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发明授权
半导体器件有权转让

公开(公告)号：CN105826366B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201610052223.1

申请日：2016-01-26

申请人： 安世有限公司

发明人： 潘之昊 , 弗里德里希·哈恩 , 斯特芬·霍兰 , 奥拉夫·普芬尼希斯多夫 , 约亨·韦南茨 , 汉斯-马丁·里特

IPC分类号： H01L29/45 , H01L21/28

摘要： 半导体器件及其制造方法。所述器件包括设置在芯片级封装(CSP)中的半导体衬底。所述器件还包括设置在衬底主表面上的多个接触。所述器件还包括在半导体衬底的背部上形成欧姆接触的电浮置金属层。所述器件可操作为传导电流，所述电流从所述多个接触中的第一接触经由背部上的金属层通过所述衬底到达所述多个接触中的第二接触。