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公开(公告)号：CN114115369A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202210085057.0
申请日：2022-01-25
申请人： 季华实验室
摘要： 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种具有自动补水功能的高温氧化装置，所述装置包括：鼓泡装置，用于将氧气通入高温去离子水中生成湿润的高温氧化气体；所述具有自动补水功能的高温氧化装置还包括：预热装置，与所述鼓泡装置连接，用于加热去离子水并为所述鼓泡装置供应所述高温去离子水，所述预热装置上设有用于检测其内去离子水电阻值的水电阻测量传感器，所述预热装置在其内去离子水电阻值大于第一预设阈值和/或小于第二预设阈值时，更换所述预热装置内的去离子水。本申请通过设置水电阻测量传感器实时监控预热装置内的去离子水的电阻值，并当去离子水不满足工艺条件时对去离子水进行更换。
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公开(公告)号：CN118758194A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411249912.2
申请日：2024-09-06
申请人： 季华实验室
摘要： 本申请涉及外延层厚度测量技术领域，具体提供了一种高精度傅里叶变换红外光谱仪及外延层厚度测量方法，该光谱仪包括：探测头；样品台；驱动机构；反射镜；控制器，用于获取样品信号集，还用于在每次获取样品信号集前和/或每次完成样品信号集的获取后，控制驱动机构驱动样品台旋转和/或水平移动，以将反射镜移动至探测头下方，并通过探测头获取背景信号，还用于根据预设的转换关系、样品信号集和对应的背景信号获取同一待测量外延片上的各个测量点位对应的外延层厚度；该光谱仪能够有效地解决由于预先获取的背景信号与每次测量外延层厚度的过程中实际的背景信号存在较大的偏差而导致外延层厚度的测量精度低的问题和提高外延层厚度的测量效率。
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公开(公告)号：CN116539638A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310810542.4
申请日：2023-07-04
申请人： 季华实验室
摘要： 本申请属于测量掺杂浓度的技术领域，公开了一种掺杂浓度测量方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：步骤S101，获取测量点的数量和位置坐标，步骤S102，根据数量和位置坐标，对测量点进行拍照，得到测量点的位置图片，步骤S103，基于位置图片，对测量点进行坐标修正，得到修正坐标后的测量点，步骤S104，对修正坐标后的测量点进行测量，得到修正坐标后的测量点的掺杂浓度数据，通过测量修正坐标后的测量点的掺杂浓度，以获取测量点的掺杂浓度，提高了掺杂浓度的测量效率。
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公开(公告)号：CN113670448B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110938495.2
申请日：2021-08-16
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明涉及温度测量技术领域，具体公开了一种反应室温度测量系统、方法、装置及温度调节方法，系统用于测量反应室内高温工况下的温度分布情况，包括：反应室，其外壁设有一测温口；测温器，用于测量反应室内温度情况，与测温口摆动连接；摆动驱动器，用于驱动测温器在测温口内摆动；控制器，用于控制摆动驱动器运行使测温器在测温口中摆动以获取反应室内不同位置的温度信息，控制器根据不同位置的温度信息绘制热场曲线。该系统仅需在反应室外壁设置一测温口安装测温器便可进行区域化测温，避免反应室开设过多测温孔导致反应室中热量散失，并能基于温度信息绘制热场曲线，为反应室内温度工况分析、调节提供数据基础。
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公开(公告)号：CN114753000A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210399479.5
申请日：2022-04-15
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延炉的衬底装载装置及上下料系统，其中，该装置包括：装载室，所述装载室内具有与外界隔绝的装载腔；托盘，安装在所述装载腔内；片盒，设置在所述托盘上，用于存放所述衬底；所述装置还包括：顶杆，设置在所述装载室外；磁力件，固定在所述顶杆上，且与所述装载室内的所述托盘磁性相吸；升降机构，安装在所述装载室外，与所述顶杆连接；该装置实现了对装载室内托盘的无接触式驱动，从而保留了装载室的完整性，提高了装载室的密封度。
