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公开(公告)号：CN109188869B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201811147993.X
申请日：2018-09-29
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种在不透明基底上制备微结构的方法，该方法引入螺旋塔图案，该螺旋塔图案为标示连续排列成的阵列，该阵列在水平面的投影中，由左向右横向排列n个标示后，朝上竖向排列n个标示，接着由右向左横向排列n个标示，然后向下竖向排列n‑1个标示…依次循环而构成回形图，各相邻标示在水平投影上的间距均为a，且各标示分别比按排列顺序位于其前面的标示竖向上升高度b，其中5≤n≤8，从而能在不同高度尝试刻写，进而找到合适的焦点起始位置，继而能实现在不透明基底上的准确光刻。本发明加工速度快，精度高，灵活性强，可在不透明基底上制备各种微结构，且制备过程简单易操作。
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公开(公告)号：CN109188869A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811147993.X
申请日：2018-09-29
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种在不透明基底上制备微结构的方法，该方法引入螺旋塔图案，该螺旋塔图案为由标示连续排列成的阵列，该阵列在水平面的投影中，由左向右横向排列n个标示后，朝上竖向排列n个标示，接着由右向左横向排列n个标示，然后向下竖向排列n-1个标示…依次循环而构成回形图，各相邻标示在水平投影上的间距均为a，且各标示分别比按排列顺序位于其前面的标示竖向上升高度b，其中5≤n≤8，从而能在不同高度尝试刻写，进而找到合适的焦点起始位置，继而能实现在不透明基底上的准确光刻。本发明加工速度快，精度高，灵活性强，可在不透明基底上制备各种微结构，且制备过程简单易操作。
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公开(公告)号：CN109987599A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201811592574.7
申请日：2018-12-25
Applicant: 宁波大学
IPC: C01B32/186 , G01N33/00
Abstract: 本发明公开了一种低温立状石墨烯的生长方法，包括如下步骤准备二氧化硅基片；将二氧化硅基片水平放置在石英管中，对石英管内进行抽真空，之后通入氢气和氩气，并加热石英管至450℃，开启等离子体射频源，以甲烷为碳源在二氧化硅基片表面进行等离子体增强化学气相沉积，形成柱状石墨烯，柱状石墨烯的宽度为0.2μm‑0.4μm。首先本发明选取了现有技术中不会采用的低温(450℃)进行等离子体增强化学气相沉积，降低了能耗以及反应要求，更适应于大规模推广，此外与区别于现有的行业认知，采用低于600℃，乃至低于500℃的反应条件形成了柱状石墨烯的纳米墙，确保了柱状石墨烯的形貌特征。此外柱状石墨烯的宽度比较小，与500℃条件下生成的柱状石墨烯宽度相似。
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公开(公告)号：CN119044847A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411347486.6
申请日：2024-09-26
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明涉及了磁场测量技术领域中的一种微弱磁场测量设备，包括框架、机械移动装置、电控模块、磁场测量模块和显示模块，框架右侧顶部开设有多组螺纹孔，框架顶部设置有机械移动装置，机械移动装置包括X轴运动机构X轴运动机构固定安装在框架顶部，X轴运动机构顶部活动安装有Y轴运动机构，Y轴运动机构右端活动安装有Z轴运动机构，Z轴运动机构正前端活动安装有固定板，固定板顶部活动安装有活动板，活动板顶部固定安装有磁场测量模块，机械移动装置安设有驱动电机，由于机械移动装置使用电控模块控制，实现半自动化测量使得测量效果大大增加，集成多种测量模式，单点测量、连续测量等，满足不同场景下的使用需求，使用效果十分优异。
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公开(公告)号：CN110217783A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910574912.2
申请日：2019-06-28
Applicant: 宁波大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯图案的制作方法，在石墨烯生长衬底上利用光刻胶制作载具；按照设计图像对载具进行固化处理；去除载具中未固化的光刻胶，进而获取具有微结构载具的第一样品；将第一样品放置在CVD加热炉中，在微结构载具的限制作用下，生成石墨烯图案，进而获取第二样品；在第二样品的石墨烯上涂覆保护膜溶液，并生成保护膜，进而获取第三样品；将第三样品置于腐蚀石墨烯生长衬底的溶液中，腐蚀石墨烯生长衬底以获取第四样品；对第四样品进行清洗后放置在去除保护膜的溶液中，去除石墨烯图案上的保护膜，进而获取石墨烯图案。该石墨烯图案的制作方法操作过程简单，生成的石墨烯图案精确度高，并且该石墨烯图案的制作成本也低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109987597A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201811592551.6
