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公开(公告)号：CN111370579B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202010243258.X
申请日：2020-03-31
申请人： 天津师范大学
摘要： 本发明提供了一种金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜的制备方法，包括以下步骤：先制备前驱体溶液，再将其涂覆在基底表面，之后向涂覆层加入反溶剂使材料析出，最后经过干燥制得金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜。本发明采用涂覆的方式将含有4’4‑联吡啶、铋源、卤化甲烷的前驱体溶液制成金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜，可大大缩短反应周期，仅需40～150s，且无需升温，操作方便简单，安全性高。此外，本发明制得的金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜色岛厚度在25～46nm之间，相邻微岛之间的区域厚度小于12nm。并且，测得该薄膜的铁电隧道结效应具有500的开关比，可翻转二极管效应具有300的开关比，40‑110的整流比。
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公开(公告)号：CN110885247B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201911317360.3
申请日：2019-12-19
申请人： 天津师范大学
IPC分类号： H01L41/187 , C04B35/465 , C04B35/622
摘要： 本发明提供了一种杂化非本征铁电体Ca3Ti2O7及其掺杂化合物在铁电存储器中的应用，涉及压电材料技术领域。本发明提供的杂化非本征铁电体Ca3Ti2O7及其掺杂化合物在铁电存储器中的应用，所述Ca3Ti2O7及其掺杂化合物具有负压电性。杂化非本征铁电体Ca3Ti2O7及其掺杂化合物具有负压电性，将其与正压电性材料结合后制作的铁电存储器的有效元件，具有无电场引起应力的优点，使器件整体不表现出压电效应，大大增强了器件的抗疲劳性，延长了铁电存储器的寿命。
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公开(公告)号：CN103811473B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410041726.X
申请日：2014-01-28
申请人： 天津师范大学
摘要： 本发明公开了一种多层膜结构的多场调控的阻变存储器及其制备的方法。该阻变存储器是由压电基板、导电下电极、铁电薄膜层、上电极薄膜层和门电极组成；其中所述的压电基板为PMN-PT单晶；所述的导电下电极为锰氧化物薄膜；所述的铁电薄膜层为BaTiO3或BiFeO3铁电薄膜；所述的上电极层和门电极是Pt、Au或Al导电薄膜。本发明的存储器的制备过程为，在压电基板上沉积导电下电极薄膜层，然后沉积铁电薄膜单层或异质结，最后再沉积上电极薄膜和门电极。该结构的存储器具有优异电致阻变效应，且利用压电基板构建的场效应结构，可动态地调节电致阻变，实现了存储器件电阻态的多场调控，可提高存储器设计灵活度，该发明将对提高我国数据存储器件的制造具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN110194780A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910402913.9
申请日：2019-05-15
申请人： 天津师范大学
摘要： 本发明公开了一种具有光电导效应的有机无机杂化材料晶体及其应用。该晶体结构，的分子式为C6H14N[SbI4]，其特征在于(C6H14N[SbI4]的空间群为P21/n，其晶胞参数为a=11.2855(6)Å，b=23.0415(11)Å，c=18.5034(9)Å；α=90°，β=91.1800(10)°，γ=90°。本发明进一步公开了C6H14N[SbI4]用于光电领域的用途，所述光电功能材料领域如光电探测器、太阳能电池等。
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公开(公告)号：CN103811473A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410041726.X
申请日：2014-01-28
申请人： 天津师范大学
摘要： 本发明公开了一种多层膜结构的多场调控的阻变存储器及其制备的方法。该阻变存储器是由压电基板、导电下电极、铁电薄膜层、上电极薄膜层和门电极组成；其中所述的压电基板为PMN-PT单晶；所述的导电下电极为锰氧化物薄膜；所述的铁电薄膜层为BaTiO3或BiFeO3铁电薄膜；所述的上电极层和门电极是Pt、Au或Al导电薄膜。本发明的存储器的制备过程为，在压电基板上沉积导电下电极薄膜层，然后沉积铁电薄膜单层或异质结，最后再沉积上电极薄膜和门电极。该结构的存储器具有优异电致阻变效应，且利用压电基板构建的场效应结构，可动态地调节电致阻变，实现了存储器件电阻态的多场调控，可提高存储器设计灵活度，该发明将对提高我国数据存储器件的制造具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN110194780B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201910402913.9
