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公开(公告)号:CN111640814B
公开(公告)日:2022-05-20
申请号:CN202010506695.6
申请日:2020-06-05
申请人: 天津三安光电有限公司
IPC分类号: H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要: 本发明公开了一种太阳电池结构及其制备方法,所述电池结构包括:支撑衬底,包括第一表面和与第一表面相对的第二表面;下电极,设置于支撑衬底的第一表面之上;键合金属层,设置在支撑衬底的第二表面之上;外延叠层,设置于键合金属层之上;上电极,设置于外延层之上;所述电池结构存在因键合不牢固,外延层脱落而导致键合金属层裸露的爆点;其特征在于:还包含绝缘保护层,位于所述爆点区域之上。采用本发明中的太阳电池结构,可有效解决爆点导致太阳电池漏电或者短路的问题,保持爆点区域次栅线的连贯性,提高光生电流收集能力,从而有效提高大面积太阳电池产品良率。
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公开(公告)号:CN105336749B
公开(公告)日:2018-05-08
申请号:CN201510659925.1
申请日:2015-10-14
申请人: 天津三安光电有限公司
IPC分类号: H01L27/142 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/048 , H01L31/0443 , H01L31/068 , H01L21/82
CPC分类号: H01L31/0443 , H01L21/82 , H01L27/1421 , H01L31/0224 , H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/0445 , H01L31/048 , H01L31/0687 , H01L31/1892 , H01L31/1896 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要: 本发明公开集成旁路二极管的倒装多结太阳电池芯片及其制备方法,自上而下包含:玻璃盖片;透明粘接层;正面电极;n/p光电转换层;p/n隧穿结;n/p旁路二极管结构层,其p型层被部分蚀刻,露出部分n型层;第一背面电极,覆盖但不超出所述的旁路二极管p型层;第二背面电极,覆盖但不超出露出的旁路二极管n型层;所述太阳电池芯片包括至少一通孔,其贯穿所述n/p光电转换层、p/n隧穿结、n/p旁路二极管结构层,通孔内壁沉积电绝缘层,通孔内填充金属,连接所述的正面电极与第一背面电极。本发明不占用电池芯片有效受光面积,实现了无衬底超薄电池,大幅改善电池散热,同时由于极轻的重量使得其在空间电源应用中具备突出优势。
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公开(公告)号:CN104091849B
公开(公告)日:2017-01-18
申请号:CN201410368077.4
申请日:2014-07-29
申请人: 天津三安光电有限公司
IPC分类号: H01L31/0725 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号: H01L31/0352 , H01L31/0725 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要: 本发明提供一种多结太阳能电池,至少包括一底子电池和一位于所述底电池之上的顶子电池,所述顶子电池仅形成于所述底子电池的部分表面上以减少顶子电池的受光面积,当光线入射至该多结太阳能电池时,部分光线直接由顶子电池下面的其余子电池吸收,降低所述顶子电池的电流。
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公开(公告)号:CN104022176B
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201410285057.0
申请日:2014-06-24
申请人: 天津三安光电有限公司
IPC分类号: H01L31/0735 , H01L31/18
CPC分类号: H01L31/1844 , H01L31/0203 , H01L31/02966 , H01L31/0687 , H01L31/1852 , Y02E10/544
摘要: 本发明提供一种高效四结太阳能电池及其制备方法,其制备方法包括步骤:外延生长第一外延和第二外延结构:使用正装外延技术,在一第一衬底上形成第一外延结构,同时在一第二衬底上形成第二外延结构,其中第一外延结构为在所述第一衬底上依次形成第一子电池、第二子电池和覆盖层;第二外延结构为在所述第二衬底上依次形成第三子电池和第四子电池;形成沟槽并形成键合金属层:在第一外延结构的覆盖层表面与第二外延结构的衬底背面形成沟槽,在所述沟槽内沉积一键合金属层;接合所述第一外延结构和第二外延结构:将第一外延结构的覆盖层表面与第二外延结构的衬底背面贴合,同时保证键合金属层之间彼此对准,经过高温高压处理,实现键合金属层之间和半导体与半导体之间的双重键合,从而形成高效四结太阳能电池。
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公开(公告)号:CN109950351B
公开(公告)日:2021-04-09
申请号:CN201910209960.1
申请日:2019-03-19
申请人: 天津三安光电有限公司
