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公开(公告)号：CN109698231A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811281480.8
申请日：2018-10-23
申请人： 安世有限公司
发明人： 斯特芬·霍兰 , Z·潘 , 约亨·韦南茨 , 汉斯-马丁·里特 , 托比亚斯·斯普罗杰斯 , 托马斯·伊格尔-霍尔特岑多夫 , 沃尔夫冈·施尼特 , 约阿希姆·乌茨格
IPC分类号： H01L29/06
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L21/0273 , H01L21/223 , H01L21/3065 , H01L21/743 , H01L27/0248 , H01L27/0814 , H01L29/0649 , H01L29/0684 , H01L29/36 , H01L29/417 , H01L29/66136 , H01L29/861 , H01L29/0634
摘要： 一种半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括半导体衬底和位于衬底上的半导体层；至少一个浅沟槽和至少一个深沟槽。至少一个浅沟槽和至少一个深沟槽中的每个从半导体层的第一主表面延伸。沟槽的侧壁区域和基底区域包括掺杂沟槽区，并且沟槽至少部分地填充有与掺杂区域接触的导电材料。浅沟槽终止于半导体层中，并且深沟槽终止于半导体衬底中。
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公开(公告)号：CN105826366B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610052223.1
申请日：2016-01-26
申请人： 安世有限公司
摘要： 半导体器件及其制造方法。所述器件包括设置在芯片级封装(CSP)中的半导体衬底。所述器件还包括设置在衬底主表面上的多个接触。所述器件还包括在半导体衬底的背部上形成欧姆接触的电浮置金属层。所述器件可操作为传导电流，所述电流从所述多个接触中的第一接触经由背部上的金属层通过所述衬底到达所述多个接触中的第二接触。
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公开(公告)号：CN108091689B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201711200350.2
申请日：2017-11-21
申请人： 安世有限公司
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/732 , H01L21/28 , H01L21/331
摘要： 一种半导体器件及其制造方法。该器件包括具有主表面和背表面的半导体衬底。该器件还包括双极型晶体管。该双极型晶体管包括：集电极区域，位于半导体衬底中；基极区域，位于集电极区域内且邻近主表面安置；发射极区域，位于基极区域内且邻近主表面安置；以及集电极端子，位于半导体衬底的主表面上。该集电极端子包括：第一导电部分，电连接至集电极区域；电阻部分，电连接至第一导电部分；以及第二导电部分，用于允许与集电极端子进行外部电连接。第二导电部分经由电阻部分电连接至第一导电部分。
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公开(公告)号：CN109698231B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201811281480.8
申请日：2018-10-23
申请人： 安世有限公司
发明人： 斯特芬·霍兰 , Z·潘 , 约亨·韦南茨 , 汉斯-马丁·里特 , 托比亚斯·斯普罗杰斯 , 托马斯·伊格尔-霍尔特岑多夫 , 沃尔夫冈·施尼特 , 约阿希姆·乌茨格
IPC分类号： H01L29/06
摘要： 一种半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括半导体衬底和位于衬底上的半导体层；至少一个浅沟槽和至少一个深沟槽。至少一个浅沟槽和至少一个深沟槽中的每个从半导体层的第一主表面延伸。沟槽的侧壁区域和基底区域包括掺杂沟槽区，并且沟槽至少部分地填充有与掺杂区域接触的导电材料。浅沟槽终止于半导体层中，并且深沟槽终止于半导体衬底中。
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公开(公告)号：CN107017216B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201610984852.8
申请日：2016-11-09
申请人： 安世有限公司
IPC分类号： H01L23/492 , H01L21/48
摘要： 本发明公开一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。该装置包括半导体衬底，该半导体衬底具有主表面、背面以及在该主表面和该背面之间延伸的侧表面。该半导体装置还包括穿过该衬底的该背面延伸的至少一个金属层。该至少一个金属层的外围部分朝向包含该主表面的平面延伸，该至少一个金属层的该外围部分位于该背面和该侧表面中的至少一个侧表面之间的该衬底的边缘处。这可以防止位于该至少一个金属层的该外围部分的毛刺干扰该衬底的该背面安装在载体的表面上。
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公开(公告)号：CN108091648A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711164693.8
申请日：2017-11-21
申请人： 安世有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/872
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L27/0262 , H01L27/1203 , H01L29/0649 , H01L29/0692 , H01L29/0847 , H01L29/41758 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/8083 , H01L29/861 , H01L29/87 , H01L29/872 , H02H9/046
摘要： 本公开的各个方面涉及可用于分流电流的电路系统。可与一个或多个实施例一致的第一电路具有布置在阳极端和阴极端之间的多个交替的p型半导体区域和n型半导体区域，其间具有相应的p-n结。例如旁路电路的第二电路连接到所述交替的p型半导体区域和n型半导体区域中的一个区域，并与其形成另外的p-n结。所述第二电路工作以提供影响所述第一电路的工作的载流子流动。
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公开(公告)号：CN115132723A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210301498.X
申请日：2022-03-25
申请人： 安世有限公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明涉及一种半导体器件、静电放电保护器件以及器件。更具体地说，本发明涉及一种特别适合作为静电放电保护用部件的半导体器件。该半导体器件的特征在于，其包括第一结构，该第一结构包括：第二电荷类型的第三半导体区域；第一电荷类型的第四半导体区域，其与第三半导体区域间隔开；以及第一连接元件，其被配置为将第三半导体区域电连接到第四半导体区域，其中第三半导体区域被布置在第一半导体区域和第四半导体区域之间，并且其中第四半导体区域被布置在第二半导体区域和第三半导体区域之间。
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公开(公告)号：CN114068520A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110894943.3
申请日：2021-08-05
申请人： 安世有限公司
发明人： 汉斯-马丁·里特 , 斯特芬·霍兰 , 吉多·诺特曼斯 , 约阿希姆·乌茨格 , 纳加拉杰·瓦桑莎·库马尔·瓦达基雷
摘要： 本公开涉及一种半导体装置，包括：第一n+区域；第一p+区域，其位于第一n+区域内；第二n+区域；第二p+区域，其位于第一n+区域与第二n+区域之间。第一n+区域、第二n+区域和第二p+区域位于p‑区域内。第一空间电荷区域和第二空间电荷区域形成在p‑区域内。第一空间区域位于第一n+区域与第二p+区域之间，第二空间区域位于第二p+区域与第二n+区域之间。
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