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公开(公告)号：CN106163988A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580015874.7
申请日：2015-03-23
Applicant: 宇部材料工业株式会社
IPC: C01F5/02
CPC classification number: C09D1/00 , C01F5/02 , C01P2004/51 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/22 , C01P2006/60 , C09C1/028
Abstract: 一种氧化镁微粒子分散液及其制造方法，该氧化镁微粒子分散液是于非质子性溶剂中分散有氧化镁微粒子的分散液，其特征在于：于通过动态光散射法测定的粒度分布中，D50为200nm以下，平均粒径为500nm以上的粗大粒子的含有率未达1％。
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公开(公告)号：CN102203896B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200980143745.0
申请日：2009-08-28
Applicant: 宇部材料工业株式会社
CPC classification number: H01J11/42 , C09K11/574 , C09K11/7734 , C09K11/778 , H01J11/12 , H01J11/40
Abstract: 本发明是一种发光性叠层体，其是在基体上形成有荧光体层的发光性叠层体，该荧光体层包括被处在230～260nm的波长范围内的紫外光激发而显示出可见光的发光的荧光体，其中，(1)在该荧光体层之下形成有包括由Xe气放电而产生的紫外光所激发而发出在230～260nm的波长范围内具有峰的紫外光的氧化镁烧成物粉末的波长变换层、或者(2)在该荧光体层添加有由Xe气放电而产生的紫外光所激发而发出在230～260nm的波长范围内具有峰的紫外光的氧化镁烧成物粉末、或者(3)在该荧光体层上形成有包括由Xe气放电而产生的紫外光所激发而发出在230～260nm的波长范围内具有峰的紫外光的氧化镁烧成物粉末的荧光体保护层。
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公开(公告)号：CN104755424A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201380057482.8
申请日：2013-10-31
Applicant: 宇部材料工业株式会社
CPC classification number: C08K3/22 , C01F5/02 , C01P2004/03 , C01P2004/38 , C01P2004/40 , C01P2004/52 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C01P2006/80 , C08K2003/222 , C09C1/028 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的氧化镁粉末可有利地用作希望电绝缘性且导热性高的树脂组合物的填充剂，所述氧化镁粉末的BET换算粒径在0.5~20μm的范围内，按个数基准计以30%以上的量含有长方体的顶点和/或边中的至少一个具有倒角形状的多边形氧化镁粒子。
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公开(公告)号：CN101831294A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010139777.8
申请日：2010-03-10
Applicant: 宇部材料工业株式会社
IPC: C09K11/79
Abstract: 本发明提供一种发光强度高且对热的稳定性高的蓝色发光荧光体。一种蓝色发光荧光体，其基本组成式由Sr3-xMgSi2O8:Eux(其中，x为0.008～0.110范围的数值)表示，具有与镁硅钙石相同的晶体结构，由使用入射角为θ的CuKα射线测得的衍射角2θ在20～130度范围的X射线衍射图案，通过Le？Bail法求得的晶格应变为0.055％以下。
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公开(公告)号：CN101831294B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201010139777.8
申请日：2010-03-10
Applicant: 宇部材料工业株式会社
IPC: C09K11/79
Abstract: 本发明提供一种发光强度高且对热的稳定性高的蓝色发光荧光体。一种蓝色发光荧光体，其基本组成式由Sr3-xMgSi2O8:Eux(其中，x为0.008～0.110范围的数值)表示，具有与镁硅钙石相同的晶体结构，由使用入射角为θ的CuKα射线测得的衍射角2θ在20～130度范围的X射线衍射图案，通过Le Bail法求得的晶格应变为0.055％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101235287A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810085648.8
申请日：2008-02-02
Applicant: 宇部材料工业株式会社
IPC: C09K11/79
Abstract: 本发明提供蓝色发光荧光体粉末，其特别是对相当于从Xe气体放出的Xe2的分子射线的波长172nm的真空紫外线的发光强度提高。粉末，其是包含具有用基本组成式CaMgSi2O6:Eu表示的透辉石晶体结构的蓝色发光荧光体粒子的粉末，其特征在于，粒子表面的Eu元素是Eu2+在表面按0.020原子％以上(其中，原子％意味着存在于表面的Eu2+的个数相对于存在于表面的Ca、Mg、Si、O、Eu2+和Eu3+的总个数的百分率)的量存在的条件下，以12∶88～35∶65范围的比例含有Eu2+和Eu3+的混合物。
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公开(公告)号：CN106163988B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201580015874.7
申请日：2015-03-23
Applicant: 宇部材料工业株式会社
IPC: C01F5/02
CPC classification number: C09D1/00 , C01F5/02 , C01P2004/51 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/22 , C01P2006/60 , C09C1/028
Abstract: 一种氧化镁微粒子分散液及其制造方法，该氧化镁微粒子分散液是于非质子性溶剂中分散有氧化镁微粒子的分散液，其特征在于：于通过动态光散射法测定的粒度分布中，D50为200nm以下，平均粒径为500nm以上的粗大粒子的含有率未达1％。
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公开(公告)号：CN106029571B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201580007935.5
申请日：2015-02-12
Applicant: 宇部材料工业株式会社
IPC: C01F5/02 , C08K3/22 , C08K9/06 , C08L101/00
Abstract: 一种氧化镁，其特征在于：其是通过卤素化合物及硅烷偶合剂对氧化镁粉末进行处理而成。又，一种氧化镁的制造方法，其特征在于进行如下步骤：准备氧化镁粉末的步骤；卤素化合物处理步骤：利用卤素化合物对上述氧化镁粉末进行表面处理；及硅烷偶合剂处理步骤：利用硅烷偶合剂对上述氧化镁粉末进行表面处理。
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公开(公告)号：CN106029571A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580007935.5
申请日：2015-02-12
Applicant: 宇部材料工业株式会社
IPC: C01F5/02 , C08K3/22 , C08K9/06 , C08L101/00
CPC classification number: C09K5/14 , C01F5/02 , C01F5/04 , C01P2004/61 , C01P2006/12 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C01P2006/80 , C08K3/22 , C08K9/06 , C08K2003/222 , C08L101/00 , C09C1/028 , C09C3/12
Abstract: 一种氧化镁，其特征在于：其是通过卤素化合物及硅烷偶合剂对氧化镁粉末进行处理而成。又，一种氧化镁的制造方法，其特征在于进行如下步骤：准备氧化镁粉末的步骤；卤素化合物处理步骤：利用卤素化合物对上述氧化镁粉末进行表面处理；及硅烷偶合剂处理步骤：利用硅烷偶合剂对上述氧化镁粉末进行表面处理。
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公开(公告)号：CN101235287B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200810085648.8
申请日：2008-02-02
Applicant: 宇部材料工业株式会社
IPC: C09K11/79
Abstract: 本发明提供蓝色发光荧光体粉末，其特别是对相当于从Xe气体放出的Xe2的分子射线的波长172nm的真空紫外线的发光强度提高。粉末，其是包含具有用基本组成式CaMgSi2O6:Eu表示的透辉石晶体结构的蓝色发光荧光体粒子的粉末，其特征在于，粒子表面的Eu元素是Eu2+在表面按0.020原子％以上(其中，原子％意味着存在于表面的Eu2+的个数相对于存在于表面的Ca、Mg、Si、O、Eu2+和Eu3+的总个数的百分率)的量存在的条件下，以12∶88～35∶65范围的比例含有Eu2+和Eu3+的混合物。
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