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公开(公告)号：CN1936758B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200610139280.X
申请日：2006-09-20
Applicant: 富士电机系统株式会社
Inventor： 山田耕平
IPC: G05F3/08
CPC classification number: G05F1/573
Abstract: 本发明提供一种过电流检测电路，其特征在于：作为MOSFET的M1是流过基准电流时得到与该基准电流对应的基准电压的基准负载。通过M11、M12、M13和M14，构成放大两个输入电位差的差动放大部。在该差动放大部中流过恒定电流源Ib的偏压电流。该偏压电流中的至少一部分电流流过基准负载M1。此时，M10的漏极电位输入到该差动放大部的两个输入电极中的一个，在该差动放大部的两个输入电极的另一个中，输入与作为过电流检测对象的电流大小相对应的检测电压。由此，能够降低电子线路全体的总消耗电流。
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