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公开(公告)号：CN102422394B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201080021046.1
申请日：2010-03-16
申请人： 奥塔装置公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L31/18 , H05H1/34
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/4557 , C23C16/4583 , C23C16/54
摘要： 本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置。在一个实施方案中，提供用于气相沉积的反应器盖子组件，包括被布置在盖子支撑件上邻近彼此的第一淋喷头组件和隔离器组件，以及被布置在盖子支撑件上邻近彼此的第二淋喷头组件和排气组件，其中隔离器组件被布置在第一淋喷头组件和第二淋喷头组件之间，并且第二淋喷头组件被布置在隔离器组件和排气组件之间。
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公开(公告)号：CN104962879A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510196727.6
申请日：2010-03-16
申请人： 奥塔装置公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54 , C23C16/44 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/4557 , C23C16/4583 , C23C16/54
摘要： 本发明涉及气相沉积反应器系统及其方法。本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置和方法。在一个实施方案中，CVD反应器具有反应器盖子组件，反应器盖子组件被布置在反应器体上并且包括被连贯地且线性地布置在盖子支撑件上邻近彼此的第一淋喷头组件、隔离器组件、第二淋喷头组件和排气组件。CVD反应器还包括被布置在反应器体的相对端上的第一面板和第二面板，其中第一淋喷头组件被布置在第一面板和隔离器组件之间并且排气组件被布置在第二淋喷头组件和第二面板之间。反应器体具有被布置在晶片承载器轨道上的晶片承载器，以及布置在晶片承载器轨道下方并且包括多个灯的灯组件，灯组件可以被用于加热被布置在晶片承载器上的晶片。
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公开(公告)号：CN102422392A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020750.5
申请日：2010-03-16
申请人： 奥塔装置公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01K7/00
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/4557 , C23C16/4583 , C23C16/54
摘要： 本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)的装置和方法。在一个实施方案中，提供用于CVD反应器系统的加热灯组件，加热灯组件包括灯壳体，灯壳体被布置在支撑基部的上表面上并且包括从第一灯保持器延伸至第二灯保持器的多个灯。灯可以具有分裂灯丝灯和/或非分裂灯丝灯，并且在某些实施例中，分裂灯丝灯和非分裂灯丝灯可以被交替地布置在第一灯保持器和第二灯保持器之间。反射器可以被在第一灯保持器和第二灯保持器之间布置在支撑基部的上表面上。在另一个实施方案中，方法包括将晶片承载器的下表面暴露于从加热灯组件放射的能量，并且将晶片承载器加热至预先确定的温度。
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公开(公告)号：CN102422407B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201080020492.0
申请日：2010-03-16
申请人： 奥塔装置公司
IPC分类号： H01L21/673 , B65G51/03 , B65G49/06 , B65G54/02 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/4557 , C23C16/4583 , C23C16/54
摘要： 本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置。在一个实施方案中，提供用于使晶片承载器在气相沉积反应器系统内漂浮和横移的晶片承载器轨道，晶片承载器轨道包括轨道组件的上部和下部，上部和下部具有在其之间形成的气体空腔。导向路径沿着上部的上表面并且在两个侧表面之间延伸，两个侧表面沿着导向路径并且在导向路径上方并且平行于彼此延伸。沿着导向路径的多个气体孔从上部的上表面延伸，穿过上部，并且进入气体空腔中。在某些实施例中，轨道组件的上部和下部可以独立地包括石英，并且在某些实施例中可以被熔合在一起。
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公开(公告)号：CN102422390A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020505.4
申请日：2010-03-16
申请人： 奥塔装置公司
IPC分类号： H01L21/205 , H05H1/34
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/4557 , C23C16/4583 , C23C16/54
摘要： 本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置和方法。在一个实施方案中，CVD反应器具有反应器盖子组件，反应器盖子组件被布置在反应器体上并且包括被连贯地且线性地布置在盖子支撑件上邻近彼此的第一淋喷头组件、隔离器组件、第二淋喷头组件和排气组件。CVD反应器还包括被布置在反应器体的相对端上的第一面板和第二面板，其中第一淋喷头组件被布置在第一面板和隔离器组件之间并且排气组件被布置在第二淋喷头组件和第二面板之间。反应器体具有被布置在晶片承载器轨道上的晶片承载器，以及被布置在晶片承载器轨道下方并且包括多个灯的灯组件，灯组件可以被用于加热被布置在晶片承载器上的晶片。
