公开(公告)号：CN107699866A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201711132312.8

申请日：2017-11-15

申请人： 西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司

发明人： 张晰 ,  李建章 ,  王义洪 ,  王鹏 ,  姜伟光 ,  成来飞

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45512 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557

摘要： 本发明具体涉及一种应用于CVD/CVI沉积炉中改善流场均匀性的装置，主要解决现有CVD/CVI沉积过程中流场不均匀的问题。该装置包括壳体、缓冲隔板、底层挡板、气体缓冲区和气体预热分配区；壳体包括外层筒体和进气盖板，进气盖板设置在外层筒体的顶部；缓冲隔板设置在外层筒体的腔体内，底层挡板设置在外层筒体的底部；缓冲隔板将进气盖板和底层挡板之间的腔体分为两个区域，分别为气体缓冲区和气体预热分配区，缓冲隔板上设有若干由中心向圆周方向呈放射状分布且孔径逐渐增大的气孔，底层挡板上设有若干由中心向圆周方向呈放射状分布且孔径不变的气孔；本发明能够很好地控制进入沉积炉反应区气体的流动状态和均匀性，对沉积效果有明显改善。

公开(公告)号：CN104681464B

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201410421739.X

申请日：2014-08-25

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 西堂周平

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/22

CPC分类号： C23C16/46 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/4586 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/76877

摘要： 本发明提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法，即使在使用了缓冲空间的枚叶式装置中，也会抑制缓冲空间的副产物的产生。为了解决上述课题，提供一种衬底处理装置，具有：处理室，其具有载置部，该载置部具有供衬底载置的载置面；喷头，其具有缓冲室且设置在上述处理室的上游；气体供给系统，其经由上述喷头的缓冲室交替地向上述处理室供给至少两种气体；和加热部，其在从上述气体供给系统供给气体的期间，以第1温度对缓冲室进行加热，而且以比上述第1温度高的温度对上述处理室进行加热。

公开(公告)号：CN104246006B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201280072509.6

申请日：2012-07-11

申请人： 古河机械金属株式会社

发明人： 水田正志

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/303 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0262

摘要： 一种气相沉积装置(1)，包括：沉积腔(4)，用于在衬底上进行膜的沉积；源气体管(21)和(31)，用于供应源气体；传送单元(5)，用于在沉积腔(4)的内部传送衬底，使得在从源气体管(21)和(31)中任意一个的排气口供应源气体的同时，衬底交替处于以下两种状态：衬底位于面向用于供应源气体的排气口的沉积区域中的状态以及衬底位于除了沉积区域之外的其他区域中的状态；以及供应管(7)，用于向位于其他区域中的衬底S供应含有V族元素的气体。

公开(公告)号：CN102422394B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201080021046.1

申请日：2010-03-16

申请人： 奥塔装置公司

发明人： 何甘 ,  雷格·东克 ,  凯思德·索拉布吉 ,  罗杰·哈曼吉 ,  安德瑞斯·海吉杜斯

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L31/18 ,  H05H1/34

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/54

摘要： 本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置。在一个实施方案中，提供用于气相沉积的反应器盖子组件，包括被布置在盖子支撑件上邻近彼此的第一淋喷头组件和隔离器组件，以及被布置在盖子支撑件上邻近彼此的第二淋喷头组件和排气组件，其中隔离器组件被布置在第一淋喷头组件和第二淋喷头组件之间，并且第二淋喷头组件被布置在隔离器组件和排气组件之间。

公开(公告)号：CN104962879A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201510196727.6

申请日：2010-03-16

申请人： 奥塔装置公司

发明人： 何甘 ,  雷格·东克 ,  凯思德·索拉布吉 ,  罗杰·哈曼吉 ,  安德瑞斯·海吉杜斯

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/54 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/54

摘要： 本发明涉及气相沉积反应器系统及其方法。本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置和方法。在一个实施方案中，CVD反应器具有反应器盖子组件，反应器盖子组件被布置在反应器体上并且包括被连贯地且线性地布置在盖子支撑件上邻近彼此的第一淋喷头组件、隔离器组件、第二淋喷头组件和排气组件。CVD反应器还包括被布置在反应器体的相对端上的第一面板和第二面板，其中第一淋喷头组件被布置在第一面板和隔离器组件之间并且排气组件被布置在第二淋喷头组件和第二面板之间。反应器体具有被布置在晶片承载器轨道上的晶片承载器，以及布置在晶片承载器轨道下方并且包括多个灯的灯组件，灯组件可以被用于加热被布置在晶片承载器上的晶片。

公开(公告)号：CN104870687A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201380067246.4

申请日：2013-12-18

申请人： 吉列公司

发明人： A·V·朱克 ,  N·桑能伯格

IPC分类号： C23C16/455 ,  B05D1/00 ,  B26B21/60 ,  C23C16/46

CPC分类号： B05D1/60 ,  B05D5/083 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/463

