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发明公开
一种MXene纳米片薄膜及其制备方法和应用审中-实审

公开(公告)号：CN115231833A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210847735.2

申请日：2022-07-19

申请人： 太原理工大学 , 山西浙大新材料与化工研究院

发明人： 苗艳勤 , 卢琦晴 , 赵敏 , 王国良 , 郭园园 , 王华

IPC分类号： C03C17/34 , H01L51/50 , C01B32/921

摘要： 本发明涉及一种MXene‑Ti3C2Tx纳米片薄膜，是将MXene‑Ti3C2Tx分散在分散介质中形成分散液，均匀涂覆于基底表面，经退火处理除去分散介质形成薄膜，再对薄膜表面进行紫外臭氧处理后得到的纳米片薄膜。本发明通过紫外臭氧处理对纳米片薄膜进行表面改性改善其功函数，提高薄膜的空穴注入能力，可以作为空穴注入层材料，应用于OLEDs的制备中。