一种全四族硅基C波段半导体激光器

    公开(公告)号:CN110429474B

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN201910704486.X

    申请日:2019-07-31

    IPC分类号: H01S5/34 H01S5/22 H01S5/042

    摘要: 一种全四族硅基C波段半导体激光器,包括有硅衬底,所述硅衬底上并排设置有构成外接负电源引入端口的侧边负电极和N型掺杂硅体材料区,所述N型掺杂硅体材料区上设置有三层Ge/Si量子阱,所述三层Ge/Si量子阱上设置有脊型波导结构,所述脊型波导结构上面设置有相连接的构成外接正电源引入端口的上边正电极。本发明的一种全四族硅基C波段半导体激光器,解决了目前在硅基光电子集成领域光源与硅基CMOS工艺不兼容的问题。由全四族元素构成的半导体激光器光源能够实现在硅片上直接生长光源,免去了传统键合光源步骤,可以降低光电子集成的制作难度和成本。本发明的全四族硅基C波段半导体激光器能在室温下进行工作。

    一种自动化提取心电节拍的特征提取和分类方法

    公开(公告)号:CN110432891A

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201910696876.7

    申请日:2019-07-30

    IPC分类号: A61B5/0402

    摘要: 一种自动化提取心电节拍的特征提取和分类方法,包括,对可穿戴设备采集的心电信号进行预处理,对预处理后的心电信号进行自动定位,截取1000点心电数据,对所述的1000点心电数据进行非线性特征的提取和频域统计特征的提取,并对提取的非线性特征和频域统计特征进行特征融合,通过利用网格搜索方法优化后的支持向量机对融合特征进行分类。本发明避免了杂乱信号影响最终分类结果的问题;避免单一特征影响特征提取的准确率问题;采用优化后的支持向量机作为本发明的分类器,提高了在小样本数据中对心电信号进行准确分类的可行性。本发明提高了可穿戴设备中心电数据提取的准确性,避免了心电特征不明显而导致分类准确率下降的问题。

    一种全四族硅基C波段半导体激光器

    公开(公告)号:CN110429474A

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201910704486.X

    申请日:2019-07-31

    IPC分类号: H01S5/34 H01S5/22 H01S5/042

    摘要: 一种全四族硅基C波段半导体激光器,包括有硅衬底,所述硅衬底上并排设置有构成外接负电源引入端口的侧边负电极和N型掺杂硅体材料区,所述N型掺杂硅体材料区上设置有三层Ge/Si量子阱,所述三层Ge/Si量子阱上设置有脊型波导结构,所述脊型波导结构上面设置有相连接的构成外接正电源引入端口的上边正电极。本发明的一种全四族硅基C波段半导体激光器,解决了目前在硅基光电子集成领域光源与硅基CMOS工艺不兼容的问题。由全四族元素构成的半导体激光器光源能够实现在硅片上直接生长光源,免去了传统键合光源步骤,可以降低光电子集成的制作难度和成本。本发明的全四族硅基C波段半导体激光器能在室温下进行工作。