公开(公告)号：CN113764211B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202111079978.8

申请日：2021-09-15

申请人： 安徽工业大学

发明人： 丁健翔 ,  张凯歌 ,  夏欣欣 ,  程宇泽 ,  汪恬昊 ,  丁宽宽 ,  张培根 ,  杨莉 ,  陈立明 ,  冉松林 ,  柳东明 ,  张世宏 ,  孙正明

IPC分类号： H01H1/021 ,  H01H1/023 ,  H01H11/04 ,  B22F9/04 ,  B22F1/14 ,  C22C1/047 ,  C22C5/10 ,  C22C20/00

摘要： 本发明公开了一种低Cd电触头增强相材料、低Cd银基复合电触头材料及制备方法，属于电触头材料技术领域，所述低Cd电触头增强相材料元素组成为Ti和Cd，其元素摩尔比为2:1，属于Ti/Cd金属间化合物的一种，上述Ti2Cd用于制备Ag/Ti2Cd复合电触头材料，复合电触头材料中Cd含量比同组分Ag/CdO中Cd含量降低38％以上，具有显著减毒作用，该复合电触头在实际应用过程中表面接触电阻小、温升低、抗材料损失能力强，具有优异的抗电弧侵蚀性能。产业化后可大规模适用于军事电子电气装备、航空航天等继电器、接触器中，未来可有效推动低压开关电触头材料的低Cd化、低毒化进程。

公开(公告)号：CN113764211A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202111079978.8

申请日：2021-09-15

申请人： 安徽工业大学

发明人： 丁健翔 ,  张凯歌 ,  夏欣欣 ,  程宇泽 ,  汪恬昊 ,  丁宽宽 ,  张培根 ,  杨莉 ,  陈立明 ,  冉松林 ,  柳东明 ,  张世宏 ,  孙正明

IPC分类号： H01H1/021 ,  H01H1/023 ,  H01H11/04 ,  B22F1/00 ,  B22F9/04 ,  C22C1/04 ,  C22C5/10 ,  C22C20/00

摘要： 本发明公开了一种低Cd电触头增强相材料、低Cd银基复合电触头材料及制备方法，属于电触头材料技术领域，所述低Cd电触头增强相材料元素组成为Ti和Cd，其元素摩尔比为2:1，属于Ti/Cd金属间化合物的一种，上述Ti2Cd用于制备Ag/Ti2Cd复合电触头材料，复合电触头材料中Cd含量比同组分Ag/CdO中Cd含量降低38％以上，具有显著减毒作用，该复合电触头在实际应用过程中表面接触电阻小、温升低、抗材料损失能力强，具有优异的抗电弧侵蚀性能。产业化后可大规模适用于军事电子电气装备、航空航天等继电器、接触器中，未来可有效推动低压开关电触头材料的低Cd化、低毒化进程。