申请日：2019-05-15
申请人： 天津师范大学
摘要： 本发明公开了一种具有光电导效应的有机无机杂化材料晶体及其应用。该晶体结构，的分子式为C6H14N[SbI4]，其特征在于(C6H14N[SbI4]的空间群为P21/n，其晶胞参数为a=11.2855(6)Å，b=23.0415(11)Å，c=18.5034(9)Å；α=90°，β=91.1800(10)°，γ=90°。本发明进一步公开了C6H14N[SbI4]用于光电领域的用途，所述光电功能材料领域如光电探测器、太阳能电池等。
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公开(公告)号：CN110042472B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201910401070.0
申请日：2019-05-15
申请人： 天津师范大学
摘要： 本发明公开了一种具有光电导效应的基于金属元素Bi有机无机杂化材料晶体及其应用。有机无机杂化材料晶体的结构，其特征在于分子式为(C6H14N)2(CN)2[Bi2I9]，其空间群为Pnma，晶胞参数为a=16.465(5)Å,b=23.683(7)Å,c=11.549(3)Å；α=90°，β=90°，γ=90°。本发明公开了(C6H14N)2(CN)2[Bi2I9]具有光电导效应的金属有机无机杂化材料在光电领域中的应用；所述的光电领域指的是：激光、太阳能电池、光敏晶体管、光电探测器。
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公开(公告)号：CN111808139A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010709825.6
申请日：2020-07-22
申请人： 天津师范大学
摘要： 本发明提供了一种基于2-F-5甲基吡啶配体的金属有机无机杂化晶体，属于光电材料技术领域，其分子式为(C7H9NF)2[BiBr4]，空间群为P21/n，晶胞参数α＝90°；β＝109.462(2)°；γ＝90°。在本发明中，2-F-5甲基吡啶配体具有良好的缺电子特性，是一种理想的供电子接受体，与[BiBr4]2-杂化后，所得(C7H9NF)2[BiBr4]金属有机无机杂化晶体具有良好的光电效应，且在电流测试下具有特殊的光响应的性质，即加光之后光电导电阻反而增大，能用作激光报警器的光响应材料。
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公开(公告)号：CN111370579A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010243258.X
申请日：2020-03-31
申请人： 天津师范大学
摘要： 本发明提供了一种金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜的制备方法，包括以下步骤：先制备前驱体溶液，再将其涂覆在基底表面，之后向涂覆层加入反溶剂使材料析出，最后经过干燥制得金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜。本发明采用涂覆的方式将含有4’4-联吡啶、铋源、卤化甲烷的前驱体溶液制成金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜，可大大缩短反应周期，仅需40～150s，且无需升温，操作方便简单，安全性高。此外，本发明制得的金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜色岛厚度在25～46nm之间，相邻微岛之间的区域厚度小于12nm。并且，测得该薄膜的铁电隧道结效应具有500的开关比，可翻转二极管效应具有300的开关比，40-110的整流比。
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公开(公告)号：CN110042472A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910401070.0
申请日：2019-05-15
申请人： 天津师范大学
摘要： 本发明公开了一种具有光电导效应的基于金属元素Bi有机无机杂化材料晶体及其应用。有机无机杂化材料晶体的结构，其特征在于分子式为(C6H14N)2(CN)2[Bi2I9]，其空间群为Pnma，晶胞参数为a=16.465(5) Å,b=23.683(7) Å,c=11.549(3) Å；α=90°，β=90°，γ=90°。本发明公开了(C6H14N)2(CN)2[Bi2I9]具有光电导效应的金属有机无机杂化材料在光电领域中的应用；所述的光电领域指的是：激光、太阳能电池、光敏晶体管、光电探测器。
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