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公开(公告)号：CN116334591A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310422828.5
申请日：2023-04-20
申请人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明公开一种立式成膜装置，涉及半导体材料生产设备技术领域，主要结构包括进气室、反应室和搬运室；所述进气室设置于所述反应室的顶部，所述搬运室设置于所述反应室一侧，且所述搬运室与所述反应室之间设置有阀门。本发明中的立式成膜装置，感应热场加热线圈外置，通过交流电流产生交变电磁场，使流道自身升温发热热量传导至气体，同时具有较快的加热速度和局部加热等优点，缩短工艺前段预热时间减少能源损耗。
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公开(公告)号：CN115928049A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211545250.4
申请日：2022-12-05
申请人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明公开一种适用于立式成膜设备的进气结构，涉及半导体生产设备技术领域，主要结构包括进气室内设置的进气组合结构，进气组合结构中包括多个喷淋板，顶部的喷淋板与进气室内顶壁之间以及相邻的喷淋板之间分别设置有一进气层，进气室的侧壁上设置有多个进气口，每个进气层分别与一进气口相连通；每个进气层均独立的与反应室相连通。采用分层进气，反应气具备单独流道并用保护气体隔离的方式可减少反应气于进气室流道内混合反应形成沉积，长期进行薄膜制备仍有可能存在杂质附着和表面破损的情况。组件组合流道可及时更换组件确保进气均匀，使外延膜品质一致。各层流道通道数量和导管安装位置可根据情况进行调整，以满足不同生长工艺需要。
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公开(公告)号：CN115113660A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210789334.6
申请日：2022-07-05
申请人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
IPC分类号： G05D16/20
摘要： 本发明公开一种通过多比例阀进行压力控制的系统及方法，涉及晶体生长，CVD等半导体设备技术领域。设计包括质量流量控制器、至少两级控制阀门、真空泵、第一压力计和第一控制系统；质量流量控制器一端与气源相连通，质量流量控制器另一端与反应腔室相连通；第一压力计设置于反应腔室上；反应腔室上设置有一抽气管路，至少两级控制阀门和真空泵串联于抽气管路上；质量流量控制器、至少两级控制阀门和第一压力计均与第一控制系统信号连接。采用多比例阀压力控制系统，能够提高系统流导变化的最小分辨率，提高系统流导变化的最小分辨率相当于提高了生长腔室的压力控制精度，并且还能通过多比例阀联动延长阀门的使用寿命，提高系统稳定性。
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公开(公告)号：CN113701501A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111025884.2
申请日：2021-09-02
申请人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
摘要： 本发明公开一种烧结炉冷却系统，涉及冷却装置技术领域，包括风机、冷却器和保温箱；所述保温箱两侧设置有可开启的保温材门，所述冷却器和所述风机设置于烧结炉内侧面与所述保温箱之间；所述烧结炉的密封箱设置于所述保温箱内，所述密封箱两侧与所述保温材门相对应的设置有可开启的密封箱门。驱动装置用于驱动叶轮，实现炉体内部的气流循环，通过向炉体的冷却夹套通入循环冷却水对炉体进行冷却，将炉体内部的热量通过冷却器排出，两种冷却方式配合，冷却快速且效率高，能够大大缩短生产周期，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN116103753A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211670502.6
申请日：2022-12-26
申请人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
摘要： 本发明公开一种具有可伸入腔体的多通道功能轴的立式成膜设备，涉及半导体生产设备技术领域，主要结构包括进气室、反应室、套筒流道、搬运系统、基座、旋转室和旋转轴；旋转轴为中空轴，旋转轴内同轴的设置有一多通道功能轴；提升杆贯穿多通道功能轴；多通道功能轴伸入基座内的一端设置有多个开孔。本发明中的具有可伸入腔体的多通道功能轴的立式成膜设备，在基座内设置进气管，通入保护气体使基座内外分离，相较覆盖件遮挡更为全面有效。保持基座内保护气体向外溢出，减少外部反应气体进入基座内部，从而降低基座内发热体受到外部气体影响并延长使用寿命，同时保证成膜过程中热场的稳定性，降低更换频率可提高生产效率。
