公开(公告)号：CN109417863A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780024618.3

申请日：2017-04-21

申请人： 德雷塞尔大学 ,  韩国科学技术研究院

发明人： 尤里·戈高齐斯 ,  巴巴克·阿纳索里 ,  穆罕默德·H·阿尔哈贝卜 ,  克里斯蒂娜·B·哈特 ,  具钟眠 ,  洪淳晚 ,  费萨尔·沙阿扎德

IPC分类号： H05K9/00 ,  G02B5/28

CPC分类号： H05K9/0088 ,  C01B32/921 ,  C01P2002/20 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2006/40 ,  H01B1/20 ,  H01L23/295 ,  H01L23/552 ,  H01L2924/3025 ,  H05K9/0084

摘要： 本公开涉及提供电磁屏蔽的材料和提供这种电磁屏蔽的方法。具体地，本公开描述二维过渡金属碳化物、氮化物和碳氮化物材料用于这个目的的用途。

公开(公告)号：CN109065460A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201811203567.3

申请日：2014-06-24

申请人： 恒劲科技股份有限公司

发明人： 许哲玮 ,  许诗滨

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065

CPC分类号： H05K1/181 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/295 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/5383 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16112 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19106 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/0326 ,  H05K1/0333 ,  H05K1/115 ,  H05K3/10 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/0367 ,  Y10T29/49149 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明涉及一种封装装置，其包括一第一导线层、一第一导电柱层、一介电材料层、一第二导线层、一第二导电柱层以及一第一铸模化合物层。第一导线层具有相对的一第一表面与一第二表面。第一导电柱层设置于第一导线层的第一表面上，其中第一导线层与第一导电柱层嵌设于介电材料层内。第二导线层设置于第一导电柱层与介电材料层上。第二导电柱层设置于第二导线层上，其中第二导线层与第二导电柱层嵌设于第一铸模化合物层内。

公开(公告)号：CN108336034A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201710434948.1

申请日：2017-06-10

申请人： 郁海丰

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： H01L23/29 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01L23/295 ,  B82Y30/00 ,  H01L23/291

摘要： 本发明公开了一种新型硅基铝金属高性能电子封装复合材料，由如下重量份原料制成：聚苯乙烯40-50份、聚乙烯吡咯烷酮20-30份、纳米二氧化硅25-35份、纳米氧化铜5-15份、聚乙二醇10-20份。本发明提供的复合材料性能优异，组成新颖，可以用于制备成高性能的电子封装材料。

公开(公告)号：CN108299797A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201810066244.8

申请日：2018-01-24

申请人： 合肥同佑电子科技有限公司

发明人： 李丹丹

IPC分类号： C08L63/00 ,  C08K13/06 ,  C08K9/02 ,  C08K3/36 ,  C08K3/22 ,  C08K3/40 ,  C08K3/34 ,  C08K3/14 ,  H01L23/29

CPC分类号： C08L63/00 ,  C08K2003/2206 ,  C08K2003/2227 ,  C08K2003/2231 ,  C08K2201/011 ,  C08L2201/08 ,  C08L2203/206 ,  C08L2205/025 ,  C08L2205/035 ,  H01L23/291 ,  H01L23/295 ,  C08L67/02 ,  C08K13/06 ,  C08K9/02 ,  C08K3/36 ,  C08K3/22 ,  C08K3/40 ,  C08K3/34 ,  C08K3/14

摘要： 本发明提供一种电子集成电路封装用材料的制备方法，包括以下制备步骤：a、将纳米二氧化硅、三氧化二铝和玻璃粉混合后，用高压水流冲洗，再置于真空环境中进行干燥处理、超声处理，得到混合物一；b、向混合物一中加入混合酸进行浸泡，得到混合物二；c、将混合物二过滤，取滤渣进行高压水洗，再与氧化锡薄膜、氧化钙、碳化硅、碳化锆和环氧树脂混合，导入混炼机中混炼，得到混合物三；d、向混合物三中加入粘合剂、辅料，加热并搅拌，得到混合物四；e、将混合物四冷却至常温后，压制成型即可。本发明制备的材料具有耐高温、低热膨胀、硬度较高、耐磨性好、透光折射性能和压电性能优异的优点。

公开(公告)号：CN108299758A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201710434882.6

申请日：2017-06-10

申请人： 虞庆煌

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： C08L27/06 ,  C08K3/30 ,  C08K3/34 ,  H01L23/29

CPC分类号： C08K3/30 ,  C08K3/34 ,  C08K2003/3009 ,  C08K2201/011 ,  C08L2203/206 ,  H01L23/295 ,  C08L27/06

摘要： 本发明公开了一种铜硅复合材料及在电子领域应用。该硅铝复合材料由纳米硫化铜、纳米碳化硅、聚氯乙烯混合均匀后，熔炼浇注成。所述纳米硫化铜、纳米碳化硅、聚氯乙烯的重量份之比为5:8:25。本发明提供的硅铝复合材料导热性能优异，健康环保，可以用作电子封装材料。

