所述塔釜内部装载有吸附剂，所述精馏柱内部填充有吸附填料；所述吸附剂中包含有金属氧化物以及包含有羰基的阴离子聚合物；(S.2)将粗品氨基硅烷加入到塔釜内部，使得粗品氨基硅烷与塔釜中的吸附剂接触；(S.3)提升塔釜温度，使得氨基硅烷回流与精馏柱中的吸附填料接触，收集从精馏柱中流出的馏分，得到电子级氨基硅烷。本发明中的提纯方法采用了吸附剂和精馏的组合方式，通过吸附剂去除粗品氨基硅烷中的杂质，然后通过精馏进一步提纯。这种组合方式可以有效去除氨基硅烷中的杂质，提高纯度。