一种具有保护层的SiO2沟道型硫系波导及其制备方法

    公开(公告)号:CN109188607B

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN201811183941.8

    申请日:2018-10-11

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有保护层的SiO2沟道型硫系波导及其制备方法,解决了现有技术中SiO2沟道型波导制备中沟道侧壁粗糙的问题,其技术方案要点是,通过在Si/SiO2基片的SiO2的表层涂覆光刻胶作为掩膜层,再将具有掩膜层的Si/SiO2基片放入ICP刻蚀机内刻蚀SiO2沟道,通过通入氩气和三氟甲烷气体调节刻蚀精度,再在具有SiO2沟道的Si/SiO2基片上依次镀设As2Se3硫系薄膜和SU‑8聚合物,最后将掩膜层及其上方的As2Se3硫系薄膜和SU‑8聚合物从Si/SiO2基片上剥离得到波导,本发明公开的一种具有、保护层的SiO2沟道型硫系波导及其制备方法,通过控制氩气和三氟甲烷两种气体的配比来优化刻蚀参数,可将SiO2沟道侧壁的粗糙度降到最低,进而减小了波导侧壁的粗糙度。

    一种硫系玻璃光纤的激光直写制备方法

    公开(公告)号:CN111302616A

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN202010227137.6

    申请日:2020-03-27

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明公开的硫系玻璃光纤的激光直写制备方法,通过搭建包括飞秒激光器、扩束系统、衰减系统、电子快门、分束镜、光功率计、双色镜、光束整形系统、聚焦物镜、三维移动平台、CCD检测系统和计算机的飞秒激光直写装置,通过光功率计检测激光脉冲的功率,精准控制衰减后的激光脉冲达到最合适的功率;通过计算机控制的光束整形系统和聚焦系统控制激光光斑的尺寸及三维移动平台的移动和电子快门的启闭,在硫系玻璃光纤内部一次性激光直写得到硫系玻璃纤芯,解决传统加工方式的工艺复杂、容易引入杂质等问题,同时可实现对激光直写过程的实时监测,且激光直写能够精确定位到光纤内部,适用于快速制备各种高精度的单模光纤、多模光纤和光子晶体光纤。

    一种基于拉曼散射光谱的无创血糖检测装置及检测方法

    公开(公告)号:CN111227844A

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN202010226749.3

    申请日:2020-03-27

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明公开的基于拉曼散射光谱的无创血糖检测装置包括半导体激光器、光纤分束器、光纤探头、滤光片、拉曼光谱仪、第一电路开关、第二电路开关、锁相放大器、心率测量仪和计算机;本发明利用拉曼散射光中所包含的丰富的分子振动信息,并利用不同分子的拉曼散射光谱具有不同的特征的特点,凭借拉曼散射光谱来识别分子,通过纯血液中拉曼散射光谱中1125cm-1处葡萄糖特征峰对于1549cm-1处的血红蛋白特征峰值的相对值与血糖生化仪测量的实时人体血糖浓度数据,建立1125cm-1处葡萄糖特征峰的相对峰值与人体血糖浓度关系标准直线L,最终实现了对人体血糖的无创、实时检测;本发明具有精度高、无污染、对人体无害等优点,在生物无创检测领域有着广泛的应用前景。

    一种基于相变材料的非易失性可调谐方向耦合器

    公开(公告)号:CN109445132A

    公开(公告)日:2019-03-08

    申请号:CN201811451093.4

    申请日:2018-11-30

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的非易失性可调方向耦合器,包括SOI基片,SOI基片上沿水平方向设置有平行分布的输入硅波导和输出硅波导,特点是输出硅波导的上表面沿长度方向设置有相变材料GST波导层,GST波导层位于耦合区域内且均匀的分为N段,每一段均能工作在晶态或非晶态状态,其中N为3-20内的任意自然数,耦合器通过改变处于晶态和非晶态的GST波导层的段数实现任意比例的功率耦合,优点是便于片上集成、能量消耗低、较宽的工作带宽、较低的插入损耗以及输出功率可调。

