公开(公告)号：CN1917241A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610109581.8

申请日：2006-08-14

申请人： 安华高科技ECBUIP(新加坡)私人有限公司

发明人： 维金奈·M·罗宾斯 ,  史蒂文·D·莱斯特尔 ,  杰弗里·N·米勒 ,  戴维·P·保尔

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01S5/305

摘要： 本发明公开了一种光发射器件，它包括设置为响应于注入电荷而产生光的有源区以及n型材料层和p型材料层，其中，用至少两种掺杂物对n型材料层和p型材料层中的至少一个进行掺杂，所述掺杂物中至少一种具有比另一种掺杂物的电离能更高的电离能。

公开(公告)号：CN1917241B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200610109581.8

申请日：2006-08-14

申请人： 安华高科技ECBUIP(新加坡)私人有限公司

发明人： 维金奈·M·罗宾斯 ,  史蒂文·D·莱斯特尔 ,  杰弗里·N·米勒 ,  戴维·P·保尔

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01S5/305

摘要： 本发明公开了一种光发射器件，它包括设置为响应于注入电荷而产生光的有源区以及n型材料层和p型材料层，其中，用至少两种掺杂物对n型材料层和p型材料层中的至少一个进行掺杂，所述掺杂物中至少一种具有比另一种掺杂物的电离能更高的电离能。

公开(公告)号：CN1917312A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610111208.6

申请日：2006-08-15

申请人： 安华高科技ECBUIP(新加坡)私人有限公司

发明人： 斯科特·W·科尔扎因 ,  戴维·P·保尔

IPC分类号： H01S5/183 ,  H01S5/343 ,  H01S5/187

CPC分类号： H01S5/0424 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18383 ,  H01S5/20 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

摘要： 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)。该VCSEL包括具有垂直生长部和横向生长部的基区。垂直生长部沿横向位于第一光学反射器附近，横向生长部包括沿垂直方向位于第一光学反射器至少一部分上的氮化物半导体材料。有源区具有沿垂直方向位于基区的横向生长部至少一部分上的至少一个氮化物半导体材料量子阱，并包括第一导电类型的第一掺杂剂。接触区包括沿横向位于有源区附近的氮化物半导体材料和与第一导电类型相反的第二导电类型的第二掺杂剂。第二光学反射器沿垂直方向位于有源区上，并与第一光学反射器一起形成垂直光学腔，该光学腔与有源区至少一个量子阱的至少一部分重叠。本发明还描述了制造VCSEL的方法。

公开(公告)号：CN100583577C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200610111208.6

申请日：2006-08-15

申请人： 安华高科技ECBUIP(新加坡)私人有限公司

发明人： 斯科特·W·科尔扎因 ,  戴维·P·保尔

IPC分类号： H01S5/183 ,  H01S5/343 ,  H01S5/187

CPC分类号： H01S5/0424 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18383 ,  H01S5/20 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

摘要： 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)。该VCSEL包括具有垂直生长部和横向生长部的基区。垂直生长部沿横向位于第一光学反射器附近，横向生长部包括沿垂直方向位于第一光学反射器至少一部分上的氮化物半导体材料。有源区具有沿垂直方向位于基区的横向生长部至少一部分上的至少一个氮化物半导体材料量子阱，并包括第一导电类型的第一掺杂剂。接触区包括沿横向位于有源区附近的氮化物半导体材料和与第一导电类型相反的第二导电类型的第二掺杂剂。第二光学反射器沿垂直方向位于有源区上，并与第一光学反射器一起形成垂直光学腔，该光学腔与有源区至少一个量子阱的至少一部分重叠。本发明还描述了制造VCSEL的方法。