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公开(公告)号：CN1710764A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200510077804.2
申请日：2005-06-09
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 金泽
CPC分类号： H01S5/34313 , B82Y20/00 , H01S3/09415 , H01S3/109 , H01S5/024 , H01S5/041 , H01S5/1096 , H01S5/141 , H01S5/146 , H01S5/18383
摘要： 控制外腔表面发射激光器的多层增益构件中的量子阱的数量和类型可以提供一种以上相干光波长的光的输出。多层镜式构件中的层数和类型可以提供一种双波长反射器。
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公开(公告)号：CN100405680C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200310101391.8
申请日：2003-10-16
申请人： 伊斯曼柯达公司
发明人： J·P·斯普恩霍维 , J·A·阿戈斯蒂内利 , B·E·克鲁施维茨 , K·B·卡亨 , J·A·莱本斯
CPC分类号： H01S5/18366 , G02B26/001 , H01S3/0933 , H01S3/168 , H01S5/041 , H01S5/141 , H01S5/18383 , H01S5/36
摘要： 机械调谐从有机激光共振腔器件发射出来的光学波长的系统，它包括：多层膜结构，其中该多层膜结构是由非相干光子源抽运的；以及紧邻多层膜结构的微机电反射镜组件，其中该微机电反射镜组件可改变有机激光共振腔器件的共振腔长度。
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公开(公告)号：CN101005195A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610121484.0
申请日：2006-08-24
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01S5/18383 , H01S3/08072 , H01S3/109 , H01S5/0213 , H01S5/024 , H01S5/041 , H01S5/141 , H01S5/18305
摘要： 本发明提供了一种端泵垂直外腔面发射激光器(VECSEL)。该VECSEL包括：散热器，用于透射外部发射的预定波长的泵浦光束和消散产生的热量；激光器芯片，设置在散热器上，并且由泵浦光束激发而发射第一波长的光束；倍频发生(SHG)晶体，其设置在激光器芯片上，并且将从激光器芯片发出的第一波长的激光束转换成具有第二波长的激光束，其为第一波长的一半；和平面外腔，其直接形成在SHG晶体上，并且对第二波长的光束有预定的透射率。
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公开(公告)号：CN1917312A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610111208.6
申请日：2006-08-15
发明人： 斯科特·W·科尔扎因 , 戴维·P·保尔
CPC分类号： H01S5/0424 , B82Y20/00 , H01S5/18341 , H01S5/18369 , H01S5/18383 , H01S5/20 , H01S5/34333 , H01S2304/12
摘要： 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)。该VCSEL包括具有垂直生长部和横向生长部的基区。垂直生长部沿横向位于第一光学反射器附近，横向生长部包括沿垂直方向位于第一光学反射器至少一部分上的氮化物半导体材料。有源区具有沿垂直方向位于基区的横向生长部至少一部分上的至少一个氮化物半导体材料量子阱，并包括第一导电类型的第一掺杂剂。接触区包括沿横向位于有源区附近的氮化物半导体材料和与第一导电类型相反的第二导电类型的第二掺杂剂。第二光学反射器沿垂直方向位于有源区上，并与第一光学反射器一起形成垂直光学腔，该光学腔与有源区至少一个量子阱的至少一部分重叠。本发明还描述了制造VCSEL的方法。
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公开(公告)号：CN1717851A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380104061.2
申请日：2003-11-03
申请人： 伊斯曼柯达公司
CPC分类号： H04N9/3161 , H01S5/005 , H01S5/041 , H01S5/18319 , H01S5/18383 , H01S5/36 , H01S5/4075 , H01S5/4093 , H01S5/423
摘要： 一种有机垂直腔激光光束产生器件(10)包括衬底(20)。多个激光发射器(200)在垂直于衬底的方向发射激光。多个激光发射器内的每个激光发射器在垂直于激光方向的第一轴上具有第一横模结构，并在垂直于激光方向和第一轴的第二轴上具有第二横模结构。每个激光发射器包括设置在衬底(20)顶表面的第一反射镜，其反射预定波长范围的光。有机有源区(40)产生激光(350)。有机有源区之上提供第二反射镜，其反射预定波长范围的光。泵浦装置激励多个激光发射器。
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公开(公告)号：CN1551429A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410043039.8
