一种盐酸达泊西汀晶体及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN110903203B

    公开(公告)日:2022-11-18

    申请号:CN201811073107.3

    申请日:2018-09-14

    摘要: 本发明提供了一种盐酸达泊西汀晶体及制备方法和用途。本发明的盐酸达泊西汀晶体使用Cu‑Ka辐射,以2θ角度表示的X‑射线粉末衍射图谱在6.34±0.2、8.91±0.2、14.41±0.2、15.12±0.2、16.34±0.2、16.64±0.2、16.95±0.2、17.54±0.2、17.83±0.2、18.91±0.2、19.16±0.2、20.72±0.2、20.94±0.2、21.19±0.2、21.83±0.2、22.76±0.2、23.80±0.2、25.33±0.2、26.72±0.2、27.82±0.2、29.05±0.2、29.54±0.2、30.22±0.2、31.27±0.2、31.57±0.2、32.19±0.2、33.01±0.2、35.27±0.2、35.99±0.2、37.19±0.2、38.85±0.2处有特征峰。该晶体粒度小、溶出度好、稳定性好,纯度高,便于长期保存。本发明的合成方法简单、制备的晶体纯度高、适合工业化大规模生产。

    一种盐酸达泊西汀晶体及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN110903203A

    公开(公告)日:2020-03-24

    申请号:CN201811073107.3

    申请日:2018-09-14

    摘要: 本发明提供了一种盐酸达泊西汀晶体及制备方法和用途。本发明的盐酸达泊西汀晶体使用Cu-Ka辐射,以2θ角度表示的X-射线粉末衍射图谱在6.34±0.2、8.91±0.2、14.41±0.2、15.12±0.2、16.34±0.2、16.64±0.2、16.95±0.2、17.54±0.2、17.83±0.2、18.91±0.2、19.16±0.2、20.72±0.2、20.94±0.2、21.19±0.2、21.83±0.2、22.76±0.2、23.80±0.2、25.33±0.2、26.72±0.2、27.82±0.2、29.05±0.2、29.54±0.2、30.22±0.2、31.27±0.2、31.57±0.2、32.19±0.2、33.01±0.2、35.27±0.2、35.99±0.2、37.19±0.2、38.85±0.2处有特征峰。该晶体粒度小、溶出度好、稳定性好,纯度高,便于长期保存。本发明的合成方法简单、制备的晶体纯度高、适合工业化大规模生产。