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公开(公告)号:CN114934260B
公开(公告)日:2024-02-13
申请号:CN202210567592.X
申请日:2022-05-23
申请人: 安泰天龙钨钼科技有限公司 , 安泰天龙(北京)钨钼科技有限公司 , 安泰科技股份有限公司
摘要: 本发明涉及稀有金属和粉末冶金技术领域,具体涉及一种钼合金靶材及其制备方法和应用,以质量百分数计,所述靶材包括10~30%的Ni,5~25%的Ti和0.5~5%的Re,余量为Mo和不可避免的杂质,且Mo的质量百分比≥50%。本发明在钼合金中加特定量的铼后,可以细化晶粒尺寸,使晶粒更均匀,降低材料脆性,增加塑韧性,提高变形加工能力,使得到的坯料可以进行轧制工序从而得到不同形状或大尺寸的靶材,作为靶材制备膜层时膜层厚度更均匀,溅射速度更快。
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公开(公告)号:CN117443937A
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN202311410439.7
申请日:2023-10-27
申请人: 安泰天龙钨钼科技有限公司 , 安泰科技股份有限公司 , 安泰天龙(北京)钨钼科技有限公司
IPC分类号: B21B23/00
摘要: 本发明属于难熔金属钼铼合金变形加工技术领域,具体涉及一种钼铼合金无缝薄壁管材及其制备方法。该方法包括钼铼合金坯锭制备、管坯制备、管材轧制、热处理等步骤。本发明设计合理、使用效果好,通过此发明可以得到外径6~20mm、壁厚0.5~3mm、最大长度6000mm的钼铼合金无缝管材。
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公开(公告)号:CN114939661B
公开(公告)日:2023-11-03
申请号:CN202210565049.6
申请日:2022-05-23
申请人: 安泰天龙(北京)钨钼科技有限公司 , 安泰天龙钨钼科技有限公司 , 安泰科技股份有限公司
IPC分类号: B22F5/12 , B22F3/04 , B22F3/15 , B22F3/20 , B22F3/16 , B22F3/24 , C22C27/04 , C22C1/04 , C23C14/34
摘要: 本申请提供一种钼合金管靶材的制备方法、钼合金管靶材和用途,属于粉末冶金技术领域。该靶材是将原料粉末经冷等静压成型、包套、热等静压、挤压成型、退火等工序制备而成,本申请制备得到的靶材以质量百分比计,包括Ni:10~30%,Ti:5~25%,Re:0.5~5%,M:0‑15%,M为Cr、Zr、Ta、Nb中的至少一种,其中M用于替代部分Ti,余量为Mo和不可避免的杂质,Mo在钼合金管靶材中的质量百分比含量不低于50%。本申请方法制备的靶材塑韧性好,变形能力较好,晶粒细小均匀。用本申请制备的靶材溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀,可通过溅射方式附着在电子部件用层叠配线膜的主导电层上形成金属覆盖层,用于平面显示器、薄膜太阳能和半导体装置等。
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公开(公告)号:CN114934260A
公开(公告)日:2022-08-23
申请号:CN202210567592.X
申请日:2022-05-23
申请人: 安泰天龙钨钼科技有限公司 , 安泰天龙(北京)钨钼科技有限公司 , 安泰科技股份有限公司
摘要: 本发明涉及稀有金属和粉末冶金技术领域,具体涉及一种钼合金靶材及其制备方法和应用,以质量百分数计,所述靶材包括10~30%的Ni,5~25%的Ti和0.5~5%的Re,余量为Mo和不可避免的杂质,且Mo的质量百分比≥50%。本发明在钼合金中加特定量的铼后,可以细化晶粒尺寸,使晶粒更均匀,降低材料脆性,增加塑韧性,提高变形加工能力,使得到的坯料可以进行轧制工序从而得到不同形状或大尺寸的靶材,作为靶材制备膜层时膜层厚度更均匀,溅射速度更快。
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公开(公告)号:CN114799460A
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN202210389621.8
申请日:2022-04-13
申请人: 安泰天龙钨钼科技有限公司 , 安泰天龙(北京)钨钼科技有限公司 , 安泰科技股份有限公司
摘要: 本发明提供一种扩散连接制备多层复合阳极基体的方法,本发明首先根据复合阳极基体的形状要求,设计并加工得到复合阳极基体的基础组件,然后再经包套成形、热等静压扩散连接处理、机械加工、高温排气处理得到复合阳极基体成品。本发明的制备方法生产效率高,制备得到的复合阳极基体具有高温强度高、动平衡精度高的优点。
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公开(公告)号:CN114892134B
公开(公告)日:2024-02-13
申请号:CN202210567605.3
申请日:2022-05-23
申请人: 安泰天龙钨钼科技有限公司 , 安泰天龙(北京)钨钼科技有限公司 , 安泰科技股份有限公司
