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公开(公告)号：CN103964847B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201410165957.1
申请日：2014-04-23
申请人： 天津大学
IPC分类号： H01B3/12 , C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种片式多层陶瓷电容器用低损耗微波介质陶瓷材料，其化学式为Zn3(Nb0.8Ta0.2)2O8，采用化学原料ZnO、Nb2O5、Ta2O5，于900℃煅烧合成前驱体，于1100～1180℃烧结。本发明通过使用Ta5+对Nb5+进行了少量取代，有效提高了其品质因数(60,823～98,700GHz)，其烧结温度为：1100～1180℃，介电常数为20～24，谐振频率温度系数为-40～-37×10-6/℃。此外，本发明制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103951429B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201410166373.6
申请日：2014-04-23
申请人： 天津大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/63 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种低温烧结低损耗微波介质陶瓷材料，其化学式为Ni0.04Zn0.96TiNb2O8+(1～4)wt％B2O3，采用化学原料ZnO、NiO、Nb2O5和TiO2，于900～940℃烧结。本发明在ZnTiNb2O8系陶瓷的基础上，使用B2O3做为烧结助剂，提供一种低温烧结的低损耗微波介质陶瓷材料及其制备方法，并同时保持了相对较好的介电性能。其烧结温度为900～940℃，介电常数为30～36，品质因数为32,100～39,500GHz，谐振频率温度系数为-32～-39×10-6/℃。此外，本发明的制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN107666290A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710897087.0
申请日：2017-09-28
申请人： 天津大学
CPC分类号： H03F1/483 , H03F1/565 , H03F3/082 , H03F3/45179 , H03F2203/45028 , H03F2203/45148 , H03F2203/45151
摘要： 一种基于CMOS工艺的新型宽带跨阻放大器，包括有第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，所述第一晶体管的漏极构成输出端Vout，所述漏极还通过第一电阻连接电源VDD，所述第一晶体管的栅极分别连接第二电阻的一端以及第三晶体管的漏极，第二电阻的另一端连接电源VDD，第三晶体管的栅极连接外部偏置电压V3，第三晶体管的源极通过第二电感连接第二晶体管的漏极，第二晶体管的源极接地，栅极分别连接第一晶体管的源极、第一电感的一端以及第三电阻的一端，所述第三电阻的另一端接地，所述第一电感的另一端分别连接前级输入信号和等效电容的一端，所述前级输入信号和等效电容的另一端接地。本发明具有集成度高、成本低、易于大规模生产等优点。
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公开(公告)号：CN103951427B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201410165958.6
申请日：2014-04-23
申请人： 天津大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种片式多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料，其化学式为Zn0.96Ni0.04Zr0.05Ti0.95Nb2O8，采用化学原料ZnO、NiO、Nb2O5、TiO2和ZrO2，于880℃煅烧合成前驱体，于1060～1140℃烧结。本发明通过使用Ni2+和Zr4+对Zn2+及Ti4+进行了少量取代，有效提高了其品质因数(59,010～68700GHz)，其烧结温度为1060～1140℃，介电常数为34～38，谐振频率温度系数为-41～-35×10-6/℃。本发明的制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103951430B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201410166374.0
申请日：2014-04-23
申请人： 天津大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种低温烧结铌酸盐高品质因数微波介质陶瓷材料，其化学式为Ni0.04Zn0.96TiNb2O8+(1-4)wt％CuO，采用化学原料ZnO、NiO、Nb2O5、TiO2和CuO，于850℃煅烧合成前驱体，于900～940℃烧结。本发明从LTCC低温共烧的角度出发，在Ni0.04Zn0.96TiNb2O8体系中通过掺杂少量的低熔点烧结助剂CuO，在降低烧结温度的同时保持优异的微波性能；其介电常数为30～34，品质因数为27,800～41,500GHz，谐振频率温度系数为-35～-41×10-6/℃。制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103864426B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201410027661.3
申请日：2014-01-21
申请人： 天津大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种中温烧结温度稳定型微波介质陶瓷材料，其化学式为：0.4Zn0.8Mg0.2ZrNb2O8-0.6TiO2；先将ZnO、MgO、ZrO2、Nb2O5和TiO2分别按化学计量比称量配料；球磨、烘干、过筛后于850℃煅烧，合成前驱体；再压力压成为坯体，于1040～1120℃烧结，制成温度稳定型微波介质陶瓷材料。本发明的介电常数为45～48，品质因数为40,421～43,935GHz，谐振频率温度系数为-13.7～5.5×10-6/℃。制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103936419A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410165956.7
申请日：2014-04-23
申请人： 天津大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种高品质因数温度稳定型微波介质陶瓷材料，其化学式为Zn0.5Mg0.5ZrNb2O8，采用化学原料ZnO、MgO、ZrO2和Nb2O5，于900℃煅烧合成前驱体，于1180～1240℃烧结。本发明使用Mg2+离子对Zn2+离子进行取代，通过提高有序度和堆积密度等手段改善了材料的品质因数和频率温度系数；其烧结温度为1100～1180℃，介电常数为20～24，品质因数为60,823～98,700GHz，谐振频率温度系数为-40～-37×10-6/℃。本发明工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN107659277B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201710893310.4
申请日：2017-09-28
申请人： 天津大学
摘要： 一种用于GaN功率器件的双频宽带功率放大器匹配电路，包括：相串联的匹配变换模块和基波匹配模块，以及输出端连接在所述匹配变换模块的输出端和基波匹配模块的输入端的用于将二次谐波的短路状态转化为短路状态的二次谐波电抗匹配网络，其中，所述匹配变换模块的输入端连接晶体管封装输出端，所述基波匹配模块的输出端连接负载。本发明的一种用于GaN功率器件的双频宽带功率放大器匹配电路，通过合理的设计各个模块的结构，可同时实现两个频带的阻抗匹配，从而实现同时工作在双频带的要求；本发明通过合理的设计基波匹配网络，使放大器的两个频带具有较宽的工作带宽；该匹配电路结构简单，易于实现，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN107579717A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710902063.X
申请日：2017-09-28
申请人： 天津大学
摘要： 一种用于GaN功率器件的双频带高效率功率放大器匹配电路，包括：相串联的匹配变换模块和基波匹配模块，以及输出端连接在所述匹配变换模块的输出端和基波匹配模块的输入端之间的二次谐波电抗匹配网络，其中，所述匹配变换模块的输入端连接晶体管封装输出端，所述基波匹配模块的输出端连接负载，所述二次谐波电抗匹配网络是由用于将二次谐波的短路状态转化为短路状态的第一二次谐波电抗匹配网络，和用于将二次谐波的开路状态转化为短路状态的第二二次谐波电抗匹配网络。本发明匹配电路结构简单，易于实现，可同时实现两个频带的阻抗匹配，从而实现同时工作在双频带的要求，使放大器具有较高的工作效率。
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公开(公告)号：CN106487345A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610879326.5
申请日：2016-10-08
申请人： 天津大学
摘要： 一种工作于915MHz的线性化可变增益功率放大器，包括依次串联连接的共源共栅结构的驱动级电路和共源共栅结构的功率级电路，其中，所述的驱动级电路的输入端分别连接外部射频输入信号和栅极有源偏置电路，所述功率级电路的输入端还连接线性化栅极偏置电路，所述功率级电路的输出端连接负载。本发明的一种工作于915MHz的线性化可变增益功率放大器，驱动级采用三个并联的共源共栅结构，通过转换共栅级的栅极电压开关，实现了可调的增益和输出功率。并且通过栅极偏置结构，不仅可以得到稳定电压，更加可以获得电容补偿，提高输出信号的线性度。
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