公开(公告)号：CN106208990B

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201610736864.9

申请日：2016-08-26

申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司

发明人： 陈高鹏 ,  陈俊 ,  陈中子

IPC分类号： H03F3/193 ,  H03F3/24

摘要： 本申请公开了一种射频功率放大器及射频前端模块，其中，射频功率放大器由至少一个基于CMOS工艺或SOI工艺的第一晶体管和至少一个基于GaAs pHEMT工艺或GaN工艺或LDMOS工艺的第二晶体管构成。这种将第一晶体管和第二晶体管搭配构成射频功率放大器既满足了射频功率放大器对于作为其输出级的晶体管的高击穿电压的要求，又兼具了CMOS工艺的制作快、价格低和工艺成熟的优点，实现了降低射频功率放大器的成本和制作周期的目的。进一步的，第二晶体管设置于衬底的凹槽中，通过第一晶体管的再布线层实现与第一晶体管的连接，从而降低了射频功率放大器所占用的衬底的面积，进一步降低了射频功率放大器的成本。

公开(公告)号：CN106208990A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610736864.9

申请日：2016-08-26

申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司

发明人： 陈高鹏 ,  陈俊 ,  陈中子

IPC分类号： H03F3/193 ,  H03F3/24

摘要： 本申请公开了一种射频功率放大器及射频前端模块，其中，射频功率放大器由至少一个基于CMOS工艺或SOI工艺的第一晶体管和至少一个基于GaAs pHEMT工艺或GaN工艺或LDMOS工艺的第二晶体管构成。这种将第一晶体管和第二晶体管搭配构成射频功率放大器既满足了射频功率放大器对于作为其输出级的晶体管的高击穿电压的要求，又兼具了CMOS工艺的制作快、价格低和工艺成熟的优点，实现了降低射频功率放大器的成本和制作周期的目的。进一步的，第二晶体管设置于衬底的凹槽中，通过第一晶体管的再布线层实现与第一晶体管的连接，从而降低了射频功率放大器所占用的衬底的面积，进一步降低了射频功率放大器的成本。