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公开(公告)号：CN113638043B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110936866.3
申请日：2021-08-16
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延炉吹扫冷却系统、方法、装置、电子设备及存储介质，其中，系统包括：冷却室，用于放置外延片且内部充满用于对外延片进行吹扫冷却的吹扫气体；气体温度计，用于获取吹扫气体的第一温度信息；温度调节机构；测温计，用于获取外延片的第二温度信息；气体循环机构；控制器，用于控制吹扫气体进行循环流动而对外延片进行循环吹扫冷却，并根据第二温度信息控制温度调节机构调节吹扫气体的第一温度信息以使外延片逐渐降温；该系统根据第二温度信息控制温度调节机构调节吹扫气体的第一温度信息，防止吹扫气体和外延片之间的温度差值过大导致外延片冷却时产生范性形变和位错。
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公开(公告)号：CN113670448A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110938495.2
申请日：2021-08-16
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明涉及温度测量技术领域，具体公开了一种反应室温度测量系统、方法、装置及温度调节方法，系统用于测量反应室内高温工况下的温度分布情况，包括：反应室，其外壁设有一测温口；测温器，用于测量反应室内温度情况，与测温口摆动连接；摆动驱动器，用于驱动测温器在测温口内摆动；控制器，用于控制摆动驱动器运行使测温器在测温口中摆动以获取反应室内不同位置的温度信息，控制器根据不同位置的温度信息绘制热场曲线。该系统仅需在反应室外壁设置一测温口安装测温器便可进行区域化测温，避免反应室开设过多测温孔导致反应室中热量散失，并能基于温度信息绘制热场曲线，为反应室内温度工况分析、调节提供数据基础。
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公开(公告)号：CN114753000B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210399479.5
申请日：2022-04-15
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延炉的衬底装载装置及上下料系统，其中，该装置包括：装载室，所述装载室内具有与外界隔绝的装载腔；托盘，安装在所述装载腔内；片盒，设置在所述托盘上，用于存放所述衬底；所述装置还包括：顶杆，设置在所述装载室外；磁力件，固定在所述顶杆上，且与所述装载室内的所述托盘磁性相吸；升降机构，安装在所述装载室外，与所述顶杆连接；该装置实现了对装载室内托盘的无接触式驱动，从而保留了装载室的完整性，提高了装载室的密封度。
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公开(公告)号：CN114115369B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202210085057.0
申请日：2022-01-25
申请人： 季华实验室
摘要： 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种具有自动补水功能的高温氧化装置，所述装置包括：鼓泡装置，用于将氧气通入高温去离子水中生成湿润的高温氧化气体；所述具有自动补水功能的高温氧化装置还包括：预热装置，与所述鼓泡装置连接，用于加热去离子水并为所述鼓泡装置供应所述高温去离子水，所述预热装置上设有用于检测其内去离子水电阻值的水电阻测量传感器，所述预热装置在其内去离子水电阻值大于第一预设阈值和/或小于第二预设阈值时，更换所述预热装置内的去离子水。本申请通过设置水电阻测量传感器实时监控预热装置内的去离子水的电阻值，并当去离子水不满足工艺条件时对去离子水进行更换。
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公开(公告)号：CN114182341A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111581945.3
申请日：2021-12-22
申请人： 季华实验室
摘要： 本发明属于晶体生长技术领域，特别涉及一种高纯度晶体生长系统及方法，其包括：真空腔；反应室，其包括腔体和顶盖；加热组件；第一升降组件，与上述顶盖固定连接，用于驱动上述顶盖升降；供气组件，安装在上述真空腔上，用于使上述真空腔内产生自上向下的气流；控制器，与上述加热组件、上述第一升降组件和上述供气组件电性连接，用于控制上述加热组件升高上述反应室内的温度，还用于在上述反应室内的温度达到除杂温度时，控制上述供气组件产生自上向下的气流和控制上述第一升降组件驱动上述顶盖上升，还用于控制上述加热组件升高上述反应室内的温度至晶体生长温度以进行晶体生长；在晶体生长前先对反应粉料进行除杂，有效地提高晶体的纯度。
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