    一种具有保护层的SiO2沟道型硫系波导及其制备方法

    公开(公告)号:CN109188607A

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201811183941.8

    申请日:2018-10-11

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有保护层的SiO2沟道型硫系波导及其制备方法,解决了现有技术中SiO2沟道型波导制备中沟道侧壁粗糙的问题,其技术方案要点是,通过在Si/SiO2基片的SiO2的表层涂覆光刻胶作为掩膜层,再将具有掩膜层的Si/SiO2基片放入ICP刻蚀机内刻蚀SiO2沟道,通过通入氩气和三氟甲烷气体调节刻蚀精度,再在具有SiO2沟道的Si/SiO2基片上依次镀设As2Se3硫系薄膜和SU-8聚合物,最后将掩膜层及其上方的As2Se3硫系薄膜和SU-8聚合物从Si/SiO2基片上剥离得到波导,本发明公开的一种具有、保护层的SiO2沟道型硫系波导及其制备方法,通过控制氩气和三氟甲烷两种气体的配比来优化刻蚀参数,可将SiO2沟道侧壁的粗糙度降到最低,进而减小了波导侧壁的粗糙度。

    一种新型环形谐振腔及其制备方法

    公开(公告)号:CN104849804B

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201510290927.8

    申请日:2015-05-29

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 一种新型环形谐振腔,包括衬底材料层和位于衬底材料层上的薄膜层,该薄膜层包括多条波导,所述薄膜层为硫系玻璃材料,所述薄膜层的波导包括一环形的跑道型波导和位于跑道型波导的两端外侧的两条外侧波导,所述跑道型波导包括位于两端的两条相对设置的弧形波导和位于两条弧形波导之间的直线波导,所述外侧波导包括位于跑道型波导的两端的弧形波导外侧与弧形波导同轴并且保持等间隔延伸的弯曲波导,和位于弯曲波导的两端与弯曲波导同向延伸并且与直线波导相垂直的外侧直线波导。该新型环形谐振腔,不但结构简单,便于制备,而且能够提高耦合效率,节省传输空间,并且获得较高的Q值。

    一种基于相变纳米线的集成型光电存储器件及其测试方法

    公开(公告)号:CN106782645A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611164714.1

    申请日:2016-12-16

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于相变纳米线的集成型光电存储器件及其测试方法,特点是包括波导,波导两端分别连接有光栅垂直耦合器,波导的两侧对称分布有电极,波导上方设置有相变纳米线,相变纳米线与波导垂直,相变纳米线连接两个电极并形成欧姆接触,优点是可以实现电域和光域同时操作,可以利用光电混合模式实现多级存储,并能监测相变纳米线的瞬态过程,测试其相变速度。

    一种基于波导器件的单根纳米线的转移方法

    公开(公告)号:CN106744669A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611046605.X

    申请日:2016-11-23

    Applicant: 宁波大学

    CPC classification number: B82B3/0095 B82Y40/00

    Abstract: 本发明公开了一种基于波导器件的单根纳米线的转移方法,特点是通过压印方法从沉积的纳米线样品取出并分散少量纳米线,经过光学显微镜选取纳米线并定位,在波导器件上通过曝光‑显影工艺在光刻胶上开一个待转移纳米线尺寸大小的窗口,利用热效应和范德华力作用使得纳米线吸附在波导器件上,采用退火处理增加纳米线和波导之间的黏附力,再采用去胶工艺得到基于单根纳米线的光子器件,优点是实现纳米线的分散,并精确定位单根纳米线转移至波导器件的方法,且转移后,其它未选取的纳米线不会污染波导器件本方法与传统方法相比,更加简单、经济,适用范围更广。

    一种蛇形波导及其制作方法

    公开(公告)号:CN104600404A

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201510066269.4

    申请日:2015-02-09

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 一种蛇形波导及其制作方法,包括并列弯曲呈波浪形的至少一组波导,其特征在于:该至少一组波导包括均匀间隔设置的至少两条波导,并且每条波导包括衬底材料层和位于衬底材料层上方的薄膜层,所述至少一组波导弯曲所成的半径范围为300μm-3mm,并且至少两条波导之间的间隔为30μm。该蛇形波导,不但结构新颖,可以进行弯曲传输,减少空间,并且制作方便。

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