基于锁存交叉耦合的自控制型SRAM灵敏放大器电路、模块

    公开(公告)号:CN117789779B

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202311832360.3

    申请日:2023-12-28

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明涉及灵敏放大器设计技术领域,更具体的,涉及基于锁存交叉耦合的自控制型SRAM灵敏放大器电路、模块。本发明包括:使能控制部、锁存耦合部、自控制输入部、预充电路部。本发明采用自控制输入部,根据Q、QB的电压变化,自适应控制目标位线的信号输入与非目标位线的信号关断,避免非目标位线对输出节点Q、QB产生影响,从而降低失调电压和放大延时。本发明采用锁存耦合部放大电压信号,避免了反相器级联的控制方式,从而规避了现有专利的振荡风险。本发明解决了现有锁存器型灵敏放大器存在偏大的失调电压、以及现有专利存在振荡风险的问题。

    基于锁存交叉耦合的自控制型SRAM灵敏放大器电路、模块

    公开(公告)号:CN117789779A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311832360.3

    申请日:2023-12-28

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明涉及灵敏放大器设计技术领域,更具体的,涉及基于锁存交叉耦合的自控制型SRAM灵敏放大器电路、模块。本发明包括:使能控制部、锁存耦合部、自控制输入部、预充电路部。本发明采用自控制输入部,根据Q、QB的电压变化,自适应控制目标位线的信号输入与非目标位线的信号关断,避免非目标位线对输出节点Q、QB产生影响,从而降低失调电压和放大延时。本发明采用锁存耦合部放大电压信号,避免了反相器级联的控制方式,从而规避了现有专利的振荡风险。本发明解决了现有锁存器型灵敏放大器存在偏大的失调电压、以及现有专利存在振荡风险的问题。

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