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公开(公告)号：CN106916536B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201510996511.8
申请日：2015-12-25
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/306
摘要： 本发明旨在提供一种用于抛光阻挡层的碱性化学机械抛光液，该抛光液由研磨颗粒、唑类化合物、磷酸、氯化铵、和双氧水组成，本发明通过添加平均粒径小于30nm的研磨颗粒,可以实现对低介电材料(low‑K)的抛光速度小于二氧化硅(TEOS)的抛光速率，同时抛光后，基材表面的犬牙(fang)和缺陷(Defect)现象得到显著改善。
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公开(公告)号：CN108250974A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201611231353.8
申请日：2016-12-28
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： C09G1/02
摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光液，其特征在于，所述化学机械抛光液包含二氧化硅研磨颗粒、两种不同结构的硅烷偶联剂、钾离子、四甲基氢氧化铵。所述化学机械抛光液，提供抛光清洁度，延长循环使用寿命，提供产品良率，降低生成成本。
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公开(公告)号：CN102533121B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201010606954.9
申请日：2010-12-27
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： C09G1/02
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/06 , H01L21/3212
摘要： 本发明公开了一种化学机械抛光液，包括水、气相法二氧化硅、银离子、硫酸根离子、过氧化物。该抛光液具有非常高的钨抛光速度，同时显著提高了钨和二氧化硅的抛光选择比。
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公开(公告)号：CN103205205A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201210012743.1
申请日：2012-01-16
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： C09G1/02
CPC分类号： C09G1/02 , H01L21/3212
摘要： 本发明涉及一种碱性化学机械抛光液，含有：研磨颗粒，唑类化合物，C1～C4季铵碱的一种或者多种，氧化剂，水和pH调节剂，所述抛光液的pH值为8～12。该抛光液实现在碱性抛光环境下，可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比要求，对半导体器件表面的缺陷有很强的矫正能力，快速实现平坦化，提高工作效率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN102452036A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010526490.0
申请日：2010-10-29
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： B24B37/00
CPC分类号： C23F3/06 , C09G1/02 , C09K3/1463
摘要： 本发明公开了一种钨化学机械抛光方法，包括下列步骤：(a)将一化学机械抛光液前体与一活性还原剂掺混，以制备化学机械抛光液；和(b)将所述化学机械抛光液用于钨的化学机械抛光；其中：所述活性还原剂可以显著提高氧化剂的活性和氧化效率。本发明的化学机械抛光液前体中同时存在两种或两种以上的氧化剂，在加入活性还原剂之后，可以使得失去活性的氧化剂恢复氧化活性并提高氧化效率，从而最终获得很高的抛光速度。
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公开(公告)号：CN102399494A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201010277685.6
申请日：2010-09-10
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
CPC分类号： C09G1/02 , H01L21/3212
摘要： 本发明涉及一种化学机械抛光液，其同时含有：研磨颗粒、含卤素的氧化剂、有机胺、乙二胺四乙酸(EDTA)、pH值调节剂，以及所述的化学机械抛光液具有碱性的pH值。该抛光液可以实现在碱性抛光环境下，对硅和铜都具有非常高的抛光速度。该抛光液中还可以继续加入氨基酸，使硅和铜的去除速率保持稳定。
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