一种应用于空间和卫星的16T双节点抗辐照SRAM单元

    公开(公告)号:CN118197377A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202410300293.9

    申请日:2024-03-15

    Applicant: 安徽大学

    Inventor: 张蕊 王均宜

    Abstract: 本发明提供的一种应用于空间和卫星的16T双节点抗辐照SRAM单元,包括:10个PMOS晶体管,PMOS晶体管包括P1管、P2管、P3管、P4管、P5管、P6管、P7管、P8管、P9管、P10管;6个NMOS晶体管,NMOS晶体管包括N1管、N2管、N3管、N4管、N5管、N6管;以及4个节点,节点包括第一存储节点Q、第二存储节点QB、第一冗余节点S0和第二冗余节点S1,第一存储节点Q的上拉管依次包括P5管、P6管、下拉管包括N3管,第二存储节点QB的上拉管依次包括P7管和P8管、下拉管包括N4管。本发明通过对SRAM存储单元进行电路层次上的加固,使其具备优良的抗辐照性能,通过四个冗余存储节点的设计使DICE结构具有强劲的抗单点翻转能力。

    一种基于FPGA的轻量级M_SR PUF电路及系统

    公开(公告)号:CN116992499A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202311006566.0

    申请日:2023-08-11

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于FPGA的轻量级M_SR PUF电路,包括第一M_NAND延时门、第二M_NAND延时门、第一锁存器和第二锁存器,第一锁存器的输出端分别与第一M_NAND延时门的第一信号输入端、第二M_NAND延时门的第一信号输入端相连,第一M_NAND延时门的输出端分别与第二M_NAND延时门的第二信号输入端、第二锁存器的输入端相连,第二M_NAND延时门的输出端与第一M_NAND延时门的第二信号输入端相连,第二锁存器的输出端输出RES信号。本发明还公开了一种基于FPGA的轻量级M_SR PUF电路的评估系统。本发明中的MUX单元结构一致且位置固定,保证了延迟单元的公平性;达到了可观的输出响应质量指标,例如唯一性和稳定性;所提出的PUF电路面积消耗低,是目前轻量级物联网认证系统的良好候选者。

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