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公开(公告)号：CN104203984B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201380017453.9
申请日：2013-04-01
申请人： 宇部兴产株式会社 , 高级软质材料株式会社
CPC分类号： C08G83/007 , C08B37/0015 , C08L5/16 , C08L101/005 , C08L71/02
摘要： 本发明提供适用于工业的羟基烷基化聚轮烷的制造方法。本发明的羟基烷基化聚轮烷的制造方法包括在水及有机碱的存在下使聚轮烷与通式(1)所示的环状醚发生反应的步骤，其中，所述聚轮烷具有：带羟基的环状分子、被环状分子以穿串状包合的直链状分子、以及配置于直链状分子的两个分子末端以使得环状分子不从直链状分子脱离的封端基团。
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公开(公告)号：CN104203984A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380017453.9
申请日：2013-04-01
申请人： 宇部兴产株式会社 , 高级软质材料株式会社
CPC分类号： C08G83/007 , C08B37/0015 , C08L5/16 , C08L101/005 , C08L71/02
摘要： 本发明提供适用于工业的羟基烷基化聚轮烷的制造方法。本发明的羟基烷基化聚轮烷的制造方法包括在水及有机碱的存在下使聚轮烷与通式(1)所示的环状醚发生反应的步骤，其中，所述聚轮烷具有：带羟基的环状分子、被环状分子以穿串状包合的直链状分子、以及配置于直链状分子的两个分子末端以使得环状分子不从直链状分子脱离的封端基团。
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公开(公告)号：CN100336811C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200380108657.X
申请日：2003-12-18
申请人： 宇部兴产株式会社
IPC分类号： C07D317/54 , C07C67/293 , C07C69/157
摘要： 用式(Ⅰ)表示的化合物是在含有选自(a)卤化硼化合物、(b)11族元素的三氟甲磺酸盐化合物、(c)12族元素的卤素化合物、(d)锡或原子序数是58、66～71的元素的三氟甲磺酸盐化合物及卤素化合物中的一种以上的催化剂的存在下，使式(Ⅳ)或(Ⅴ)的苯化合物和式(Ⅳ)的亚链烯基二乙酸酯反应得到。R1，R2＝H或C1-C10的烷基，A＝对应于式(Ⅳ)或(Ⅴ)的取代苯基，R3，R4＝C1-C4的烷基，m＝0、1～4，n＝1～5，k＝1或2。
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公开(公告)号：CN100415734C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200610006336.4
申请日：2003-12-18
申请人： 宇部兴产株式会社
IPC分类号： C07D317/54 , C07D309/18 , C07C69/157 , C07C67/293 , A61K31/215 , A61P9/00
摘要： 用下述通式(I)表示的1-乙酰氧基-3-(取代苯基)丙烯化合物，在上式(I)中，R1及R2各自独立地表示从氢原子及具有1～10个碳原子的烷基所构成的组中选择的一个，其中R1及R2也可以相互连接，和丙烯基的2位及3位的碳原子共同形成环状基团，A表示从下式(II)及(III)所表示的组中的取代苯基中选择的一个，在上式(II)和(III)中，R3及R4各自独立地表示具有1～4个碳原子的烷基，m表示0或1～4的整数，n表示1～5的整数，k表示1或2的整数。
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公开(公告)号：CN1738811A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200380108657.X
申请日：2003-12-18
申请人： 宇部兴产株式会社
IPC分类号： C07D317/54 , C07C67/293 , C07C69/157
摘要： 用式(I)表示的化合物是在含有选自(a)卤化硼化合物、(b)11族元素的三氟甲磺酸盐化合物、(c)12族元素的卤素化合物、(d)锡或原子序数是58、66～71的元素的三氟甲磺酸盐化合物及卤素化合物中的一种以上的催化剂的存在下，使式(IV)或(V)的苯化合物和式(VI)的亚链烯基二乙酸酯反应得到。R1，R2＝H或C1－C10的烷基，A＝对应于式(IV)或(V)的取代苯基，R3，R4＝C1－C4的烷基，m＝0、1～4，n＝1～5，k＝1或2。
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公开(公告)号：CN105316649A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510290742.7
申请日：2015-05-29
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 宇部兴产株式会社
IPC分类号： C23C16/36
CPC分类号： H01L21/02167 , C23C16/36 , C23C16/45544 , C23C16/45553 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/0228
摘要： 本发明为在被处理体的被处理面上形成SiCN膜的SiCN膜的成膜方法，其具备：向容纳有前述被处理体的处理室内供给包含Si原料的Si原料气体的工序；和在供给前述Si原料气体的工序之后，向前述处理室内供给包含氮化剂的气体的工序；作为前述氮化剂使用氮与碳的化合物。
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公开(公告)号：CN105316649B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201510290742.7
申请日：2015-05-29
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 宇部兴产株式会社
IPC分类号： C23C16/36
CPC分类号： H01L21/02167 , C23C16/36 , C23C16/45544 , C23C16/45553 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/0228
摘要： 本发明为在被处理体的被处理面上形成SiCN膜的SiCN膜的成膜方法，其具备：向容纳有前述被处理体的处理室内供给包含Si原料的Si原料气体的工序；和在供给前述Si原料气体的工序之后，向前述处理室内供给包含氮化剂的气体的工序；作为前述氮化剂使用氮与碳的化合物。
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公开(公告)号：CN1807423A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200610006336.4
申请日：2003-12-18
申请人： 宇部兴产株式会社
IPC分类号： C07D317/54 , C07D309/18 , C07C69/157 , C07C67/293
摘要： 用下述通式(Ⅰ)表示的1－乙酰氧基－3－(取代苯基)丙烯化合物，在上式(Ⅰ)中，R1及R2各自独立地表示从氢原子及具有1～10个碳原子的烷基所构成的组中选择的一个，其中R1及R2也可以相互连接，和丙烯基的2位及3位的碳原子共同形成环状基团，A表示从下式(Ⅱ)及(Ⅲ)所表示的组中的取代苯基中选择的一个，在上式(Ⅱ)和(Ⅲ)中，R3及R4各自独立地表示具有1～4个碳原子的烷基，m表示0或1～4的整数，n表示1～5的整数，k表示1或2的整数。
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