公开(公告)号：CN101593606B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200910097051.X

申请日：2009-03-30

Applicant: 浙江大学 ,  富士电机系统株式会社

Inventor： 徐德鸿 ,  温志伟 ,  伍晓峰 ,  大熊康浩 ,  三野和明

IPC: H01F17/04 ,  H01F27/28

CPC classification number: H01F37/00 ,  H01F27/2847 ,  H01F27/323 ,  H03H7/0115 ,  H03H7/09 ,  H03H2001/0085

Abstract: 本发明公开了一种基于柔性多层带材的全集成EMI滤波器，EE磁芯或EI磁芯构成含有两个边柱和一个中柱的闭合磁路，中柱开气隙；第一绕组和第二绕组分别绕在两个边柱上，绕向相同；中柱上绕有第三绕组和第四绕组这两个绕组或只绕有第五绕组这一个绕组；本发明将EMI滤波器中所有无源元件都集成在同一磁芯内，使滤波器的差模插入损耗得到显著提高，减少EMI滤波器的体积和分布参数对滤波器性能的影响。

公开(公告)号：CN102201676A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110064545.5

申请日：2011-03-17

Applicant: 清华大学 ,  富士电机系统株式会社

Inventor： 孙凯 ,  陆晓楠 ,  马毅为 ,  黄立培 ,  五十岚征辉

IPC: H02J3/38 ,  H02M1/12

Abstract: 本发明涉及一种控制混合型H桥级联逆变器的电压输出的方法，其包括以下步骤：1)设置一个具有3个电压等级的直流电压源的H桥逆变器：三个直流母线的电压等级分别为低压V1＝V0、中压V2＝2V0、高压V3＝4V0，则H桥逆变器1交流侧总输出的电压值V满足方程V＝x·V1+y·V2+z·V3；2)在逆变器系统中的并网控制器中预先设置一个理想正弦波；3)所述并网控制器通过电压阶梯调制法或载波脉宽调制法，控制所述H桥逆变器中功率开关的开关状态，使所述H桥逆变器交流侧的总输出波形接近预设的理想正弦波波形。本发明能减少开关损耗，提高能量转换效率。

公开(公告)号：CN102194700A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110054890.0

申请日：2011-03-07

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 矢嶋理子

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095

Abstract: 本发明提供一种超级结半导体器件的制造方法。其是能够防止周缘耐压构造部中的低浓度第一导电型外延层的形成时的杂质浓度变动或者由自掺杂引起的杂质浓度不均匀、能够防止耐压降低的超级结半导体器件的制造方法。在该超级结半导体器件的制造方法中，在由构成超级结半导体器件的漂移层的并列的第一导电型区域(4)和第二导电型区域(5)形成的超级结构造中，在通过外延生长形成上述第一导电型区域(4)时，在半导体源气体之前向外延生长管线导入第一导电型掺杂气体。

公开(公告)号：CN101039068B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200710007322.9

申请日：2007-01-25

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 吉村弘幸

IPC: H02M3/155 ,  H02M1/08 ,  H01F27/28 ,  H01F27/42

CPC classification number: H01F19/08 ,  H01F17/0013 ,  H01F2019/085 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10375 ,  H01L2924/10522 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/3011 ,  H02M1/08 ,  H02M7/538 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/18 ,  H03K17/567 ,  H03K17/6871 ,  H03K17/691 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01004

Abstract: 本发明的电力电子设备包括：空芯型绝缘变压器TU1到TU3，它们插放在接地到车体的控制电路1和偏置在高电压下的上臂2之间；以及空芯型绝缘变压器TD1到TD3，它们位于接地到车体的控制电路1和偏置在高电压下的下臂2之间，并且每一个空芯型绝缘变压器TU1到TU3和TD1到TD3都包括彼此相对的主线圈和副线圈。本发明的电力电子设备有利于提高其对危险环境的耐受性，抑制经时劣化，减小外部磁通量所引起的噪声的不利效应，并且在使低电压和高电压两侧彼此电绝缘的情况下发送和接收信号。

公开(公告)号：CN101221980B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200810003433.7

申请日：2008-01-11

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 胁本博树 ,  大月正人 ,  椎木崇

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供了一种电力半导体装置，其包括在边缘终止结构中采用厚金属膜的场板，并且即使在大侧面蚀刻量或蚀刻量变化的情况下，也能允许边缘终止结构的宽度得以减小，展现优良的长期正向阻断电压能力可靠性，并允许使正向阻断电压能力特性的变化最小化。边缘终止结构包括多个环状p型保护环，覆盖多个环状p型保护环的表面的第一绝缘膜，以及经由第一绝缘膜设置在保护环顶上的环状场板。场板包括多晶硅膜和比多晶硅膜厚的金属膜。保护环包括第一保护环和第二保护环，多晶硅膜经由第一绝缘膜设置在第一保护环上，并且由多晶硅膜和经由第二绝缘膜层叠的金属膜构成的双层场板设置在第二保护环上，第一和第二保护环交替地设置。

公开(公告)号：CN1725019B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200510080437.1

