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公开(公告)号：CN114753000B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210399479.5
申请日：2022-04-15
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延炉的衬底装载装置及上下料系统，其中，该装置包括：装载室，所述装载室内具有与外界隔绝的装载腔；托盘，安装在所述装载腔内；片盒，设置在所述托盘上，用于存放所述衬底；所述装置还包括：顶杆，设置在所述装载室外；磁力件，固定在所述顶杆上，且与所述装载室内的所述托盘磁性相吸；升降机构，安装在所述装载室外，与所述顶杆连接；该装置实现了对装载室内托盘的无接触式驱动，从而保留了装载室的完整性，提高了装载室的密封度。
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公开(公告)号：CN113897674B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202111187818.5
申请日：2021-10-12
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明涉及外延生长领域，具体公开了一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构，其中，反应室机构包括：反应室本体、快拆装置、平移机构和控制器，控制器用于控制所述快拆装置的开合以改变所述反应室本体与所述传输机构的连接状态，还用于在所述快拆装置处于打开状态时，控制所述平移机构运动以使所述反应室本体靠近或远离所述传输机构移动；该反应室机构利用快拆装置连接反应室本体和传输机构，使得控制器能迅速改变反应室本体和传输机构的连接状态，反应室本体底部设置由控制器控制运行的平移机构，使得反应室本体在清洗维护前能迅速完成移动操作，从而有效缩短了整个反应室机构清洗维护的时间。
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公开(公告)号：CN114540799A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210145533.3
申请日：2022-02-17
申请人： 季华实验室
摘要： 本申请涉及晶片冷却技术领域，具体提供了一种外延炉晶片冷却系统、方法、电子设备及存储介质，其包括：预抽真空腔；供气装置，安装在所述预抽真空腔上，所述供气装置用于释放吹扫气体；冷却装置，设置在所述预抽真空腔内，用于冷却所述吹扫气体；第一测温装置，用于测量所述晶片的温度；控制器，用于控制所述供气装置释放所述吹扫气体以冷却所述晶片，还用于在所述晶片的温度小于或等于预设的第一阈值时，控制所述冷却装置冷却所述吹扫气体；在不发生晶片翘曲的前提下，通过控制吹扫气体的温度以实现使晶片和与晶片接触的吹扫气体保持一定的温度差，从而提高了预抽真空腔的冷却速率和外延炉的生产效率。
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公开(公告)号：CN114334738A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111658267.6
申请日：2021-12-30
申请人： 季华实验室
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
摘要： 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种用于外延工艺的衬底预热装置及设备，用于在外延生长前对衬底进行预热处理，所述用于外延工艺的衬底预热装置包括：基座；衬底取放台，用于装载并固定衬底；衬底加热器，用于对衬底进行预热处理，所述衬底加热器设置在所述衬底上方，所述衬底加热器固定连接在所述基座上；升降驱动组件，用于驱动所述衬底取放台做升降运动，使衬底靠近或远离所述衬底加热器。所述用于外延工艺的衬底预热装置通过将衬底加热器设置在衬底上方，使得衬底加热器发出的热量直接作用于衬底上表面，从而使衬底上表面的温度达到外延工艺的温度要求。
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公开(公告)号：CN115201057A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210564195.7
申请日：2022-05-23
申请人： 季华实验室
摘要： 本申请涉及化学气相沉积技术领域，具体提供了一种气体流场均匀性检测系统及方法，其包括：驱动组件；检测盘，其包括承载台、气压传感器和至少一种气体浓度传感器，气压传感器和气体浓度传感器均设置在承载台上，气压传感器用于采集生成气压信息，气体浓度传感器用于采集生成对应的原料气体的浓度信息；控制器，与气压传感器、气体浓度传感器和驱动组件电性连接，用于控制驱动组件间隙性地驱动承载台旋转预设的第一角度，还用于根据气压传感器在不同位置采集生成的气压信息检测混合气体是否均匀，还用于根据气体浓度传感器在不同位置采集生成的浓度信息检测对应的原料气体是否均匀；该系统能够有效地提高外延生长的膜厚均匀性。
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公开(公告)号：CN113718333B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202111020536.6