申请日：2004-04-30
申请人： 伊斯曼柯达公司
发明人： K·B·卡亨
CPC分类号： H01S5/041 , H01S5/18369 , H01S5/18383 , H01S5/36 , H01S5/423
摘要： 一种垂直腔激光产生装置，包括基底；反射预定波长范围内光的底部绝缘堆积层；和产生激光的活性区域。该装置还包括同底部绝缘堆积层隔开并反射预定波长范围内光的顶部绝缘堆积层；以及活性区域包括一个或者多个周期有机增益区域和设置在周期有机增益区域的每一边，且被布置使得周期有机增益区域同装置的驻波电磁场的波腹对准的无机隔离层。
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公开(公告)号：CN103311805B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201310187942.0
申请日：2013-03-13
申请人： 株式会社理光
发明人： 原敬
CPC分类号： H01S5/343 , H01S5/041 , H01S5/14 , H01S5/18358 , H01S5/18383 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/3406 , H01S5/3407 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/3434 , H01S5/34373
摘要： 一种半导体层叠板包括半导体分布布拉格反射镜(DBR)形成于基底上的半导体分布布拉格反射镜(DBR)、通过交替层叠宽能带半导体层和有源层形成于半导体DBR上的谐振器层。每一个有源层都包含一个多量子阱(MQW)层和形成于为在多量子阱层的每一个表面上各有一个的两个分隔层。多量子阱层通过交替层叠阻挡层和量子阱层形成。形成n层宽能带半导体层，且从基底数第m层宽能带半导体层的能隙Egm，和从基底数第m-1层宽能带半导体层的能隙Egm-1，满足Egm-1＜Egm，其中n和m均为大于等于2的整数，且1＜m≤n。
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公开(公告)号：CN104641517A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380048578.8
申请日：2013-08-07
申请人： 丹麦科技大学
CPC分类号： H01S5/1096 , B82Y20/00 , H01S5/0222 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/18366 , H01S5/18383 , H01S5/18386 , H01S5/18397 , H01S5/3013 , H01S5/3406 , H01S5/34313 , H01S2301/17
摘要： 公开了波长可扫掠激光源，其中所述激光源为适于产生在激射波长处的激光的半导体激光源。所述激光源包括衬底、第一反射器以及第二反射器。所述第一反射器与所述第二反射器一起限定出光学腔，并且被布置为支持在光学腔中在垂直于衬底的方向上沿着光学路径的光振荡。所述光学腔包括在光学路径上的空隙。所述第二反射器通过悬挂装置被弹性地悬挂在距所述第一反射器一定的距离处并且具有静止位置，所述第二反射器和所述悬挂装置一起限定微机电MEMS振荡器。所述MEMS振荡器具有谐振频率并且适于使所述第二反射器在所述静止位置的每一侧振荡。所述激光源还包括适于向MEMS振荡器施加电场的电连接。此外，还公开了激光源系统和使用激光源的方法。
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公开(公告)号：CN101971446B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN200980109092.4
申请日：2009-06-25
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01S5/18355 , H01S3/109 , H01S5/14 , H01S5/18383 , H01S5/18388 , H01S5/3095
摘要： 说明有一种表面发射半导体激光器，具有：半导体本体(1)，其具有至少两个用于发射激光辐射(13)的活性区(2)，所述活性区(2)通过隧道结(3)彼此连接；以及被布置在所述半导体本体(1)之外的用于构造激光谐振腔的外谐振腔镜(11)，其中在所述激光谐振腔中布置有至少一个偏振选择性元件(4)。
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公开(公告)号：CN101136538B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710128169.5
申请日：2007-07-09
申请人： 富士施乐株式会社
CPC分类号： H01S5/18311 , B82Y20/00 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0425 , H01S5/18375 , H01S5/18377 , H01S5/18383 , H01S5/18394 , H01S5/34313 , H01S2301/166
摘要： 本发明提供了VCSEL、其制造方法、模块、光发送装置、光空间传输装置、光发送系统以及光空间传输系统。该VCSEL包括：基板；第一导电类型的第一半导体多层；有源层；第二导电类型的第二半导体多层；接触层；这些层中的每一层都堆叠在基板上。第二半导体多层与有源层和第一半导体多层一起构成了谐振器。接触层上形成有金属层。该金属层包括开口部分，该开口部分限定了发射激光的区域。当激光的振荡波长为λ时，接触层和与接触层接触的第二半导体多层的顶层的光学厚度T小于λ/4。
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