公开(公告)号：CN105814093B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201480067971.6

申请日：2014-10-17

申请人： 日立化成株式会社

发明人： 井上愉加吏 ,  山田和彦 ,  藤田贤

IPC分类号： C08F2/44 ,  H01B1/00 ,  H01B5/00 ,  H01B5/16 ,  H01L21/52

CPC分类号： C08F2/44 ,  C08K2003/0806 ,  H01L23/295

摘要： 本发明涉及一种树脂糊组合物，其含有：(甲基)丙烯酸化合物(A)、粘合剂树脂(B)、胺化合物(C)、聚合引发剂(D)、增韧剂(E)、银粉(F)和铝粉(G)，其中，银粉(F)含有涂布有硬脂酸并且振实密度为4.0g/cm3以下的银粉(F‑1)，银粉(F)的含量为42质量％以下，银粉(F‑1)的含量为11质量％以上，铝粉(G)的含量与银粉(F)的含量的比值以质量比计为0.3～2.3。根据本发明，能够获得下述价廉的树脂糊组合物和使用了该树脂糊组合物的半导体装置，该树脂糊组合物适合用于半导体芯片等导体元件与引线框架等支撑构件的粘接，能够减少稀有且价值高的昂贵材料即银的使用量，而且导电性、导热性和粘接性也优良。

公开(公告)号：CN105517984B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201480033987.5

申请日：2014-02-21

申请人： DIC株式会社

发明人： 佐藤泰 ,  高桥步

IPC分类号： C07C39/14 ,  C07C37/14 ,  C08G61/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC分类号： C07C39/14 ,  C07C37/14 ,  C08G8/02 ,  C08G59/621 ,  C08G61/02 ,  C08K3/04 ,  C08K7/18 ,  C08L61/16 ,  C08L63/00 ,  C08L65/00 ,  C08L91/06 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0373 ,  H05K1/09 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种固化物的耐热性及阻燃性优异的含酚性羟基化合物、包含该化合物的酚醛树脂、固化性组合物和其固化物、半导体密封材料、以及印刷电路基板。一种含酚性羟基化合物，其特征在于，其具有下述通式(I)所示的分子结构[式中X为下述结构式(x1)或(x2)所示的结构部位{式(x1)或(x2)中，k为1～3的整数，m为1或2，Ar为下述结构式(Ar1)(式中，r为1或2)所示的结构部位。k或m为2以上时，多个Ar可以相同，也可以彼此不同。}]。

公开(公告)号：CN105074906B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201480019057.4

申请日：2014-03-18

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 丰田英志 ,  清水祐作 ,  千岁裕之

IPC分类号： H01L23/29 ,  C08J5/18 ,  H01L21/56 ,  H01L23/08 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/295 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/16 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H03H9/10 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供即使中空结构的空隙的宽度为100μm左右也能够维持中空结构、而且能够防止封装体翘曲而制作可靠性高的中空封装体的中空密封用树脂片及中空封装体的制造方法。本发明的中空密封用树脂片以70体积％以上且90体积％以下的含量含有无机填充剂，通过动态粘弹性测定得到的60～130℃下的最低熔融粘度为2000Pa·s以上且20000Pa·s以下，在150℃热固化1小时之后的20℃下的储能模量为1GPa以上且20GPa以下，在150℃热固化1小时之后的玻璃化转变温度以下的线膨胀系数为5ppm/K以上且15ppm/K以下。

公开(公告)号：CN104900597B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201410431660.5

申请日：2014-08-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 苏安治 ,  陈宪伟

IPC分类号： H01L23/02 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/568 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/562 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/69 ,  H01L24/81 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/00

摘要： 使用位于第一封装件和第二封装件之间的结构元件将第一封装件接合至第二封装件以提供结构支撑。在实施例中，结构元件是板或者一个或多个导电球。在放置结构元件之后，将第一封装件接合至第二封装件。本发明还涉及半导体封装件及方法。

公开(公告)号：CN106232763B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201580022174.0

申请日：2015-03-20

申请人： 纳美仕有限公司

发明人： 小川英晃

IPC分类号： C09K3/10 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC分类号： C09D163/00 ,  C08G59/50 ,  C08K9/06 ,  C08K2201/005 ,  C09J163/00 ,  H01L21/563 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L23/296 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  C08K3/36 ,  C08L63/00

摘要： 本发明提供兼具低热膨胀化、对半导体元件与基板之间的间隙的注入性的液状封装材，以及使用液状封装材封装封装部位的电子部件。本发明的液状封装材的特征是包含(A)液状环氧树脂、(B)硬化剂、(C)经2‑(3，4‑环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷表面处理的平均粒径7～50nm的二氧化硅填料、及(D)平均粒径0.2～5μm的二氧化硅填料；相对于液状封装材的全部成分的合计100质量份，所述(C)成分的二氧化硅填料及所述(D)成分的二氧化硅填料的合计含量为45～77质量份；所述(C)成分的二氧化硅填料与所述(D)成分的二氧化硅填料的配比(质量比)为1∶10.2～1∶559。