公开(公告)号：CN119311635B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411864014.8

申请日：2024-12-18

Applicant: 安徽大学

Inventor： 蔺智挺 ,  张豪 ,  吴秀龙 ,  胡薇 ,  卢文娟 ,  赵强 ,  戴成虎 ,  彭春雨 ,  李志刚

IPC: G06F15/78

Abstract: 本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及一种10T1C‑SRAM存内计算单元及存算电路。本发明在经典的6T‑SRAM的基础上增设了4个NMOS晶体管N4~N7和1个电容C，设计出一种新的10T1C‑SRAM存内计算单元，其继承了6T‑SRAM的数据存储及读写功能，又可以利用N4、N5、N6、N7和C构成计算部来实现存内AND计算和存内XNOR计算。本发明还基于新设计的10T1C‑SRAM存内计算单元，构建出存内计算电路，还可以进行存内1b‑AND MAC计算和存内BNN计算，功能性强、灵活性大。

公开(公告)号：CN119311635A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411864014.8

申请日：2024-12-18

Applicant: 安徽大学

Inventor： 蔺智挺 ,  张豪 ,  吴秀龙 ,  胡薇 ,  卢文娟 ,  赵强 ,  戴成虎 ,  彭春雨 ,  李志刚

IPC: G06F15/78

Abstract: 本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及一种10T1C‑SRAM存内计算单元及存算电路。本发明在经典的6T‑SRAM的基础上增设了4个NMOS晶体管N4~N7和1个电容C，设计出一种新的10T1C‑SRAM存内计算单元，其继承了6T‑SRAM的数据存储及读写功能，又可以利用N4、N5、N6、N7和C构成计算部来实现存内AND计算和存内XNOR计算。本发明还基于新设计的10T1C‑SRAM存内计算单元，构建出存内计算电路，还可以进行存内1b‑AND MAC计算和存内BNN计算，功能性强、灵活性大。