申请日：2018-12-25
Applicant: 宁波大学
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明公开了一种异性堆叠石墨烯的制备方法，包括如下步骤：准备绝缘或半导体的衬底；在衬底的表面制备层状分布的镍层和掺杂碳源层，并且使得镍层和掺杂碳源层直接接触；对掺杂碳源层进行加热，使得碳融入到镍层中，然后进行降温，使得镍层的一侧生长掺杂石墨烯，另一侧生长纯石墨烯；退火蒸发镍层，使得掺杂石墨烯和纯石墨烯呈层状分布且相互接触。在绝缘或半导体的衬底上生长层状的掺杂石墨烯和纯石墨烯，避免了后续的转移步骤，也就避免了损坏掺杂石墨烯和纯石墨烯。
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公开(公告)号：CN109987597B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201811592551.6
申请日：2018-12-25
Applicant: 宁波大学
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明公开了一种异性堆叠石墨烯的制备方法，包括如下步骤：准备绝缘或半导体的衬底；在衬底的表面制备层状分布的镍层和掺杂碳源层，并且使得镍层和掺杂碳源层直接接触；对掺杂碳源层进行加热，使得碳融入到镍层中，然后进行降温，使得镍层的一侧生长掺杂石墨烯，另一侧生长纯石墨烯；退火蒸发镍层，使得掺杂石墨烯和纯石墨烯呈层状分布且相互接触。在绝缘或半导体的衬底上生长层状的掺杂石墨烯和纯石墨烯，避免了后续的转移步骤，也就避免了损坏掺杂石墨烯和纯石墨烯。
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公开(公告)号：CN109824039B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201910231028.9
申请日：2019-03-26
Applicant: 宁波大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种以掺杂石墨烯量子点为形核点制备掺杂石墨烯的方法，包括如下步骤：制备铜箔衬底，并依次进行清洗、干燥、退火及冷却，然后留作备用；制备掺杂石墨烯量子点，将其旋涂至铜箔衬底表面，自然干燥；放置于CVD热炉中，在氩气和氢气氛围下，通入甲烷，在1000℃条件下甲烷分解，以掺杂石墨烯量子点为形核点外延生长形成掺杂石墨烯；在掺杂石墨烯表面旋涂PMMA的有机溶液；对掺杂石墨烯表面进行烘干，掺杂石墨烯表面的有机溶剂挥发，形成PMMA保护层；将上述样品浸泡至过硫酸铵溶液中，将铜箔衬底腐蚀，然后取出用去离子水冲洗；将样品用滤纸转移至目标衬底，并进行烘烤，使得掺杂石墨烯与目标衬底粘结；将样品转移至丙酮溶液中溶解PMMA保护层。
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公开(公告)号：CN109824039A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910231028.9
申请日：2019-03-26
Applicant: 宁波大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种以掺杂石墨烯量子点为形核点制备掺杂石墨烯的方法，包括如下步骤：制备铜箔衬底，并依次进行清洗、干燥、退火及冷却，然后留作备用；制备掺杂石墨烯量子点，将其旋涂至铜箔衬底表面，自然干燥；放置于CVD热炉中，在氩气和氢气氛围下，通入甲烷，在1000℃条件下甲烷分解，以掺杂石墨烯量子点为形核点外延生长形成掺杂石墨烯；在掺杂石墨烯表面旋涂PMMA的有机溶液；对掺杂石墨烯表面进行烘干，掺杂石墨烯表面的有机溶剂挥发，形成PMMA保护层；将上述样品浸泡至过硫酸铵溶液中，将铜箔衬底腐蚀，然后取出用去离子水冲洗；将样品用滤纸转移至目标衬底，并进行烘烤，使得掺杂石墨烯与目标衬底粘结；将样品转移至丙酮溶液中溶解PMMA保护层。
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公开(公告)号：CN222014899U
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202420543250.9
申请日：2024-03-19
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本实用新型涉及一种光敏电阻测试装置，包括：箱体，所述箱体包括底板以及罩设在所述底板上的遮光罩壳，所述底板和所述遮光罩壳围设形成检测腔；环形滑轨，所述环形滑轨设置在所述底板上并且位于所述检测腔内；滑行座，所述滑行座滑动设置在所述环形滑轨上，所述滑行座上设置有直线滑轨，所述直线滑轨沿所述环形滑轨的径向延伸；滑块，所述滑块滑动设置在所述直线滑轨上；及光源，所述光源装设在所述滑块上。
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