公开(公告)号：CN101274821B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200810096364.9

申请日：2008-03-26

Applicant: 宇部材料工业株式会社

Inventor： 在田洋 ,  河野诚 ,  稻垣彻 ,  植木明

IPC: C03C17/23 ,  H01J9/00

Abstract: 本发明提供了一种用涂布法制造可见光透过性高的、而且耐溅射性高的氧化镁薄膜的技术。本发明如下制造膜厚为100～1000nm范围、白色光透过率在95％以上的氧化镁薄膜：在基板上涂布、并在干燥后烧成氧化镁微粒子分散液，所述氧化镁微粒子分散液分散有氧化镁作为利用动态光散射法测定的D50为5～40nm范围的微粒子，以下述含金属化合物所含金属的总摩尔含量相对于100摩尔的氧化镁为1.5～3.5摩尔范围的比例，含有属于碱土金属、稀土金属、长周期周期表中12族、13族、14族或15族金属的氧化物以外的含金属化合物，并将碳原子数3～5的一元醇作为分散介质。

公开(公告)号：CN101925555A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200980103400.2

申请日：2009-01-27

Applicant: 日本钨合金株式会社 ,  宇部材料工业株式会社

Inventor： 永野光芳 ,  高巢正信 ,  在田洋 ,  佐野聪

IPC: C04B35/053 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/043 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3426 ,  Y10T428/258

Abstract: 本发明提供MgO烧结体及其制造方法，所述MgO烧结体的烧结密度接近理论密度，机械性质及热传导率优良，能够减少由气体产生造成的气氛的污染。多晶MgO烧结体具有在施加有单向压力的面上使多个(111)面取向的独特的晶体各向异性。所述多晶MgO烧结体经由单向加压烧结粒径为1μm以下的MgO原料粉末的工序和其后在存在0.05体积％以上氧的气氛中，以1273K以上的温度热处理1分钟以上的工序而得到。

公开(公告)号：CN101274821A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810096364.9

申请日：2008-03-26

Applicant: 宇部材料工业株式会社

Inventor： 在田洋 ,  河野诚 ,  稻垣彻 ,  植木明

IPC: C03C17/23 ,  H01J9/00

Abstract: 本发明提供了一种用涂布法制造可见光透过性高的、而且耐溅射性高的氧化镁薄膜的技术。本发明如下制造膜厚为100～1000nm范围、白色光透过率在95％以上的氧化镁薄膜：在基板上涂布、并在干燥后烧成氧化镁微粒子分散液，所述氧化镁微粒子分散液分散有氧化镁作为利用动态光散射法测定的D50为5～40nm范围的微粒子，以下述含金属化合物所含金属的总摩尔含量相对于100摩尔的氧化镁为1.5～3.5摩尔范围的比例，含有属于碱土金属、稀土金属、长周期周期表中12族、13族、14族或15族金属的氧化物以外的含金属化合物，并将碳原子数3～5的一元醇作为分散介质。