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公开(公告)号：CN116314055B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310095624.5
申请日：2023-02-10
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/485 , H01L23/488
摘要： 本申请实施例提供了一种半导体封装结构及射频前端模块产品，半导体封装结构包括基板、设置在所述基板上的内埋芯片以及管脚结构，所述管脚结构与所述内埋芯片电连接，所述管脚结构包括至少一环，每环所述管脚结构由多个管脚环绕组成，每环所述管脚结构的管脚间的中心距不同，每环所述管脚结构的管脚均由层状结构组成，所述层状结构至少包括设置在所述内埋芯片上的金属凸起结构以及设置在所述金属凸起结构上的至少一层金属层，本申请与现有布局方法相比，能够在不增加、甚至是缩小芯片管脚布局面积的同时，可以容纳更多的管脚，以此来有效减少多功能芯片在射频前端模组中占用的面积，从而减小射频前端模组的尺寸，缓解产品电路板面积紧张的压力。
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公开(公告)号：CN115799781A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211432019.4
申请日：2022-11-16
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
摘要： 本申请实施例提供了一种耦合线带通滤波器，所述滤波器至少包括微波输入端口、微波输出端口、耦合线单元以及电感电容单元，所述耦合线单元的两端分别与所述微波输入端口以及所述微波输出端口连接，所述耦合线单元的其余端口接地，所述电感电容单元与所述耦合线单元并联，所述电感电容单元包括相互串联的电感和电容，通过调节耦合线单元中耦合线的Ze和Zo值调节滤波器带宽和带外抑制，通过调节耦合线的长度和电感电容单元调节滤波器频率及带内匹配，且结构简单，易于实现，能够在解决滤波器的高性能的同时兼顾小尺寸的问题。
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公开(公告)号：CN106301274A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610671262.X
申请日：2016-08-16
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
IPC分类号： H03H7/01
CPC分类号： H03H7/0161 , H03H7/0138
摘要： 本发明公开了一种带通滤波器，包括：耦合线圈对，第一耦合线圈对包含第一耦合线圈和第二耦合线圈，第二耦合线圈对包含第三耦合线圈和第四耦合线圈，第三耦合线圈对包含第五耦合线圈和第六耦合线圈，第四耦合线圈对包含第七耦合线圈和第八耦合线圈。该带通滤波器，不需要使用高Q值的电容和电感元件，并且在低频阻带频点和高频阻带频点具有陷波特性，可以对特定频点进行陷波抑制。由于无需使用电容和电感元件，因此降低了结构的复杂度，并且无需占用较大的芯片面积，具有结构简单、成本低廉、易于实现的优点。
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公开(公告)号：CN106208990A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610736864.9
申请日：2016-08-26
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
摘要： 本申请公开了一种射频功率放大器及射频前端模块，其中，射频功率放大器由至少一个基于CMOS工艺或SOI工艺的第一晶体管和至少一个基于GaAs pHEMT工艺或GaN工艺或LDMOS工艺的第二晶体管构成。这种将第一晶体管和第二晶体管搭配构成射频功率放大器既满足了射频功率放大器对于作为其输出级的晶体管的高击穿电压的要求，又兼具了CMOS工艺的制作快、价格低和工艺成熟的优点，实现了降低射频功率放大器的成本和制作周期的目的。进一步的，第二晶体管设置于衬底的凹槽中，通过第一晶体管的再布线层实现与第一晶体管的连接，从而降低了射频功率放大器所占用的衬底的面积，进一步降低了射频功率放大器的成本。
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公开(公告)号：CN106100602A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610656781.9
申请日：2016-08-11
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
IPC分类号： H03H7/38
CPC分类号： H03H7/38
摘要： 本发明公开了一种宽带巴伦阻抗变换器，包括宽带差分阻抗变换器和宽带巴伦，所述宽带差分阻抗变换器包括四个耦合线圈，两两构成两对耦合线圈对，第一耦合线圈与第二耦合线圈构成第一耦合线圈对，第三耦合线圈与第四耦合线圈构成第二耦合线圈对。所述宽带巴伦阻抗变换器，能够覆盖700MHz～2700MHz频段，在带宽范围内具有较高的幅度平衡性和相位平衡性的特点，结构简单、易于实现、成本低廉。
