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公开(公告)号：CN114959900A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210390888.9
申请日：2022-04-14
申请人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
摘要： 本发明公开一种带径向调温环的碳化硅单晶生长装置，涉及碳化硅单晶的制备及晶体生长技术领域。该带径向调温环的碳化硅单晶生长装置包括密封腔、保温结构、加热结构、坩埚和均温环等；坩埚用于放置源料，籽晶安装于坩埚顶部。多组加热机构和保温结构用于调节籽晶处径向温度梯度。该带径向调温环的碳化硅单晶生长装置能够实时动态调整籽晶处径向温度梯度，且调节方法简单，效应速度快，可有效控制碳化硅单晶晶锭的生长面凹凸程度，有利于大尺寸碳化硅单晶晶锭的生长。
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公开(公告)号：CN113654666A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202111078622.2
申请日：2021-09-15
申请人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
摘要： 本发明公开一种内外分离且稳定的红外测温装置，涉及红外测温技术领域，包括测温装置和测温通道；所述测温通道从设备外壁延伸至设备内部；所述测温装置设置于所述测温通道位于设备外端的一侧。通过设置隔离装置，隔离装置将检测空间与被检测空间分离，并采用充气、抽气等方法，保证两个空间隔离。隔离管延伸至被测物体附近，隔离管阻隔了设备内粉尘及物料挥发物等进入测温通道，阻隔了被测对象被沉积物改变表面状态，阻隔了被测通道被堵塞，阻隔了视镜玻璃被污染，避免了被测对象不能固定或运动场合的测温，提高温度检测的准确性。
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公开(公告)号：CN214327876U
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202023214794.1
申请日：2020-12-28
申请人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
IPC分类号： C23C16/453
摘要： 本实用新型公开一种常压化学气相沉积设备，涉及常压化学沉积技术领域，包括进气箱、扩散头、加热体组件、横臂、转台、机械手、装料运载平台、晶圆料车、风机过滤机组和真空系统；风机过滤机组设置于所述装料运载平台上方；所述机械手设置于所述装料运载平台与所述转台之间；所述横臂可滑动的设置于所述转台远离所述机械手的一侧，所述加热体组件设置于所述横臂上方；所述扩散头设置于所述加热体组件正下方，所述进气箱与所述扩散头相连通；所述真空系统用于为所述机械手和所述加热体组件提供真空环境。本实用新型中的常压化学气相沉积设备，可常压化学气相沉积多种薄膜，并能有效提高设备集成度、降低自动化难度、缩小占地面积、提高设备产能。
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公开(公告)号：CN215893794U
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202122229510.4
申请日：2021-09-15
申请人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
摘要： 本实用新型公开一种内外分离且稳定的红外测温装置，涉及红外测温技术领域，包括测温装置和测温通道；所述测温通道从设备外壁延伸至设备内部；所述测温装置设置于所述测温通道位于设备外端的一侧。通过设置隔离装置，隔离装置将检测空间与被检测空间分离，并采用充气、抽气等方法，保证两个空间隔离。隔离管延伸至被测物体附近，隔离管阻隔了设备内粉尘及物料挥发物等进入测温通道，阻隔了被测对象被沉积物改变表面状态，阻隔了被测通道被堵塞，阻隔了视镜玻璃被污染，避免了被测对象不能固定或运动场合的测温，提高温度检测的准确性。
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公开(公告)号：CN215289039U
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202121084029.4
申请日：2021-05-20
申请人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
