公开(公告)号：CN110644048B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN201911117391.4

申请日：2019-11-14

申请人： 安徽中飞科技有限公司

发明人： 胡丹 ,  于金凤 ,  朱刘

IPC分类号： C30B28/14 ,  C30B29/36 ,  C23C16/455 ,  C23C16/32

摘要： 本发明提供了一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积方法及装置，属于化学气相沉积技术领域。本发明通过先将化学气相沉积室在2～4h内升温至400～500℃，保温4～6h，再在4～10h内升温至1100～1500℃，保温1～2h，再进行化学气相沉积，然后在30～55h内降温至700～800℃，保温4～6h，再在40～60h内降温至室温，确保得到的碳化硅产品完整，无开裂，纯度更高，表面更平整、更光滑，颗粒更小；通过将沉积腔室被设有孔洞的隔板分隔为化学气相沉积室和收尘室，化学气相沉积室的进气口和收尘室的出气口均位于孔洞的上方，使气流以Z字形方式在腔室内流动，延长其在腔室中的行走路径和停留时间，增加甲基三氯硅烷的分解度，提高成品率，同时减少甲基三氯硅烷进入后端出气管道，避免管道堵塞，保证生产顺利进行。