申请日：2021-09-01
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明涉及外延生长技术领域，具体明公开了一种外延炉的匀气盒及气体输送组件，其中，匀气盒，用于朝外延炉的反应室输送反应气体，包括：用于朝外延炉的反应室输送反应气体，包括：盒体，盒体长度为10‑30cm，盒体内设有若干沿其长度方向设置的气孔，若干气孔包括若干小孔和若干大孔，若干大孔对称分设于小孔两侧；该匀气盒长度为10‑30cm，能使反应气体沿着气孔在盒体中进行输送从而形成若干道平行流动的反应气体气流，确保匀气盒输出的反应气体稳定不紊乱，使得晶体生长更均匀，同时采将气孔布置为中间小、两侧大的形式，使得两侧边缘气流的流速高于传统导气筒导出的两侧边缘气流的流速，从而解决衬底边缘的温度均匀性差的问题。
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公开(公告)号：CN114753001A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210481219.2
申请日：2022-05-05
申请人： 季华实验室
IPC分类号： C30B25/08 , C30B25/16 , C30B25/14 , C30B25/12 , C23C16/52 , C23C16/458 , C23C16/455
摘要： 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种外延沉积反应室、沉积系统及沉积方法，其包括：所述反应室包括上半月石墨腔体和下半月石墨腔体，所述上半月石墨腔体两侧通过侧壁支撑石墨件与所述下半月石墨腔体连接，以围合构成气体反应腔，所述上半月石墨腔体的底壁具有多条平行设置的冷却流道，所述上半月石墨腔体一侧设有与所述冷却流道连接的冷却气体提供组件，所述冷却气体提供组件用于在所述反应室进行外延生长时为所述冷却流道提供所述冷却气体；该外延沉积反应室能够有效地减少由于反应气体在上半月石墨腔体的底壁发生化学反应而形成晶体的情况。
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公开(公告)号：CN114753000A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210399479.5
申请日：2022-04-15
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延炉的衬底装载装置及上下料系统，其中，该装置包括：装载室，所述装载室内具有与外界隔绝的装载腔；托盘，安装在所述装载腔内；片盒，设置在所述托盘上，用于存放所述衬底；所述装置还包括：顶杆，设置在所述装载室外；磁力件，固定在所述顶杆上，且与所述装载室内的所述托盘磁性相吸；升降机构，安装在所述装载室外，与所述顶杆连接；该装置实现了对装载室内托盘的无接触式驱动，从而保留了装载室的完整性，提高了装载室的密封度。
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公开(公告)号：CN114753001B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202210481219.2
申请日：2022-05-05
申请人： 季华实验室
IPC分类号： C30B25/08 , C30B25/16 , C30B25/14 , C30B25/12 , C23C16/52 , C23C16/458 , C23C16/455
摘要： 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种外延沉积反应室、沉积系统及沉积方法，其包括：所述反应室包括上半月石墨腔体和下半月石墨腔体，所述上半月石墨腔体两侧通过侧壁支撑石墨件与所述下半月石墨腔体连接，以围合构成气体反应腔，所述上半月石墨腔体的底壁具有多条平行设置的冷却流道，所述上半月石墨腔体一侧设有与所述冷却流道连接的冷却气体提供组件，所述冷却气体提供组件用于在所述反应室进行外延生长时为所述冷却流道提供所述冷却气体；该外延沉积反应室能够有效地减少由于反应气体在上半月石墨腔体的底壁发生化学反应而形成晶体的情况。
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公开(公告)号：CN113897674A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111187818.5
申请日：2021-10-12
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明涉及外延生长领域，具体公开了一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构，其中，反应室机构包括：反应室本体、快拆装置、平移机构和控制器，控制器用于控制所述快拆装置的开合以改变所述反应室本体与所述传输机构的连接状态，还用于在所述快拆装置处于打开状态时，控制所述平移机构运动以使所述反应室本体靠近或远离所述传输机构移动；该反应室机构利用快拆装置连接反应室本体和传输机构，使得控制器能迅速改变反应室本体和传输机构的连接状态，反应室本体底部设置由控制器控制运行的平移机构，使得反应室本体在清洗维护前能迅速完成移动操作，从而有效缩短了整个反应室机构清洗维护的时间。
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