摘要： 本实用新型公开一种采用PVT法制备碳化硅单晶的生长装置，涉及碳化硅单晶的制备及晶体生长技术领域，包括密封腔、加热结构、保温结构、测温机构、旋转机构和升降机构；保温结构设于密封腔内；加热结构设于保温结构内，测温机构设于密封腔上；坩埚设于保温结构内，籽晶托设于坩埚内；旋转机构用于驱动坩埚的旋转，升降机构用于驱动坩埚的升降，或，所述旋转机构用于驱动所述籽晶托的旋转，所述升降机构用于驱动所述籽晶托的升降。加热结构能实现对坩埚的底部、四周和顶部的分别加热，并能够通过调整单个加热电阻的功率实现径向温度梯度和轴向温度梯度的调节，使坩埚周围的径向温度梯度和轴向温度梯度处于最合适的状态，能更好的促进晶体的生长。
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公开(公告)号：CN214327878U
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202023214270.2
申请日：2020-12-28
申请人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/52
摘要： 本实用新型公开一种基于APCVD技术的薄膜沉积装置，涉及常压化学沉积技术领域，包括加热体组件、进气箱、扩散头、真空系统和排气机构；加热体组件设于晶圆上方，扩散头设于晶圆下方，排气机构设于扩散头下方；进气箱出气口与扩散头进气口相连通；无需大量惰性气体作屏障，可节省保护气体；通过真空吸附晶圆背面，将晶圆因成膜温度和膜应力而引发的弯曲矫正，可防止背面成膜，并提高薄膜均匀性；晶圆成膜面向下，杂质颗粒因重力下落后被气流带走，不会掉落在晶圆上；沉积范围较大，沉积面一次性完成薄膜沉积，沉积面内薄膜均匀性较好；成膜后，膜厚均匀性的实际值在±2％以下；加热体组件可带动晶圆摆动，可使得晶圆沉积面上薄膜的均匀性进一步改善。
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公开(公告)号：CN217077865U
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202220859316.6
申请日：2022-04-14
申请人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
摘要： 本实用新型公开一种高频双线圈感应加热的碳化硅单晶生长装置，涉及碳化硅单晶的制备及晶体生长技术领域。本实用新型提供的碳化硅单晶生长装置，采用上下两组感应线圈分别对坩埚下部(原料处)和上部(籽晶处)进行感应加热，并且两组感应线圈可分别上下移动，本生长装置还采用籽晶轴旋转升降机构，可以在单晶生长过程中旋转籽晶或者改变籽晶的位置，可抵消利用改变感应线圈上下位置的方法来改变轴向温度梯度时引起的径向温度梯度耦合的影响，以此获得可控的轴向温度梯度和径向温度梯度，解决了传统线圈感应加热无法同时独立控制坩埚下部(原料处)和上部(籽晶处)的温度以及无法独立控制轴向温度梯度和径向温度梯度的问题。
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公开(公告)号：CN217077866U
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202220859701.0
申请日：2022-04-14
申请人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
摘要： 本实用新型公开一种带径向调温环的碳化硅单晶生长装置，涉及碳化硅单晶的制备及晶体生长技术领域。该带径向调温环的碳化硅单晶生长装置包括密封腔、保温结构、加热结构、坩埚和均温环等；坩埚用于放置源料，籽晶安装于坩埚顶部。多组加热机构和保温结构用于调节籽晶处径向温度梯度。该带径向调温环的碳化硅单晶生长装置能够实时动态调整籽晶处径向温度梯度，且调节方法简单，效应速度快，可有效控制碳化硅单晶晶锭的生长面凹凸程度，有利于大尺寸碳化硅单晶晶锭的生长。
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公开(公告)号：CN214782260U
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202121084133.3
申请日：2021-05-20
申请人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
摘要： 本实用新型公开一种用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置，涉及碳化硅单晶的制备及晶体生长技术领域，包括密封腔、加热结构、保温结构、调温结构、坩埚和测温机构；保温结构设于密封腔内；加热结构设于保温结构内，测温机构设于密封腔上；调温结构设于保温结构内，坩埚和籽晶托设于保温结构内；加热结构对坩埚底部和顶部加热，对坩埚的轴向和径向进行温度控制，测温机构分别测量坩埚顶部和底部的温度，保温结构对整个腔体的热场进行保温，还能减少坩埚的热量散失，实现对坩埚各部分的温度精确控制，调温结构能降低坩埚的径向温度梯度；从而减小碳化硅单晶生长过程中晶体的径向温度梯度和应力梯度，可降低晶体生长的缺陷，保证了晶体的质量。
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