IPC分类号: H01L31/05 , H01L31/18 , H01L31/0224
摘要: 本发明提供一种可弯折柔性太阳电池及其制备方法,其中结构至少包括:一柔性基板;在柔性基板上一分离式太阳电池,分离式太阳电池包括多个电池子单元,其中分离式太阳电池中的电池子单元的两侧包括金属电极进行连接,其中至少一侧的电池子单元之间的金属电极是弯曲的。本发明所涉及的柔性太阳电池是可以弯折的,具有极小的曲率半径,非常适合应用于可穿戴式装备等领域。
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公开(公告)号:CN109950351A
公开(公告)日:2019-06-28
申请号:CN201910209960.1
申请日:2019-03-19
申请人: 天津三安光电有限公司
摘要: 本发明提供一种可弯折柔性太阳电池及其制备方法,其中结构至少包括:一柔性基板;在柔性基板上一分离式太阳电池,分离式太阳电池包括多个电池子单元,其中分离式太阳电池中的电池子单元的两侧包括金属电极进行连接,其中至少一侧的电池子单元之间的金属电极是弯曲的。本发明所涉及的柔性太阳电池是可以弯折的,具有极小的曲率半径,非常适合应用于可穿戴式装备等领域。
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公开(公告)号:CN107611232A
公开(公告)日:2018-01-19
申请号:CN201710718131.7
申请日:2017-08-21
申请人: 天津三安光电有限公司
摘要: 本发明公开了发光二极管及其制作方法。该发光二极管依次包括第一发光二极管外延层、光转换层、键合层和第二发光二极管外延层。在一些实施例中,所述键合层为带通键合层,所述光转换层能被第一发光二极管外延层发出的光激发,通过带通键合层后,出射的光与第二发光二极管外延层发出的光光谱重合,从而在相同电流下,额外增加了一部分与第二发光二极管外延层发出的光光谱重合的光线,使发光二极管的亮度得到极大增强。
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公开(公告)号:CN104393070B
公开(公告)日:2017-01-11
申请号:CN201410754858.7
申请日:2014-12-11
申请人: 天津三安光电有限公司
IPC分类号: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号: Y02P70/521
摘要: 本发明提供一种太阳能电池及其制备方法,其中所述太阳能电池,包括:基板、设置在该基板上的太阳能电池半导体层和设置在所述太阳能电池半导体层上表面的欧姆电极,所述欧姆电极包含主栅部和分支部,其特征在于:所述太阳能电池半导体层划分为功能区和非功能区,所述功能区仅形成在与所述主栅部俯视不重叠的区域。在一些实施例中,在所述太阳能电池半导体层之所述主栅部俯视重叠的区域之中设置电流阻隔层,阻碍光生电流向主栅部下方的太阳能电池半导体层扩散,有效减小太阳能电池自身等效并联电阻。
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公开(公告)号:CN105720126A
公开(公告)日:2016-06-29
申请号:CN201610267703.X
申请日:2016-04-27
申请人: 天津三安光电有限公司
IPC分类号: H01L31/0687 , H01L31/18
CPC分类号: H01L31/0687 , H01L31/18 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要: 本发明公开一种倒装四结太阳能电池结构及其制备方法,首先利用MOCVD或是MBE在GaAs衬底上依次形成GaInP子电池和GaAs子电池,然后再利用UHVCVD生长SiGeSn子电池和SiGe子电池。这种电池结构具有良好的电流匹配和晶格匹配,能获得高的晶体质量和电池效率。
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公开(公告)号:CN105336749A
公开(公告)日:2016-02-17
申请号:CN201510659925.1
申请日:2015-10-14
申请人: 天津三安光电有限公司
IPC分类号: H01L27/142 , H01L31/0224 , H01L21/82
CPC分类号: H01L31/0443 , H01L21/82 , H01L27/1421 , H01L31/0224 , H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/0445 , H01L31/048 , H01L31/0687 , H01L31/1892 , H01L31/1896 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要: 本发明公开集成旁路二极管的倒装多结太阳电池芯片及其制备方法,自上而下包含:玻璃盖片;透明粘接层;正面电极;n/p光电转换层;p/n隧穿结;n/p旁路二极管结构层,其p型层被部分蚀刻,露出部分n型层;第一背面电极,覆盖但不超出所述的旁路二极管p型层;第二背面电极,覆盖但不超出露出的旁路二极管n型层;所述太阳电池芯片包括至少一通孔,其贯穿所述n/p光电转换层、p/n隧穿结、n/p旁路二极管结构层,通孔内壁沉积电绝缘层,通孔内填充金属,连接所述的正面电极与第一背面电极。本发明不占用电池芯片有效受光面积,实现了无衬底超薄电池,大幅改善电池散热,同时由于极轻的重量使得其在空间电源应用中具备突出优势。
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