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公开(公告)号：CN116005257A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310100122.7
申请日：2023-02-03
申请人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
摘要： 本发明公开一种排气结构，涉及成膜装置技术领域，包括：排气结构主体，所述排气结构主体能够设置于成膜装置的反应腔室底部，所述排气结构主体上设置有排气口，所述排气口能够与所述反应腔室连通，以将所述反应腔室内的气体排出；所述排气口设置有多个，全部所述排气口能够环绕所述反应腔室内的基座均布。本发明还公开一种成膜装置，包括上述的排气结构。本发明中能够实现反应腔室的多侧出气，保证出气均匀，有利于成膜膜厚均匀。
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公开(公告)号：CN113654666A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202111078622.2
申请日：2021-09-15
申请人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
摘要： 本发明公开一种内外分离且稳定的红外测温装置，涉及红外测温技术领域，包括测温装置和测温通道；所述测温通道从设备外壁延伸至设备内部；所述测温装置设置于所述测温通道位于设备外端的一侧。通过设置隔离装置，隔离装置将检测空间与被检测空间分离，并采用充气、抽气等方法，保证两个空间隔离。隔离管延伸至被测物体附近，隔离管阻隔了设备内粉尘及物料挥发物等进入测温通道，阻隔了被测对象被沉积物改变表面状态，阻隔了被测通道被堵塞，阻隔了视镜玻璃被污染，避免了被测对象不能固定或运动场合的测温，提高温度检测的准确性。
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公开(公告)号：CN116180223A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310020001.1
申请日：2023-01-06
申请人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
摘要： 本发明公开一种可稳定控温改善晶片生长均匀性的立式成膜装置，包括反应腔室、多区域控温机构和特定点位，反应腔室内热场分为上、下两部分，分别用于过程气体预热和晶片加热，且均为多区分布热场，成膜装置顶部至少安装有两个测温元件，成膜工艺过程中监测晶片中心和边缘温度，反馈至控制系统，实现下炉体热场的温控输出。下炉体热场靠近基座发热体辅助加热晶片，上炉体热场靠近进气室，由进气室处热电偶反馈温度数据控制输出功率，晶片成膜至一定膜厚维持原先热场输出功率，避免由于薄膜干涉产生温度变化影响正常成膜过程。
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公开(公告)号：CN115961345A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211670140.0
申请日：2022-12-26
申请人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
IPC分类号： C30B25/12 , C23C16/458 , C23C16/54
摘要： 本发明公开一种应用于立式外延设备的联动提升机构，涉及晶片制备技术领域；包括位于反应室中心位置处的基座，基座顶部用于装载基板；反应室内壁环设有上保温层，上保温层下部设有能够升降的下保温层；反应室外底部设有联动提升机构，联动提升机构包括提升架，提升架中间位置固定连接有提升电机座，提升架和提升电机座能够通过驱动机构动作进而同步升降，提升架两端固定连接有对称设置的提升座，提升座顶部连接有推杆，两个推杆顶部穿过反应室底板两端对应的通道法兰后基于安装限位结构与支撑块嵌套，支撑块上依次放置有支撑环和下保温层。本发明提供的应用于立式外延设备的联动提升机构，采用一个提升机构动作，能够实现两侧同步提升。
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公开(公告)号：CN115821376A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211545180.2
申请日：2022-12-05
申请人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
IPC分类号： C30B25/14 , C23C16/455
摘要： 本发明公开一种提高成膜质量的进气结构，涉及半导体生产设备技术领域，包括进气室、反应室和基座；进气室内设置有多个保护气体流道和多个反应气体流道；多个保护气体流道和多个反应气体流道的进气端均位于进气室外侧，多个保护气体流道和多个反应气体流道的出气端均位于进气室底部；且相邻的反应气体流道的出气端被保护气体流道的出气端完全隔开。本发明中的提高成膜质量的进气结构，采用多个相互独立的密闭流道进气，保护气体将多种反应气体隔离，并通过设置调整件，改变每种反应气流道的横截面积，以改变反应气的在出气端的流速避免沉积。
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