公开(公告)号：CN111834135B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202010684501.1

申请日：2020-07-15

申请人： 安徽工业大学

发明人： 丁健翔 ,  张骁 ,  查余辉 ,  黄培艳 ,  陈立明 ,  孙正明 ,  柳东明 ,  张世宏 ,  徐东

IPC分类号： H01H1/0233 ,  H01H1/0237 ,  H01H11/04 ,  C22C5/06 ,  C22C32/00 ,  C22C1/05

摘要： 本发明公开一种MAX@MOm/AOn电触头增强相材料、复合电触头材料及制备方法，为具有核壳结构的MAX@MOm/AOn，其内核为三维材料MAX相，外壳为同内核MAX相材料对应的氧化物颗粒MOm、AOn或复合氧化物层MOm/AOn；采用本发明制备的MAX@MOm/AOn作为增强相制备的Ag/MAX@MOm/AOn复合电触头材料，导电性极佳，硬度适中，加工性良好，可按照实际应用需求加工成各种电触头形状，抗电弧侵蚀性能优异，且节银效果显著，Ag基体中增强相MAX@MOm/AOn含量占复合材料比例最高可达40wt％；制备工艺简单，实用性好，适合大规模生产，适用于接触器、断路器、继电器等低压开关设备中，带来社会和经济价值。

公开(公告)号：CN110699568B

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201910867101.1

申请日：2019-09-12

申请人： 安徽工业大学

发明人： 丁健翔 ,  孙正明 ,  查余辉 ,  黄培艳 ,  张骁 ,  王东

IPC分类号： C22C5/06 ,  C22C32/00 ,  C22C1/05 ,  C22C1/10 ,  H01H11/04

摘要： 本发明公开了一种壳核结构MXene@MAX复合触头增强相材料及其制备方法；所述MXene@MAX复合触头增强相材料为多维核壳结构，内核为MAX相材料，外壳为同内核MAX相材料对应的MXene材料；本发明同时公开了将上述MXene@MAX用于制备Ag/MXene@MAX复合触头材料及其制备方法，本发明所制备的MXene@MAX复合触头增强相材料，与Ag基体复合后，三维MAX起到支撑结构，二维MXene起到导电导热、增强与Ag基界面结合的作用，提高了Ag基电触头的密度、导电、导热和抗电弧侵蚀性能，且降低了电触头的表面温升、接触电阻以及材料损失率。

公开(公告)号：CN110699568A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201910867101.1

申请日：2019-09-12

申请人： 安徽工业大学

发明人： 丁健翔 ,  孙正明 ,  查余辉 ,  黄培艳 ,  张骁 ,  王东

IPC分类号： C22C5/06 ,  C22C32/00 ,  C22C1/05 ,  C22C1/10 ,  H01H11/04

摘要： 本发明公开了一种壳核结构MXene@MAX复合触头增强相材料及其制备方法；所述MXene@MAX复合触头增强相材料为多维核壳结构，内核为MAX相材料，外壳为同内核MAX相材料对应的MXene材料；本发明同时公开了将上述MXene@MAX用于制备Ag/MXene@MAX复合触头材料及其制备方法，本发明所制备的MXene@MAX复合触头增强相材料，与Ag基体复合后，三维MAX起到支撑结构，二维MXene起到导电导热、增强与Ag基界面结合的作用，提高了Ag基电触头的密度、导电、导热和抗电弧侵蚀性能，且降低了电触头的表面温升、接触电阻以及材料损失率。

公开(公告)号：CN112694333A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202110056237.1

申请日：2021-01-15

申请人： 安徽工业大学

发明人： 丁健翔 ,  丁宽宽 ,  张凯歌 ,  张骁 ,  夏欣欣 ,  程宇泽 ,  汪恬昊 ,  查余辉 ,  黄培艳 ,  孙正明

IPC分类号： C04B35/56 ,  C04B35/622

摘要： 本发明公开一种TixAlCy/TiCz/TiaAlb多元复相陶瓷粉末及其低温快速制备方法，所述TixAlCy/TiCz/TiaAlb为多元组分的金属性陶瓷粉末(x＝2‑3，y＝1‑2，z＝0.625‑1.020，a＝1‑3，b＝1‑5)；制备原料为Ti粉、TiC粉、Al粉、石墨粉，配比为xTi‑yTiC‑zAl‑C(x＝2‑2.2，y＝1‑1.3，z＝0.9‑1.2)；本发明通过结合冷冻干燥和二步快速降温技术在较低温度下高效制备出的所述TixAlCy/TiCz/TiaAlb多元复相陶瓷粉末，具有良好的导电、导热和力学性能，在结构、导电、导热、摩擦、复合等材料的开发和应用上具有广泛前景。

公开(公告)号：CN111834135A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010684501.1

申请日：2020-07-15

申请人： 安徽工业大学

发明人： 丁健翔 ,  张骁 ,  查余辉 ,  黄培艳 ,  陈立明 ,  孙正明 ,  柳东明 ,  张世宏 ,  徐东

IPC分类号： H01H1/0233 ,  H01H1/0237 ,  H01H11/04 ,  C22C5/06 ,  C22C32/00 ,  C22C1/05

摘要： 本发明公开一种MAX@MOm/AOn电触头增强相材料、复合电触头材料及制备方法，为具有核壳结构的MAX@MOm/AOn，其内核为三维材料MAX相，外壳为同内核MAX相材料对应的氧化物颗粒MOm、AOn或复合氧化物层MOm/AOn；采用本发明制备的MAX@MOm/AOn作为增强相制备的Ag/MAX@MOm/AOn复合电触头材料，导电性极佳，硬度适中，加工性良好，可按照实际应用需求加工成各种电触头形状，抗电弧侵蚀性能优异，且节银效果显著，Ag基体中增强相MAX@MOm/AOn含量占复合材料比例最高可达40wt％；制备工艺简单，实用性好，适合大规模生产，适用于接触器、断路器、继电器等低压开关设备中，带来社会和经济价值。