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公开(公告)号：CN105811899A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610239554.6
申请日：2016-04-18
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
摘要： 本申请公开了一种功率放大器输出级模块及射频前端模块，其中，所述功率放大器输出级模块包括衬底，功率放大电路和多个引脚；所述衬底表面设置有所述功率放大电路，所述多个引脚设置于所述衬底背离所述功率放大电路一侧表面；所述功率放大电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第一偏置电路和第二偏置电路，第一晶体管和第二晶体管的总栅宽均为预设尺寸；所述预设尺寸为第一预设参数或第二预设参数或第三预设参数。应用本申请实施例提供的射频功率放大器输出级模块只需要对应的设计三种版图即可满足需求者对于无线通信模式及射频信号的频段的任意需求，相应的降低了所述射频功率放大器输出级模块的设计成本以及后续的维护和管理成本。
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公开(公告)号：CN117374055B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311551122.5
申请日：2023-11-21
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供了一种三维半导体结构、三维电容器及其制备方法，所述的三维半导体结构，包括以下结构：第一导电层；位于所述第一导电层表面且与所述第一导电层至少部分保形接触的介质层；位于所述介质层表面且与所述介质层至少部分保形接触的第二导电层；所述第一导电层包括相互电接触的金属图案化层和网格状导电层，所述第一导电层具有多个凸起结构。本发明的三维电容由于具有很好的导电和散热性能，在高功率和高温应用场景中具有优势，可获得更大的功率耐受能力和更宽的工作温度范围。
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公开(公告)号：CN117577449B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410058397.3
申请日：2024-01-16
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供了一种三维结构电容器及其制备方法，三维结构电容器包括以下结构：折线型的立体凸起结构，所述立体凸起结构包括介质层；第一导电层，保形接触在所述介质层的第一侧表面；第二导电层，保形接触在所述介质层的第二侧表面，所述第一侧表面与所述第二侧表面相对；以及第一电极和第二电极；所述第一电极与所述第一导电层电连接；所述第二电极与所述第二导电层电连接。本发明的三维结构电容器具有较高的电容密度，并且本发明的制备三维结构电容器的方法简便，节省工艺流程，具有很高的应用性。
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公开(公告)号：CN117478078A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311825244.9
申请日：2023-12-28
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
摘要： 本申请提供了一种动态负反馈放大电路及电子产品，至少包括信号输入端、信号输出端以及连接在所述信号输入端与所述信号输出端之间的功率放大器以及动态负反馈电路；功率放大器的射频信号输入端连接到信号输入端，功率放大器的射频信号输出端连接到信号输出端；动态负反馈电路耦合在功率放大器两端，动态负反馈电路将射频信号输出端耦合到射频信号输入端；动态负反馈电路包括电容、第一电阻以及与电容耦合的至少一个二极管单元。本申请方案解决了无源负反馈放大电路带来的影响，进一步提高功率放大器的稳定性以及线性度，且与无源负反馈放大电路相比，动态负反馈放大电路能够实现更低的失真，同时具有更高的稳定性。
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公开(公告)号：CN115940827B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202211650881.2
申请日：2022-12-21
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
摘要： 本发明涉及一种低噪声放大器电路及无线通信系统，放大器电路包括射频放大模块，其包括输入节点、射频放大晶体管、反馈电路和阻抗变换电路，阻抗变换电路包括至少一个传输线阻抗变换器和输出节点，射频放大晶体管的第一栅极与输入节点耦合，射频放大晶体管的漏极与传输线阻抗变换器耦合，传输线阻抗变换器耦合至输出节点，输出节点通过反馈回路耦合至射频放大晶体管的第一栅极。本发明具有高带宽、高增益以及极低噪声的特性，克服了现有放大器无法同时兼顾解决噪声系数、工作带宽、增益的技术缺陷。
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