摘要: 本申请提供一种钼合金管靶材及其制备方法和用途,属于粉末冶金技术领域。该靶材以质量百分比计,包括Ni:10~30%,Ti:5~25%,W:1~20%,Re:0.5~5%,M:0‑15%,M为Cr、Zr、Ta、Nb中的至少一种,其中M用于替代部分Ti,余量为Mo和不可避免的杂质,Mo在钼合金管靶材中的质量百分比含量不低于50%,经冷等静压成型、包套、热等静压、挤压成型、退火等工序制备而成。本申请提供的靶材塑韧性好,变形能力较好,晶粒细小均匀。用本申请制备的靶材溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀,可通过溅射方式附着在电子部件用层叠配线膜的主导电层上形成金属覆盖层,用于平面显示器、薄膜太阳能和半导体装置等。
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公开(公告)号:CN114855131A
公开(公告)日:2022-08-05
申请号:CN202210567614.2
申请日:2022-05-23
申请人: 安泰天龙(北京)钨钼科技有限公司 , 安泰天龙钨钼科技有限公司 , 安泰科技股份有限公司
摘要: 本发明属于粉末冶金技术领域,具体提供一种钼合金靶材及其制备方法和应用。所述钼合金靶材的制备方法包括如下步骤:配制原料:按照所述靶材各元素质量配比称取原料混合,以质量百分数计,所述靶材包括如下成分,Ni:10%~30%,Ti:5%~25%,W:1%~20%和Re:0.5%~5%,余量为Mo和不可避免的杂质,且Mo的质量百分比≥50%;冷等静压;热等静压;热轧;退火。本申请方法制备的靶材塑韧性好,变形能力好,晶粒细小均匀。用本申请制备的靶材溅射沉积的薄膜厚度分布更均匀,可通过溅射方式附着在电子部件用层叠配线膜的主导电层上形成金属覆盖层,用于平面显示器、薄膜太阳能和半导体装置等。
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公开(公告)号:CN114939661A
公开(公告)日:2022-08-26
申请号:CN202210565049.6
申请日:2022-05-23
申请人: 安泰天龙(北京)钨钼科技有限公司 , 安泰天龙钨钼科技有限公司 , 安泰科技股份有限公司
IPC分类号: B22F5/12 , B22F3/04 , B22F3/15 , B22F3/20 , B22F3/16 , B22F3/24 , C22C27/04 , C22C1/04 , C23C14/34
摘要: 本申请提供一种钼合金管靶材的制备方法、钼合金管靶材和用途,属于粉末冶金技术领域。该靶材是将原料粉末经冷等静压成型、包套、热等静压、挤压成型、退火等工序制备而成,本申请制备得到的靶材以质量百分比计,包括Ni:10~30%,Ti:5~25%,Re:0.5~5%,M:0‑15%,M为Cr、Zr、Ta、Nb中的至少一种,其中M用于替代部分Ti,余量为Mo和不可避免的杂质,Mo在钼合金管靶材中的质量百分比含量不低于50%。本申请方法制备的靶材塑韧性好,变形能力较好,晶粒细小均匀。用本申请制备的靶材溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀,可通过溅射方式附着在电子部件用层叠配线膜的主导电层上形成金属覆盖层,用于平面显示器、薄膜太阳能和半导体装置等。
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公开(公告)号:CN114914135A
公开(公告)日:2022-08-16
申请号:CN202210388186.7
申请日:2022-04-13
申请人: 安泰天龙钨钼科技有限公司 , 安泰天龙(北京)钨钼科技有限公司 , 安泰科技股份有限公司
摘要: 本发明提供一种耐高温复合阳极基体及其制备方法,本发明的制备方法首先根据复合阳极基体的形状要求,设计并加工得到复合阳极基体的基础组件,然后再经焊接、等温压制、机械加工、高温排气处理得到复合阳极基体成品。本发明的制备方法生产效率高,制备得到的复合阳极基体具有高温强度高、动平衡精度高的优点,此外,本发明的制备过程较为简单,对设备的要求较低。
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公开(公告)号:CN114892134A
公开(公告)日:2022-08-12
申请号:CN202210567605.3
申请日:2022-05-23
申请人: 安泰天龙钨钼科技有限公司 , 安泰天龙(北京)钨钼科技有限公司 , 安泰科技股份有限公司
摘要: 本申请提供一种钼合金管靶材及其制备方法和用途,属于粉末冶金技术领域。该靶材以质量百分比计,包括Ni:10~30%,Ti:5~25%,W:1~20%,Re:0.5~5%,M:0‑15%,M为Cr、Zr、Ta、Nb中的至少一种,其中M用于替代部分Ti,余量为Mo和不可避免的杂质,Mo在钼合金管靶材中的质量百分比含量不低于50%,经冷等静压成型、包套、热等静压、挤压成型、退火等工序制备而成。本申请提供的靶材塑韧性好,变形能力较好,晶粒细小均匀。用本申请制备的靶材溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀,可通过溅射方式附着在电子部件用层叠配线膜的主导电层上形成金属覆盖层,用于平面显示器、薄膜太阳能和半导体装置等。
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