公开(公告)号：CN108511198B

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201810402955.8

申请日：2018-04-28

申请人： 天津大学

发明人： 邹吉军 ,  孔德超 ,  潘伦 ,  张香文 ,  王莅

IPC分类号： H01G9/20 ,  H01G9/042

摘要： 本发明公开了一种Ni掺杂的BiVO4薄膜光电阳极，在电极本体上有一层Ni掺杂的BiVO4纳米颗粒构成的薄膜。本发明还公开了所述Ni掺杂的BiVO4薄膜光电阳极的制备方法及用于光电化学分解水的用途。

公开(公告)号：CN108511198A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810402955.8

申请日：2018-04-28

申请人： 天津大学

发明人： 邹吉军 ,  孔德超 ,  潘伦 ,  张香文 ,  王莅

IPC分类号： H01G9/20 ,  H01G9/042

摘要： 本发明公开了一种Ni掺杂的BiVO4薄膜光电阳极，在电极本体上有一层Ni掺杂的BiVO4纳米颗粒构成的薄膜。本发明还公开了所述Ni掺杂的BiVO4薄膜光电阳极的制备方法及用于光电化学分解水的用途。