摘要： 本发明提供了一种用于在结构体的表面上形成碳氟聚合物的方法。引导原料气体通过多孔加热构件，所述构件具有的温度足以裂解所述原料气体并产生位于邻近在其上形成碳氟聚合物的结构体表面的位置处的反应性物质，所述反应性物质包含(CF2)n基团，其中n＝1或2。保持结构体表面的温度低于多孔加热构件的温度，从而引起(CF2)n基团(其中n＝1或2)在结构体表面上的沉积和聚合。

公开(公告)号：CN104752163A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410412612.1

申请日：2014-08-20

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 佐佐木隆史 ,  山本哲夫

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： C23C16/4401 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/0262

摘要： 本发明涉及高效率地除去喷头内的副产物、并抑制颗粒生成的半导体器件的制造方法、程序及衬底处理装置。本发明的半导体器件的制造方法，具有：成膜工序，通过喷头向处理室内的衬底上供给成膜气体和非活性气体，在所述衬底上形成膜；和堆积膜除去工序，在所述处理室内没有衬底的状态下，将温度比所述成膜工序时供给的所述非活性气体低的非活性气体供给到所述喷头，由此除去因所述成膜工序而堆积在所述喷头内的堆积膜。

公开(公告)号：CN104737274A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380050065.0

申请日：2013-10-23

申请人： 应用材料公司

发明人： N·拉贾戈帕兰 ,  X·韩 ,  M·齐昂 ,  M·奥加塔 ,  Z·蒋 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  T·诺瓦克 ,  J·周 ,  R·萨卡拉克利施纳 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  A·班塞尔 ,  J·李 ,  T·伊根 ,  E·布迪亚托 ,  D·帕纳修克 ,  T·Y·李 ,  J·陈 ,  M·阿优伯 ,  H·L·朴 ,  P·赖利 ,  S·沙克 ,  金秉宪 ,  S·斯塔里克

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5096 ,  G01B11/0625 ,  G01B11/0683 ,  G01N21/55 ,  G01N21/658 ,  G01N2201/1222 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/687

摘要： 兹描述根据PECVD工艺来处理基板的设备和方法。调整基板的温度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。调整等离子体密度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。加热暴露于等离子体的腔室表面，以改善等离子体密度均匀性及减少腔室表面处低品质沉积物的形成。原位量测技术可用于监测沉积工艺的进行，及触发涉及基板温度分布、等离子体密度分布、压力、温度与反应物流量的控制动作。

公开(公告)号：CN102668026B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201080046511.7

申请日：2010-10-04

申请人： 韩商SNU精密股份有限公司

发明人： 朴昞慜 ,  孔斗源 ,  孙成官 ,  赵晃新 ,  郑成在 ,  朴喜载

IPC分类号： H01L21/677 ,  H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54

CPC分类号： H01L21/6776 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/54 ,  H01L21/6715

摘要： 本发明提供一种基板处理装置及一种基板处理方法，其能够防止基板受热并有效地收集残余沉积材料。该基板处理装置包括：一腔室单元，包括一内部空间，该内部空间被划分成一引入段、一薄膜形成段及一卸出段；至少一个材料喷嘴单元，设置于该腔室单元的该薄膜形成段中，用以喷射一沉积材料至所传送的一基板；以及一冷却板单元，设置成围绕该腔室单元的该薄膜形成段并适以冷却该薄膜形成段的内部。此外，该基板处理装置更包括至少一个冷阱单元，该至少一个冷阱单元设置于该材料喷嘴单元的一下部，用以收集由该材料喷嘴单元喷射的全部沉积材料中未沉积于基板上而遗留的残余沉积材料。

公开(公告)号：CN102892922A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201080065504.1

申请日：2010-03-17

申请人： 应用材料公司

发明人： 安纳马莱·拉克师马纳 ,  方俊 ,  唐建设 ,  达斯廷·W·霍 ,  福兰斯马尔·斯楚弥特 ,  艾伦·曹 ,  汤姆·周 ,  布赖恩·西-元·施赫 ,  哈里·K·波奈卡恩提 ,  克里斯·埃博斯帕希尔 ,  原铮

IPC分类号： C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L31/1824 ,  C23C16/24 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/5096 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供用于在形成太阳能电池期间沉积非晶和微晶硅膜的装置和方法。在一个实施例中，提供方法和装置以产生氢自由基并将氢自由基直接引导至处理室的处理区域中以与含硅前驱体反应而在衬底上进行膜沉积。在一个实施例中，氢自由基由远程等离子体源产生并被直接引导经过视线路径到达处理区域中，以使得氢自由基在到达处理区域之前的能量损失最小化。