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公开(公告)号：CN102422392B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201080020750.5
申请日：2010-03-16
申请人： 奥塔装置公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01K7/00
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/4557 , C23C16/4583 , C23C16/54
摘要： 本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)的装置和方法。在一个实施方案中，提供用于CVD反应器系统的加热灯组件，加热灯组件包括灯壳体，灯壳体被布置在支撑基部的上表面上并且包括从第一灯保持器延伸至第二灯保持器的多个灯。灯可以具有分裂灯丝灯和/或非分裂灯丝灯，并且在某些实施例中，分裂灯丝灯和非分裂灯丝灯可以被交替地布置在第一灯保持器和第二灯保持器之间。反射器可以被在第一灯保持器和第二灯保持器之间布置在支撑基部的上表面上。在另一个实施方案中，方法包括将晶片承载器的下表面暴露于从加热灯组件放射的能量，并且将晶片承载器加热至预先确定的温度。
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公开(公告)号：CN102422394A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080021046.1
申请日：2010-03-16
申请人： 奥塔装置公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L31/18 , H05H1/34
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/4557 , C23C16/4583 , C23C16/54
摘要： 本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置。在一个实施方案中，提供用于气相沉积的反应器盖子组件，包括被布置在盖子支撑件上邻近彼此的第一淋喷头组件和隔离器组件，以及被布置在盖子支撑件上邻近彼此的第二淋喷头组件和排气组件，其中隔离器组件被布置在第一淋喷头组件和第二淋喷头组件之间，并且第二淋喷头组件被布置在隔离器组件和排气组件之间。
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公开(公告)号：CN102422390B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201080020505.4
申请日：2010-03-16
申请人： 奥塔装置公司
IPC分类号： H01L21/205 , H05H1/34
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/4557 , C23C16/4583 , C23C16/54
摘要： 本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置和方法。在一个实施方案中，CVD反应器具有反应器盖子组件，反应器盖子组件被布置在反应器体上并且包括被连贯地且线性地布置在盖子支撑件上邻近彼此的第一淋喷头组件、隔离器组件、第二淋喷头组件和排气组件。CVD反应器还包括被布置在反应器体的相对端上的第一面板和第二面板，其中第一淋喷头组件被布置在第一面板和隔离器组件之间并且排气组件被布置在第二淋喷头组件和第二面板之间。反应器体具有被布置在晶片承载器轨道上的晶片承载器，以及被布置在晶片承载器轨道下方并且包括多个灯的灯组件，灯组件可以被用于加热被布置在晶片承载器上的晶片。
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公开(公告)号：CN102422407A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020492.0
申请日：2010-03-16
申请人： 奥塔装置公司
IPC分类号： H01L21/673 , B65G51/03 , B65G49/06 , B65G54/02 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/4557 , C23C16/4583 , C23C16/54
摘要： 本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置。在一个实施方案中，提供用于使晶片承载器在气相沉积反应器系统内漂浮和横移的晶片承载器轨道，晶片承载器轨道包括轨道组件的上部和下部，上部和下部具有在其之间形成的气体空腔。导向路径沿着上部的上表面并且在两个侧表面之间延伸，两个侧表面沿着导向路径并且在导向路径上方并且平行于彼此延伸。沿着导向路径的多个气体孔从上部的上表面延伸，穿过上部，并且进入气体空腔中。在某些实施例中，轨道组件的上部和下部可以独立地包括石英，并且在某些实施例中可以被熔合在一起。
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公开(公告)号：CN102422393A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080021014.1
申请日：2010-03-16
申请人： 奥塔装置公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L31/18 , H05H1/34
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/4557 , C23C16/4583 , C23C16/54
摘要： 本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置。在一个实施方案中，提供淋喷头组件，包括主体，主体具有延伸穿过主体的上部分和下部分并且平行于主体的中心轴线延伸的中央通道。淋喷头组件包括具有第一多个孔并且被布置在中央通道内的可选择的扩散板；上管板，其具有第二多个孔并且被在扩散板下方布置在中央通道内；下管板，其具有第三多个孔并且被在上管板下方布置在中央通道内；以及多个管，其从上管板延伸至下管板。每个管被耦合于上管板和下管板的分别的孔并且与上管板和下管板的该分别的孔流体连通。
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