申请日：2005-07-01

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 木代雅巳 ,  山本俊广 ,  矢尾博信 ,  大室善则 ,  平山纪友

IPC: G01P5/24 ,  G01F1/66

CPC classification number: G01F1/663 ,  G01F1/668 ,  G01F25/0007 ,  G01P5/241

Abstract: 本发明涉及一种钳式多普勒超声波流速分布仪，其中从安放在管道外边的超声波换能器上发出的超声波被入射到所述管道内要测量的流体上以便测量要测量流体的流速分布，所应用的原理是：超声波的某一频率被存在于所述流体内的反射物所反射，由于多普勒效应，该频率根据流速而被改变，这种超声波流速分布仪使声波传播楔形物位于所述的超声波换能器和该管道之间。被发射的超声波的频率被设置为不同于使所述管道内兰姆波各模式中的波的折射角成为90度的频率的某一频率。所述频率从由所述楔形物入射到所述管道上的超声波的入射角、所述楔形物内的音速、所述管道内横波和纵波的音速、以及所述管道的板厚中计算出来。这样，在所提供的超声波流速分布仪中，所述超声波的传播频率和入射到所述管道上的角度被适当地选择，从而允许以高精度来测量流体的流速或流量。

公开(公告)号：CN102016726A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115068.1

申请日：2009-04-02

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 高木郁夫 ,  中村洋一 ,  北川清三 ,  根桥和希 ,  朱丰强

IPC: G03G5/05 ,  G03G5/047 ,  G03G15/02 ,  G03G21/00

CPC classification number: G03G5/0564 ,  G03G2215/00957 ,  G03G2215/00987

Abstract: 本发明提供一种电子照相用感光体和该电子照相用感光体的制造方法，该电子照相用感光体即使在感光鼓及其周边部件的循环利用时，以及在用于液体显影工艺时，也不易产生龟裂，能够获得良好的图像。该电子照相用感光体在导电性基体上具有至少含有电荷发生材料和电荷输送材料的感光层，上述感光层含有下述通式(I)所示的共聚聚芳酯树脂作为树脂粘合剂。

公开(公告)号：CN101965525A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200980106546.2

申请日：2009-01-29

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 松本荣治 ,  柴田铁生 ,  今井稔

IPC: G01T1/00 ,  G21C17/00 ,  H04L29/08 ,  H04W4/04 ,  H04W74/08

CPC classification number: G01T7/00 ,  H04B7/155 ,  H04B7/2606 ,  H04W74/08 ,  H04W84/047

Abstract: 本发明提供一种辐射管理系统、辐射剂量测量仪和中继器。能够实时地从多个辐射剂量测量仪收集辐射剂量数据。中继器的监测器指令发送部使用所分配的通信信道发送监测器指令电文。辐射剂量测量仪的监测器指令接收部接收监测器指令电文。响应定时决定部以在该监测器指令电文中包含的时隙数信息所表示的数量生成以监测器指令电文的接收完成时刻为起点的多个响应定时，从该生成的多个响应定时中随机选择来决定要对各通信信道发送响应的定时。响应部在所决定的各定时对各通信信道发送监测器响应电文。

公开(公告)号：CN101959844A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980108223.7

申请日：2009-07-09

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 朱丰强 ,  中村洋一 ,  北川清三 ,  铃木信二郎 ,  高木郁夫

IPC: C07C211/54 ,  G03G5/06

CPC classification number: C07C211/54 ,  G03G5/0614 ,  G03G5/0668 ,  G03G5/0696

Abstract: 本发明提供一种乙烯类化合物，该乙烯类化合物抑制光劣化，且光疲劳少，能够防止由光疲劳所导致的残留电位上升，即使长时间使用，作为电子照相用感光体的特性也是稳定的，并能够稳定地得到良好图像。本发明还提供包含该乙烯类化合物的电荷输送材料、包含该乙烯类化合物的电子照相用感光体及其制造方法。一种乙烯类化合物，包含该乙烯类化合物的电子照相用感光体及其制造方法，该乙烯类化合物的特征在于，以下述通式(Ⅰ)表示，通式(Ⅰ)中，R1、R2和R3分别独立地表示氢原子、卤原子、碳原子数1～6的烷基或碳原子数1～6的烷氧基，R4表示碳原子数1～3的烷基、苯基或甲苯基，Ar表示碳原子数7～20的芳基或杂环基。

公开(公告)号：CN101933141A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200980103495.8

申请日：2009-01-28

Applicant: 富士电机系统株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 百田圣自 ,  阿部和 ,  椎木崇 ,  藤井岳志 ,  吉川功 ,  今川铁太郎 ,  小山雅纪 ,  浅井诚

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/0658 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在主元件(24)的源电极(25)和电流检测元件(21)的电流感应电极(22)之间连接电流检测用的电阻。栅极绝缘膜(36)的绝缘耐压比反向偏压时可流过电流检测元件(21)的最大电流与上述电阻之积大。主元件(24)的p主体区域(32)的扩散深度比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的扩散深度浅，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的曲率比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的曲率小。因此，在外加反向偏压时，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的电场变得比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的电场高，主元件(24)变得易于在电流检测元件(21)之前发生雪崩击穿。