-
公开(公告)号：CN113764211B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202111079978.8
申请日：2021-09-15
申请人： 安徽工业大学
摘要： 本发明公开了一种低Cd电触头增强相材料、低Cd银基复合电触头材料及制备方法，属于电触头材料技术领域，所述低Cd电触头增强相材料元素组成为Ti和Cd，其元素摩尔比为2:1，属于Ti/Cd金属间化合物的一种，上述Ti2Cd用于制备Ag/Ti2Cd复合电触头材料，复合电触头材料中Cd含量比同组分Ag/CdO中Cd含量降低38％以上，具有显著减毒作用，该复合电触头在实际应用过程中表面接触电阻小、温升低、抗材料损失能力强，具有优异的抗电弧侵蚀性能。产业化后可大规模适用于军事电子电气装备、航空航天等继电器、接触器中，未来可有效推动低压开关电触头材料的低Cd化、低毒化进程。
-
公开(公告)号：CN113764211A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111079978.8
申请日：2021-09-15
申请人： 安徽工业大学
摘要： 本发明公开了一种低Cd电触头增强相材料、低Cd银基复合电触头材料及制备方法，属于电触头材料技术领域，所述低Cd电触头增强相材料元素组成为Ti和Cd，其元素摩尔比为2:1，属于Ti/Cd金属间化合物的一种，上述Ti2Cd用于制备Ag/Ti2Cd复合电触头材料，复合电触头材料中Cd含量比同组分Ag/CdO中Cd含量降低38％以上，具有显著减毒作用，该复合电触头在实际应用过程中表面接触电阻小、温升低、抗材料损失能力强，具有优异的抗电弧侵蚀性能。产业化后可大规模适用于军事电子电气装备、航空航天等继电器、接触器中，未来可有效推动低压开关电触头材料的低Cd化、低毒化进程。
-
公开(公告)号：CN113299823A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110553600.0
申请日：2021-05-20
申请人： 安徽工业大学
摘要： 本发明涉及信息存储技术技术领域，尤其涉及一种电场可调磁电信息存储器件及其制备方法，该电场可调磁电信息存储器件是由铁磁金属氧化物LSMO、铁电体BTO、半导体氧化物为n型掺杂NSTO组成的电控磁存储器器件。本发明通过优异的制备方法来制备出铁磁和铁电性质薄膜的层状异质结，通过界面处电荷之间有效的耦合，可以增强其多铁特性，实现存储器件开、关的调控，通过外加电场方向进而改变铁电极极化反转方向决定了电阻在开态(低阻态)和关态(高阻态)之间的切换，本发明工艺具有制备工艺简单、非破坏性、高密度、高速率、低能耗、与半导体产业兼容性好等优点，具有良好的信息存储的功能。
-
公开(公告)号：CN112694333A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202110056237.1
申请日：2021-01-15
申请人： 安徽工业大学
IPC分类号： C04B35/56 , C04B35/622
摘要： 本发明公开一种TixAlCy/TiCz/TiaAlb多元复相陶瓷粉末及其低温快速制备方法，所述TixAlCy/TiCz/TiaAlb为多元组分的金属性陶瓷粉末(x＝2‑3，y＝1‑2，z＝0.625‑1.020，a＝1‑3，b＝1‑5)；制备原料为Ti粉、TiC粉、Al粉、石墨粉，配比为xTi‑yTiC‑zAl‑C(x＝2‑2.2，y＝1‑1.3，z＝0.9‑1.2)；本发明通过结合冷冻干燥和二步快速降温技术在较低温度下高效制备出的所述TixAlCy/TiCz/TiaAlb多元复相陶瓷粉末，具有良好的导电、导热和力学性能，在结构、导电、导热、摩擦、复合等材料的开发和应用上具有广泛前景。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.024 秒)
